纳米GaAs—SiO镶嵌复合薄膜的发光特性

采用射频磁控共溅射法制备了纳米ＧａＡｓ－ＳｉＯ２镶嵌复合薄膜。通过Ｘ射线衍射、透射电镜观察和Ｘ射线光电子能谱等手段研究了薄膜的结构及其与沉积过程中基片温度间的关系。测量了薄膜的光致发光特性。表明，薄膜由晶态的ＧａＡｓ及非晶Ｓdisplay status两相组成，ＧａＡｓ在沉积过程中未明显氧化且以纳米颗粒形式均匀地弥散；ＧａＡｓ的平均粒径依赖于沉积时的基片温度。通过控制基片温度，成功地获得了ＧａＡｓ的平均粒径分     

溅射共沉积GaAs—SiO2复合薄膜的XPS研究

采用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了由ＧａＡｓ和ＳｉＯ２组成的复合靶共溅射沉积的ＧａＡｓ－ＳｉＯ２复合薄膜的Ｇａ、Ａｓ和Ｓｉ的化学结合状态及其沉积时的基片温度对其影响。结果表明：Ｇａ、Ａｓ和Ｓｉ分别主要是以ＧａＡｓ和ＳｉＯ２的化学组态存在于复合薄膜之中，但当沉积时基片温度上升到一定值后（我们实验中为４００℃），有部分的Ｇａ和Ａｓ被氧化，其氧化量随着基片温度的进一步升高而上升。沉积的ＳｉＯ２中存在着少量的缺氧缺位。     

ZrO2薄膜横断截面的透射电镜观察

本文报道了ZrO2薄膜横断截面的透射电镜观察结果。ZrO2薄膜通过射频磁控溅射法制备，电镜观察表明，薄膜致密均匀，呈柱状晶生长，通过电子衍射和X光衍射实验确定。为面心立方多晶膜，此外，通过对高分辨电子显微象的观察与分析，对薄膜的形成机理进行了初步探讨。     

PECVD法低温沉积多晶硅薄膜的研究

在玻璃衬底上采用常规的PKCVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗较(直径＞100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜。选用的反应气体为SiF4和H2混合气体。加入少量的SiH4后，沉积速率提高了近10倍。分析认为，在低温时促使多晶硅结构形成的反应基元应是SiFmHn(m n≤3)，而不可能是SiHn(n≤3)基团。     

离子注入型硅掺砷阻挡杂质带长波红外探测器的研究

研究了基于离子注入技术制备硅掺砷阻挡杂质带探测器的工艺,通过优化工艺条件和相关器件的结构与材料参数,制造了具有良好光电响应性能的长波红外探测器。在温度5 K,-3.8 V工作偏压下,探测器的峰值响应波长为23.8μm,黑体响应率为3.7 A/W,3.2 V时最大探测率为5.2×10~(13) cm·Hz~(1/2)/W。性能指标堪与文献报道的结果相媲美甚至更好,展示了离子注入工艺在制作阻挡杂质带探测器方面的潜在优势,特别是离子注入工艺与目前的微电子电路技术相兼容,能将探测器与读出电路集成到一块芯片上,在降低成本的同时提高探测器成像性能。     

α-SiO_xN_y薄膜中分立能级的光发射

采用 PECVD法制备了 α- Si Ox Ny 薄膜 ,观察到两组分立能级的强荧光发射 ,一组位于紫外光波段 ,由三个可分辨的发射峰组成 ,波长分别为 330、340和 345nm;另一组位于红光波段 ,由两个发射峰组成 ,波长分别为 735nm和 745nm.发射峰依赖于薄膜中氧和氮的同时存在 ,其强度首先随薄膜中其含量的增加而增强 ,达到饱和值后 ,随着其含量的进一步增加而下降 .这表明发射峰可能起源于 O- Si- N结合而形成的发光中心 .     

高能球磨法制备氧化锌压敏电阻的低温烧结

粗晶氧化锌(ZnO)混合粉经5 h高能球磨,其晶粒尺寸减小至43 nm.高能球磨增强了混合粉的烧结性,使其烧结温度降至800℃.扫描电镜及各个烧结温度下电性能和密度的实验结果证明:800℃烧结的压敏电阻具有最大的密度和良好的电性能,其相对密度达98.94%,电位梯度为1 528 V/mm漏电流为20μA,非线性系数为15.4,晶粒尺寸为1.4μm.     

以SiF4+H2为气源PECVD法低温制备多晶硅薄膜

采用常规的PECVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗粒(直径＞100nm)、高迁移率(～20cm2/vs),择优取向(220)明显的多晶硅薄膜.选用的反应气体为SiH4和H2混合气体.加入少量的SiH4后,沉积速率提高了将近10倍.通过本实验,我们认为在低温时促使多晶硅结构形成的反应基元应是SiFmHn(m+n≤3),而不可能是SiHn(n≤3)基团.     

非晶SiHxOy薄膜的强可见荧光

采用 PECVD方法制备了非晶 Si Hx Oy 薄膜 ,室温下观察到了性能稳定的强荧光发射现象 ,其中3 65nm、4 70 nm、73 0 nm三个带由分立能级的荧光峰组成 ,说明这些荧光带起源于氧有关的能级。通过能级间相对荧光强度的变化解释了发射带中心位置的移动现象