背栅偏置对掩埋氧化层辐射感生陷阱电荷调控规律及机理北大核心

研究了辐照过程中施加背栅偏置对掩埋氧化层(BOX)辐射感生陷阱电荷的调控规律及机理。测试了130 nm部分耗尽绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管在不同背栅偏置条件下辐射损伤规律,试验结果显示辐照过程中施加正向背栅偏置可以显著增强辐射陷阱电荷产生,而施加负向背栅偏置并不能明显抑制氧化物陷阱电荷的产生,甚至在进一步提高负向偏置时会使氧化物陷阱电荷的数量上升。通过TCAD器件模拟仿真研究了背栅调控机理,研究结果表明:尽管负向背栅偏置可使辐射感生陷阱电荷远离沟道界面,但随着BOX层厚度减薄该区域电荷仍可导致器件电参数退化,且提高负向偏置电压可进一步增强陷阱电荷产生,加剧辐射损伤。     

中空介孔硅基刺激响应型纳米药物载体的研究进展

对中空介孔硅的制备方法及其优缺点进行阐述，同时总结了pH、光、氧化还原和多重刺激响应型中空介孔硅药物载体的刺激响应原理及研究进展，最后对其目前存在的问题以及未来研究方向进行了分析和展望。     

锌铝水滑石的制备及其在制革少铬鞣中的应用

通过共沉淀法制备了锌铝水滑石(ZnAl-LDH),采用XRD、FTIR、SEM对其结构进行了表征.将其配合用量为皮质量2％的铬粉(记为2％铬粉)应用于制革鞣制工艺中.考察了ZnAl-LDH制备时的金属源物质的量比、陈化时间对鞣制坯革收缩温度、鞣后废液中的Cr2O3质量浓度的影响.结果表明,ZnAl-LDH是尺寸在100～400 nm之间的片状材料.当n〔(Zn(NO3)2?6H2O)〕:n〔Al(NO3)3?9H2O〕=2.0:1.0,陈化时间为6 h时,制备的ZnAl-LDH-4具有优异的性能.与单独使用2％铬粉鞣制坯革相比,ZnAl-LDH-4(用量为皮质量的4％)配合2％铬粉鞣制坯革收缩温度由75℃提高到94℃,废液中的Cr2O3质量浓度由99.58 mg/L降低至46.98 mg/L,且加入ZnAl-LDH-4鞣制后,鞣后废液化学需氧量和生物需氧量均降低.     

铝改性硅溶胶合成ZSM-5分子筛方法的研究

采用离子交换法制备铝改性硅溶胶，通过水热合成法制备合成了ZSM-5分子筛。利用XRD、SEM、FT-IR、N₂吸附-脱附对其形貌、结构进行表征，并进行了乙苯脱乙基型二甲苯异构化反应催化性能评价。结果表明，该合成方法在140℃晶化48 h合成了高结晶度的ZSM-5分子筛。随着用碱量的提高，粒径逐渐减小，形貌从棱柱形向椭圆柱形转变，二甲苯异构活性达到23.95%,乙苯的转化率为56.38%,二甲苯损失率为0.65%。     

微硅粉悬浮液体地膜制备及其稳定性研究

为实现微硅粉的高值化应用,充分利用微硅粉中的硅、镁、钙等微量元素.实验以六偏磷酸钠为分散剂,黄原胶为稳定剂,通过单因素实验以及三因素三水平正交实验确定出微硅粉悬浮液体地膜配方以及制备工艺,采用沉降实验对不同温度、酸碱、盐体系的悬浮液的稳定性进行分析,借助流变仪、激光粒度分析仪分析流变特性、微硅粉分散性.结果表明:黄原胶、微硅粉、六偏磷酸钠添加量分别为0.15wt％、0.5wt％,0.5wt％时,可得到稳定分散的微硅粉液体地膜悬浮液,悬浮液的最佳保温温度为10～30℃,保证微硅粉悬浮液体地膜悬浮液在40 d之内不产生沉淀,酸碱环境体系对高分子具有一定的腐蚀作用,降低悬浮液的稳定性,pH=7时,悬浮液体系最稳定;同时讨论了不同盐体系对悬浮液体稳定性的影响,结果表明,不同盐体系中,NH4 Cl对体系的稳定性影响最小,当体系添加0.4％NH4 Cl时,体系沉淀量最小,为0.63wt％.     

纳米集成电路用大直径硅与硅基材料的研究进展

长期以来,半导体硅材料对信息产业发展起到了决定性的作用。当前纳米集成电路发展起来,使用硅基材料,器件功耗有所降低,运行速度提升,各种负面影响减少。文章着重于探讨纳米集成电路用大直径硅与硅基材料的研究进展。