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文章介绍了Philips公司生产的汽车用时钟芯片PCF1178C的特点及频率误差补偿和LCD电压设定的编程方法。文中给出了编程器硬件结构和软件框图。 相似文献
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Si(001)斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了Si(001)面偏[110]方向6°斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长.实验结果表明,在Si(001)6°斜切衬底上固相外延生长Ge量子点的最佳退火温度为640℃,在斜切衬底上成岛生长的临界厚度低于在Si(001)衬底成岛生长的临界厚度,6°斜切衬底上淀积0.7nm Ge即可成岛,少于Si(001)衬底片上Ge成岛所需的淀积量.从Ge量子点的密度随固相外延温度的变化曲线,得到Ge量子点的激活能为1.9eV,远高于Si(111)面上固相外延Ge量子点的激活能0.3eV.实验亦发现,在Si(001)斜切衬底上固相外延生长的Ge量子点较Si(001)衬底上形成的量子点的热稳定性要好. 相似文献
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本文概述Bluetooth技术的协议栈、硬件系统的功能、Bluetooth网络Piconet和Scattemet的原理以及连接、数据分组、纠错、鉴权和保密等主要技术。Bluetooth技术以低成本、近距离无线链接为基础,为固定设备与移动设备之间建立低功耗的特别互联,实现数据和语音通信,这使Bluetooth技术有着广阔的应用前景。 相似文献
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硼原子对Si(100)衬底上Ge量子点生长的影响 总被引:3,自引:1,他引:2
研究了硼原子对 Si( 1 0 0 )衬底上 Ge量子点自组织生长的影响 .硼原子的数量由 0单原子层变到 0 .3单原子层 .原子力显微镜的观察表明 ,硼原子不仅对量子点的大小 ,而且对其尺寸均匀性及密度都有很大影响 .当硼原子的数量为 0 .2单原子层时 ,获得了底部直径为 60± 5nm,面密度为 6× 1 0 9cm- 2 ,且均匀性很好的 Ge量子点 .另外 ,还简单讨论了硼原子对 Ge量子点自组织生长影响的机制 . 相似文献
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介绍由蓝牙基带控制器与RF收发接口组成的蓝牙模块,通过UART/PCM和USBB向数字和语音设备提供的蓝牙接口。 相似文献
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Bluetooth PAN控制机制及其实现 总被引:3,自引:0,他引:3
通过对 Bluetooth PAN的自组织网络 SON( Piconet&Scatternet)和网络访问点 NAP( Networking AccessPoint)两种模式的控制机制进行分析和研究 ,给出了 Bluetooth PAN的一种实现结构。Bluetooth PAN是 Bluetooth技术的一种重要应用 ,有着极为广泛的应用领域 相似文献