全文获取类型
收费全文 | 93篇 |
免费 | 4篇 |
国内免费 | 32篇 |
专业分类
综合类 | 9篇 |
机械仪表 | 5篇 |
无线电 | 101篇 |
一般工业技术 | 5篇 |
自动化技术 | 9篇 |
出版年
2016年 | 1篇 |
2013年 | 1篇 |
2012年 | 1篇 |
2011年 | 3篇 |
2010年 | 6篇 |
2009年 | 5篇 |
2008年 | 8篇 |
2007年 | 4篇 |
2006年 | 6篇 |
2005年 | 12篇 |
2004年 | 18篇 |
2003年 | 16篇 |
2002年 | 3篇 |
2001年 | 7篇 |
2000年 | 13篇 |
1999年 | 4篇 |
1998年 | 1篇 |
1997年 | 5篇 |
1996年 | 7篇 |
1995年 | 1篇 |
1993年 | 1篇 |
1992年 | 2篇 |
1987年 | 2篇 |
1984年 | 1篇 |
1981年 | 1篇 |
排序方式: 共有129条查询结果,搜索用时 62 毫秒
1.
2.
<正> SnO_3栅MOS气体传感器是一种新型的MOS传感器,以金属氧化物SnO_2作为MOS晶体管的栅材料,当SnO_2层的厚度小于德拜长度时,吸附CO分子后与栅材料表面进行氧原子交换,致使栅材料中的电子浓度发生变化,由 相似文献
3.
带间耦合多有源区大功率980nm半导体激光器 总被引:2,自引:1,他引:1
提出利用隧道结实现带间耦合再生多有源区大光腔大功率的半导体激光器。该激光器能够在小的电流下输出大的光功率;同时可以使出光端面成倍增加,减少了端面光密度,克服端面灾变性毁坏(COD)。由于耦合形成大光腔,提高了光输出的质量。制备4个有源区带间耦合大功率980nm半导体激光器。在2A注入电流下输出功率5W,阈值电流172mA,斜率效率3.24w/a,阈值电流密度273A/cm^2。 相似文献
4.
5.
多发射极Si/SiGe异质结晶体管 总被引:1,自引:0,他引:1
在硅衬底上外延生长一层Si_(1-x)Ge_x合金材料,它的带隙随组分x的增加而变窄,如果用Si_(1-x)Ge_x窄带材料作晶体管基区,利用硅作为集电极和发射极构成双极晶体管,就可以很容易实现器件的高频、高速、大功率。设计了一种以Si/Si_(1-x)Ge_x/Si为纵向结构,梳状10指发射区为横向结构的异质结晶体管,利用双台面工艺方法制造出具有如下参数的器件:电流增益β=26、V_(CB)=7V、I_(CM)≥180mA、f_T≤ 2GHz,实现了高频大功率,充分显示出Si/Si_(1-x)Ge_x材料的优越性。 相似文献
6.
提出了一种可工作于室温环境下的微型气动红外传感器,它基于气体吸收特定波段的红外辐射后产生的一系列热效应为物理基础,可获得包含红外辐射源信息的信号。为深入研究热效应所产生的微热信号对器件整体性能的控制和影响,优化器件的几何结构和行为,建立了符合器件工作机制的经典热传输模型,并在此基础上,利用通用商业有限元模拟软件ANSYS/FLORTRAN进行流体-结构耦合分析,获得了微型腔体温度,流-固界面压力分布情况以及薄膜的弹性形变,掌握了微结构的机械特性以及流畅的热输运特性。 相似文献
7.
低阈值高效率InAlGaAs量子阱808 nm激光器 总被引:1,自引:4,他引:1
以Al0.3Ga0.7As/InAlGaAs/Al0.3Ga0.7As压应变量子阱代替传统的无应变量子阱作为有源区,实现降低808 nm半导体激光器的阈值电流,并提高器件的效率。首先优化设计了器件结构,并利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)进行了器件的外延生长。通过优化外延生长条件,保证了5.08 cm片内的量子阱(QW)光致发光(PL)光谱峰值波长均匀性达0.1%。对于条宽为50μm,腔长为750μm的器件,经镀膜后的阈值电流为81mA,斜率效率为1.22 W/A,功率转换效率达53.7%。变腔长实验得到器件的腔损耗仅为2 cm-1,内量子效率达90%。结果表明,压应变量子阱半导体激光器具有更优异的特性。 相似文献
8.
f_T为9GHz的SiGe/Si异质结双极晶体管 总被引:1,自引:0,他引:1
叙述了SiGe/Si异质结双极晶体管(HBT)的设计考虑,双台面结构的制作方法,并制作出f_T为9GHz的SiGe/SiHBT。同时根据对不同尺寸HBT的测试结果得到分布参数是影响f_T的重要因素之一。 相似文献
9.
采用计算机模拟的方法,计算了SiO2/Al,ITO/Al,SiO2/Au和ITO/Au全方位反射镜结构和分布式布拉格反射镜的反射特性.用PECVD和溅射设备制作了Glass/SiO2/Au结构,用LP-MOCVD生长了DBR结构,并测量了其反射特性,实验与模拟结果基本吻合.从模拟和实验的结果得到,SiO2/Au ODR结构在波长为630nm的垂直入射光下反射率很高,达到91%以上.对于不同角度的入射光,SiO2/Au在20°~85°都有很高的反射率,远高于DBR结构的反射率.在实际器件测试中,ODR结构的AlGaInP红光LED比无DBR结构的LED提高了115%,比DBR结构的LED提高了28%.这说明,ODR结构与DBR结构相比可以大幅提高红光LED的出光效率. 相似文献
10.
本文计算了GaP/Au 反光镜, GaP/SiO2/Au 三层ODR and GaP/ITO/Au 三层ODR的反射率随角度的变化值。制作了GaAs衬底的AlGaInP LED,Au反光镜、SiO2 ODR和ITO ODR的薄膜AlGaInP LED。在20mA下,四种样品光输出功率分别为1.04mW, 1.14mW, 2.53mW and 2.15mW。制作工艺退火后,Au扩散使Au/GaP反光镜的反射率降至9%。1/4波长的ITO和SiO2透射率不同造成了两种薄膜LED光输出功率不同。ITO ODR中加入Zn可以大大降低LED的电压,但并不影响LED的光输出。 相似文献