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为实现精确控制VCSELs器件中氧化孔的大小,对Al0.98Ga0.02As的湿法氧化规律进行了分析研究.首先运用一维Deal-Grove模型分析了Al0.98Ga0.02As条形台面湿法氧化的一般规律,并在此基础上进一步分析推导,加以适当的简化,提出了适用于二维圆形台面的简单氧化模型,用此模型模拟得到的结果与实验数据十分吻合.同时,实验中观察到氧化孔径很小时氧化速率突增的现象.运用这些规律,将氧化长度的精度控制在0.5μm内,基本实现了氧化工艺的可控性及可重复性. 相似文献
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In order to improve the light efficiency of the conventional GaN-based light-emitting diodes(LEDs), the indium tin oxide(ITO) film is introduced as the current spreading layer and the light anti-reflecting layer on the p-GaN surface.There is a big problem with the ITO thin film’s corrosion during the electrode preparation.In this paper,at least,the edge of the ITO film was lateral corroded 3.5μm width,i.e.6.43%—1/3 of ITO film’s area. An optimized simple process,i.e.inductively couple plasma(ICP),was introduced to solve this problem.The ICP process not only prevented the ITO film from lateral corrosion,but also improved the LED’s light intensity and device performance.The edge of the ITO film by ICP dry etching is steep,and the areas of ITO film are whole. Compared with the chip by wet etching,the areas of light emission increase by 6.43%at least and the chip’s lop values increase by 45.9%at most. 相似文献
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ICP刻蚀GaP表面形貌控制 总被引:1,自引:0,他引:1
不同角度的GaP表面形貌刻蚀主要依赖于刻蚀参数的调节以及光刻胶的形貌,但要得到能够重复的光刻胶形貌是很困难的.研究了如何通过调节感应耦合等离子(ICP)刻蚀仪器本身的参数,而不依赖于不定的光刻胶形貌来得到可重复的表面形貌.通过研究可知,射频功率与腔室压强是影响表面形貌的最重要的两个参数.射频功率越小刻蚀得到的角度越大,腔室压强越大刻蚀得到的角度也越大.通常BCl3等离子体被用来作为GaP的刻蚀气体,但为了维持所需的等离子浓度以及更大的操作压强,Ar被加入刻蚀气体中. 相似文献
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根据色度学基本原理,对荧光粉转换白光发光二极管(LED)和两基色、三基色白光LED进行了配色计算,得到了距离理想白光点色度坐标(1/3,1/3)小于0.5%范围内的众多基色组合,同时对光视效能、显色指数和荧光粉转换效率等参数进行了分析,提出了荧光粉转换白光LED和两基色、三基色白光LED的最佳基色组合,并在实验上对荧光粉转换白光LED进行了验证。 相似文献
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在电动汽车仿真平台上,根据实际车型及技术现状合理地设置动力参数,搭建了外接充电式混合动力电动汽车(PHEV)整车模型,在此基础上,结合PHEV的特点,分析了PHEV的控制系统结构,提出了一种以提高燃油经济性为目标的全新的基于动态规划(DP)的PHEV全程能量控制策略。该策略突破了目前PHEV采用的电量消耗-电量保持模式的能量优化管理思路。为了最大限度地使用电池能量,以电池荷电状态(SOC)在路程起点处达到上限值,在终点达到安全下限值为限制条件,运用动态规划算法使得全程燃料经济性最高。仿真结果表明,与传统的能量管理策略相比,基于DP的全程能量管理可大大提高燃料经济性。 相似文献