内电极浆料的组成对多层陶瓷器件共烧行为的影响

针对７０Ａｇ－３０Ｐｄ电极浆料和铅基钙钛矿驰豫铁电陶瓷组成的多层体系的共烧行为进行研究。在非等温烧结过程中，内电极和功能陶瓷相不匹配的致密化被认为是导致界面共烧缺陷的主要原因。内电极浆料中添加适量的陶瓷粉明显地调整了Ａｇ－Ｐｄ浆料的致密化机制。结果显示了一个极其相似的烧结致密化行为存在于内电极和陶瓷相之间。此外，微结构的观察说明了陶瓷粉的掺杂也显著地改善了内界面的粘接。     

具有新型准同型相界的多元系无铅压电陶瓷的研究

汲取了锆钛酸铅材料在改性工艺中采用多元体系的工艺途径的经验,开发具有新型准同型相界的碱金属铌(钽和锑)酸盐为基的无铅压电组成。考虑到新型无铅压电陶瓷的开发在很大程度上受制于同时具有高居里点和四方结构的铁电相的有限选择的事实,在碱金属铌(钽和锑)酸盐的基础上添加另一铁电组元,从而形成具有新的准同型相界的多元系的高性能的无铅压电组成。研究了这些新的固溶体系的烧结特性,电性能的组成依赖性,成功地制备了具有自主知识产权的高性能的无铅压电新组成。     

流延硅基PZT厚膜工艺研究

研究了基于流延技术制备硅基锆钛酸铅（PZT）厚膜的工艺。考虑衬底特性对厚膜品质的影响,在不同的种子层上分别制备了PZT厚膜,测试工艺结果,证实了种子层的作用。分析了高温烧结时间对流延PZT厚膜品质的影响,确定了最优高温烧结时间。文章提出的硅基PZT厚膜工艺可用于制备射频天线的介质基片。     

多层复相共烧界面的应力形成及其对微结构的影响

对复合对层厚膜共烧体在制备过程中应力的产生及其状态进行了理论分析，得出了厚膜材料不匹配的热力学特性是导致界面应力的重要根源。利用受约束形变的双层膜的应力模型对共烧多层复合陶瓷元器件在不同阶段的应力状态及影响数进行讨论。阐述了改善界面热应力和界面缺陷的工艺措施；研究了界面应力对复相界面微结构的影响。     

银掺杂对低温烧结四元系陶瓷压电性能的影响

研究了微量银掺杂对多层压电陶瓷器件中使用的高性能低温烧结PMN－PNN－PZT（PMNNZT）基陶瓷压电性能的影响。结果表明：在烧结后没有产生明显的新相，少量银掺杂促进了陶瓷的烧结，增强了PMNNZT陶瓷的铁电性。对其压电性能的影响比较显著，具体表现为：微量的银掺杂增强了压电性能，但更多的银掺杂恶化了陶瓷的压电性能。该文解释为银掺杂影响了压电陶瓷材料的应变性能，从而进一步影响了压电性能。     

LSGM固体电解质薄膜制备的研究进展

Sr和Mg掺杂的稀土钙钛矿型氧化物LaGaO3(LSGM)是具有广泛应用前景的固体电解质材料.本文综述了LSGM薄膜制备的主要方法,讨论了各种方法的优缺点,最后对LSGM薄膜制备方法的进一步研究方向进行了展望.     

异相陶瓷界面对多层陶瓷电容器介电特性的影响

借助于电子显微镜和介温谱仪,研究了热稳定型复相多层陶瓷电容器中存在的异质、异相陶瓷界面的互扩散对其介电特性的影响。结果表明,异质界面之间存在明显的扩散层。其中不同铁电陶瓷之间过渡层的形成虽有助于改善电容器的容温特性,提高界面的粘接强度,但这民在一定程度上破坏了原先的结构设计,改变了元件的电容值。另外,由于不同铁电陶瓷相的烧结特性的不匹配易导致出现界面裂纹和空洞等共烧缺陷,从而提高了元件的介电损耗,相对疏松的界面易出现在涂覆端电极时镀液的渗入,降低了可靠性。     

PZT固溶体的价电子结构与铁电性

应用固体与分子经验理论(EET)计算了铁电材料PbZrxTi1-xO3 (0＜x＜1)体系的价电子结构.研究表明,O的2p轨道与B位原子(Zr或Ti)的最外层d轨道的杂化是铁电性的必要条件.PZT为四方钙钛矿结构时,B位原子相对于O发生了一个位移,由此产生了一个电偶极矩(自发极化),B位原子和O原子共价作用的强度(表现...     

2-2型磁电复合薄膜材料研究现状

2-2型磁电复合薄膜材料可以实现磁和电的直接转换,具有较大的磁电转换效应,在电子器件中有着广泛的应用前景。本文详细阐述了有关2-2型磁电复合薄膜的制备及其在铁电、铁磁性能以及磁电耦合效应研究方面的最新进展,并提出了目前磁电复合薄膜研究中存在的问题和进一步的研究方向。     

铁电陶瓷相和内电极的层间互作用及界面类型

借助于透射、扫描电子显微镜和能谱Ｘ射线（ＥＤＡＸ）,对弛豫铁电陶瓷和银钯电极组成的多层共烧体系中的界面互作用进行了研究。观察到明显的互扩散现象存在于异相层间界面。阶电极中的银离子外,陶瓷中部分金属阳离子向电极中也有一定的扩散。Ｘ射线衍射的分析表明共烧过程中界面发生了化学反应,有新相生成。此外,实验结果还揭示了界面的物理化学作用对多层样品的微结构产生了一定的影响。铁电相和共烧界面的类型为扩攻型化合物