a-Si：H TFT OLED驱动电路中存储电容对显示性能的影响

对OLED两管a-Si: H有源驱动技术中存储电容对器件寿命的影响进行了详细的讨论;结合驱动管的宽长比,从理论分析和SPICE模拟两个方面研究了存储电容对电路充电率、跳变电压和保持特性的影响,找出其间相互制约的数量关系,最后给出优化设计的参考值.     

TFT LCD技术的发展

本文介绍了近期ＴＦＴ ＬＣＤ技术发展动态，简述了ＴＦＴ ＬＣＤ发展趋势。     

ZnSe:Al的霍尔迁移率

本实验所用的高纯 ZnSe 单晶是在控制Zn 分压的条件下,用升华法生长的,其中所用的 ZnSe 原料是用5N—Se 和7N—Zn 在高温下直接反应后、再经两次提纯得到的,把生长好的 ZnSe 单晶按(110)面解理,然后降阻(120hrs)、机械抛光、化学腐蚀、超声清洗后,在样品的两个表面镀上高纯 Al、将其封入装有 Zn 粒的安瓶中,其真空度为2×10~(-5)Torr。在 Zn 饱和蒸气压     

最新液晶显示技术追踪

本文介绍近年来在显示性能的提高、ρ－Ｓｉ ＴＦＴ－ＬＣＤ的开发、反射式彩色液晶显示和塑料基板ＬＣＤ等方面的研究开发工作的进展情况和发展趋势。     

中国大陆第一条TFT-LCD生产线的引进与发展

上世纪末，吉林彩晶公司率先引进了中国大陆的的第一条TFT-LCD生产线。其点滴变化都受到了国内外同行的广泛关注。历经7年的曲折发展，在经营管理、技术的消化吸收和创新等各个方面都积累了相当的经验。本文回顾了彩晶的发展历程，整理总结了一些彩晶公司在长期实践中积累的经验，与国内同行共同探讨。     

项目简介

有机发光器件（OLED）具有薄而轻、低电压、低功耗、高亮度、快速响应、宽视角、高对比度、彩色显示等许多优点。被认为具有非常发展前景的下一代平板显示技术，引起人们的高度关注。OLED主要应用于手机、车载和机载仪器仪表显示、摄像机、PC、TV等，其市场近几年将发展成40～50亿美元。高性能、高品位OLED显示必需采用TFT—OLED技术。由于OLED电流驱动特点，在TFT—OLED像素电路中至少有两个以上TFT器件和存储电容器，     

驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作

a-Si：H／SiNx：H TFT在长时间栅偏应力作用下，会产生阈值电压漂移，这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象，文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同，利用PECVD制作了不同N／Si比（0．87～1．68）的氮化硅绝缘材料，对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱（EDS）测试。制作了不同的MIS结构电容，对其进行老化实验和C-V测试分析，结果表明稍富氮（N／Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1．33）的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显，表明其缺陷态密度相对较小，能够有效减小半导体／绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si：H TFT像素电路及其阵列版图，优化了电路中的几个关键参数，即T1的W／L=2．5、T2的W／L=25和存储电容Cs=0．8pF。运用7PEP生产工艺，制作了13cm（5．2in）的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试，其开态电流为10μA，开关比为10^6；对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试，其最高亮度为341cd／m^2。     

序

序《液晶与显示》是经国家科委批准，由《发光快报》和《液晶通讯》合刊而成的刊物。它融学术性和技术性为一体，将展示我国液晶学科和各类显示、显像领域中的最新理论研究成果和创新技术。为促进新技术、新材料的推广应用和国内外学术交流，繁荣我国科技事业，加速高新技...