Internal Mechanism Analysis of Modeling on Particles Size Distribution Characteristics of Impact Attrition Beryllium Powders

基于铍(Be)冲击制粉颗粒的形貌特征,建立了一个描述Be粉颗粒尺寸分布的物理模型,该模型仅含一个物理意义明确的参数。模型中考虑了2种重要的内在影响机制:具有不同初始动能的颗粒在完成冲击后的存在状态应该遵从Maxwell-Boltzmann分布,即大颗粒具有高的能量,状态不稳定,在冲击过程中容易碎成小颗粒,这一影响可以用颗粒尺寸的负指数函数来描述;获得低表面能的倾向又使得颗粒尽可能具有大的体积,这一影响可以用颗粒尺寸的立方函数来描述。实际的颗粒尺寸分布是这2种影响竞争的结果。计算结果与实验数据符合得很好。     

铍冲击粉颗粒尺寸分布特征建模的内在机制分析（英文）

基于铍(Be)冲击制粉颗粒的形貌特征,建立了一个描述Be粉颗粒尺寸分布的物理模型,该模型仅含一个物理意义明确的参数。模型中考虑了2种重要的内在影响机制:具有不同初始动能的颗粒在完成冲击后的存在状态应该遵从Maxwell-Boltzmann分布,即大颗粒具有高的能量,状态不稳定,在冲击过程中容易碎成小颗粒,这一影响可以用颗粒尺寸的负指数函数来描述;获得低表面能的倾向又使得颗粒尽可能具有大的体积,这一影响可以用颗粒尺寸的立方函数来描述。实际的颗粒尺寸分布是这2种影响竞争的结果。计算结果与实验数据符合得很好。     

复合材料桥联问题中的半桥问题

针对纤维增强复合材料的半桥问题，即部分桥联增韧的问题，给出了数值计算结果。由此得到了一个近似解析解--应力强度因子线性模型。利用这一模型，根据纤维基体界面强弱的不同情况，分别给出了III型裂纹的若干强度条件。     

I型分层裂纹桥联增韧分析

基于比例桥联律 ,利用Euler Bernoulli梁理论 ,给出一个关于I型分层桥联裂纹的解析模型。结果分析表明 ,裂纹的能量释放率随着裂纹的扩展有一个上升到下降的过程 ,这完全不同于无桥联时的情况 :即能量释放率随着裂纹的扩展而单调上升。桥联纤维止裂效果明显。     

ITO透明导电薄膜的研究进展

介绍了ITO薄膜的基本特性和透明导电原理,综述了ITO薄膜主要的制备技术及其研究进展,并指出了不同制备方法的优缺点.还对ITO薄膜晶格常数畸变、载流子浓度上限和最佳掺杂量、红外反射率、光吸收边的移动等基础理论研究进展进行了归纳.今后,还需要在低温或室温ITO薄膜的制备、ITO薄膜的导电机理、纳米尺度ITO材料的特性等方面加强研究.     

分散剂对银导电胶性能的影响

以环氧树脂为基体,不同碳链链长分散剂改性的银粉为填料,制备出银导电胶。通过间接测量、计算分析的手段,研究了不同分散剂对银导电胶体积电阻率、剪切强度、黏度、触变及点胶性能的影响。结果表明,不同的分散剂对银导电胶的性能有很大影响,碳链长的饱和酸作为分散剂时,制备出的导电胶体积电阻率更低,触变和黏度也更大,剪切强度与分散剂的碳链链长呈反比,与分散剂有无双键无关,不饱和18个C的油酸作为分散剂时制备出的导电胶与饱和碳链的8个C的正辛酸性能相近。     

ITO透明导电薄膜的研究进展

介绍了ITO薄膜的基本特性和透明导电原理,综述了ITO薄膜主要的制备技术及其研究进展,并指出了不同制备方法的优缺点。还对ITO薄膜晶格常数畸变、载流子浓度上限和最佳掺杂量、红外反射率、光吸收边的移动等基础理论研究进展进行了归纳。今后,还需要在低温或室温ITO薄膜的制备、ITO薄膜的导电机理、纳米尺度ITO材料的特性等方面加强研究。     

一种小型化Ka频段收发信机的设计

Ka频段是卫星通信主要的工作频段，具有频带宽、信息容量大，设备尺寸小，抗干扰性和隐蔽性强等特点，能够满足高速、宽带和小口径终端等应用的要求。Ka频段卫星通信是卫星通信发展的一个重要方向和趋势。本文介绍了一种小型化Ka频段收发信机的设计，其测试结果已达到应用要求，该设备具有指标先进、体积小、重量轻和功耗小等特点，在通讯等领域具有良好的应用前景。     

PVP对球形铝粉进行表面包覆改性的研究

为防止球形铝粉在空气中腐蚀变质,采用溶液聚合法,通过硅烷偶联剂KH-550对超细铝粉进行预处理,在引发剂偶氮二异丁晴的作用下,用聚乙烯吡咯烷酮(PVP)对球形铝粉进行表面改性,形成了PVP-Al复合粒子。利用扫描电镜、能谱以及红外光谱对改性前后的铝粉进行表征分析;利用光电子能谱对复合粒子的形成原理进行分析。结果表明:复合粒子为具有核-壳结构的球形粒子,致密的PVP壳层包覆铝粒子;复合粒子的沉降率及耐腐蚀性优于原料铝粉。     

金属铍静态再结晶行为

通过热压缩和真空退火实验系统研究了金属铍低温形变(应变温度350 ℃,应变速率10_^-3 s_^-1,应变量30%)后在680 ℃至880 ℃温度区间退火组织演变规律。结果表明：金属铍具有独特的静态再结晶行为,再结晶晶粒首先在10 2}<10 >拉伸孪晶界处形核,机理为应变诱导的孪晶界弓出形核。晶界“弓出”形核落后于孪晶界“弓出”形核的原因是BeO杂质对原始晶粒晶界钉扎,阻碍了其界面的迁移。孪晶界和原始晶粒晶界“弓出”形核是金属铍主要的形核方式,晶内直接形核和杂质处形核是其次要的形核方式。低温形变铍在680 ℃至880 ℃内退火均能够获得晶粒细化的完全再结晶组织,且没有再结晶织构形成。金属铍的再结晶晶粒不易长大,原因也是由于BeO杂质的对晶界迁移的钉扎作用。在680 ℃,730 ℃,780 ℃,830 ℃和880℃退火,完成再结晶时间分别大约为2160 min,180 min,20 min,5 min,4 min。金属铍350℃下压缩发生{0001}基面滑移和{10 2}类孪晶变形,形变机理与室温相同,没有随温度升高而发生改变,仍保持金属铍特有的反常变形行为。