KWA高水速凝凝胶阻化剂的研制

介绍了高水速凝凝胶阻化剂的材料配比、性能特点、材料配比与成胶时间的关系以及井下工业性试验情况。     

离子辐照缺陷对太赫兹波发射性能的影响

应用半经典的蒙特卡罗方法,模拟计算了处于不同缺陷条件下的砷化镓在超快激光激发下的载流子输运行为及其相应的太赫兹波发射性能。计算结果表明,缺陷的类型和浓度都会对太赫兹波的脉宽和峰高产生显著的影响。分别采用500 keV和1.5 MeV的氮离子在不同剂量下辐照了半绝缘的砷化镓和掺铁磷化铟样品,并将辐照样品制备成太赫兹波发射天线。通过对辐照样品的太赫兹波发射能力进行测量,发现不同辐照条件下制备的太赫兹发射天线其太赫兹波的脉宽基本一致,只有峰高随辐照产生的缺陷浓度增大呈现先增大后减小的变化。结合理论计算和实验测量结果,分析讨论了光电导材料太赫兹波发射的缺陷机制。     

2MeV He~+离子注入修复太赫兹发射源

为修复因加载过高外置偏压而被击穿的太赫兹光电导天线的发射晶体,采用离子注入法对光电导间隙区域进行了2 MeV He+离子注入处理.经过1016 ions/cm2 He+璃子处理后,光电导天线的电阻由约800 Ω变为60 MΩ,基本恢复到了击穿前的水平.通过对比辐照前后太赫兹发射源在空气气氛中的时域谱和频域谱,发现离子辐照后太赫兹信号强度有了十分明显的增强,时域光谱峰值信号电流由辐照前的2 nA增加到了辐照后的8 nA,峰值功率增幅超过了一个量级,且发现处理后光电导天线的频谱相对于辐照前有了明显的展宽.     

Radial and Angular Resolved Langmuir Probe Diagnosis of a Pulsed Vacuum Arc Plasma

Vacuum arc ion sources are known for delivering high currents of ion beams in many technological applications. There is a great need in the present ion accelera...     

离子径迹电光学性质的太赫兹时域光谱

为了深入研究离子径迹的电光学性质,室温下用太赫兹时域光谱（THz-TDS）测量高能重离子辐照的聚苯乙烯（PS）和聚乙烯（PE）,获得了辐照样品的光学常数。研究发现,在离子沉积能量或离子剂量较高时,辐照PS和PE的吸收系数相比未辐照样品都有显著增加,这是由于辐照产生的碳团聚体对太赫兹波有吸收作用;对折射率而言,辐照PS的折射率增加而辐照PE的折射率降低,这与2种聚合物的结构有关。用有效介质理论提取出辐照聚合物中离子径迹的光学常数,并用Drude-Lorentz模型对其进行拟合,由拟合参数计算出了离子径迹的直流电导率。与常规接触测量法获得的离子径迹的电学参数进行比较,发现2种测量结果的差异是由于沿径迹方向能量沉积的不均匀性造成,THz-TDS测量结果更能反映高能量沉积区域物质的电学性质。     

真空器件排气玻璃封接工艺研究

本文通过对真空器件排气玻璃封接工作中所见玻璃不透明现象的分析,结合反复工艺试验和相关资料,逐一提出了具体有效的解决方法、规避手段或减少(小)措施.通过高倍光学显微镜对比分析改进前后的封接效果,进一步证明解决方法有效,基本解决了文中所述的异常问题,给真空器件的科研生产工作提供了有力保障.     

水和二氧六环水溶液的THz波段介电性质

用太赫兹时域光谱技术测量分析了水和二氧六环水溶液在0.3-1.8THz波段内的太赫兹光谱,研究了水、二氧六环及二氧六环水溶液在此区域的介电性质。研究发现纯二氧六环对太赫兹波的吸收能力很低,而水对它的吸收较强。随水含量增加,二氧六环水溶液的吸收系数逐渐增大。当水的体积浓度高于20vol%时,混合体系表现出理想液体的行为,当低于20vol%时,混合液的吸收系数显著高于理想液体的吸收系数。研究认为,纳米水或界面水的特殊性质可能是导致低水含量混合液偏离理想液体的原因。     

高能铁离子辐照二氧化硅玻璃产生的缺陷研究

室温下用紫外-可见吸收光谱、荧光光谱和电子顺磁共振技术测量分析1.157 GeV56Fe离子辐照的二氧化硅玻璃,研究了高能重离子辐照产生缺陷的规律.紫外-可见吸收光谱测量结果显示,高能铁离子辐照产生了包括E'心、非桥连氧空穴心(NBOHC)和缺氧心ODC(Ⅱ)在内的多种缺陷结构.随着离子辐照量的增加,各类缺陷的数量逐渐增大并在高辐照量时趋于饱和.用单离子饱和损伤模型对实验结果进行拟合,获得了各类缺陷的产生截面在90-140 nm2.根据缺陷相对数量的变化关系探讨了E心和NBOHC的产生机制.荧光光谱显示,当以5 eV的紫外光激发辐照样品时,观测到三个荧光发射峰,分别位于4.28 eV(α带)、3.2 eV(β带)和2.67 eV(γ带),α带和γ带的存在证实辐照产生了ODC(Ⅱ)缺陷.实验发现β带是二氧化硅玻璃中的一种固有缺陷,高能离子辐照可使其部分脱色.电子顺磁共振测量进一步证实了E'心的产生规律.     

基于二维X射线衍射技术的TiH2薄膜残余应力分析

氢化钛（TiH₂）的多数X射线衍射(XRD)峰与Mo的衍射峰峰位很接近,采用传统θ-2θ扫描X射线衍射方法很难获得Mo基底上TiH₂薄膜的较好的衍射峰形。本文采用XRD分析了Mo基底上TiH₂薄膜的残余应力,为获得足够的薄膜衍射信息,通过掠入射二维X射线衍射法消除了薄膜基底衍射信号对薄膜衍射峰的干扰影响。采用纳米压痕仪测得的TiH₂薄膜样品的弹性模量及TiH₂薄膜的（311）衍射晶面,利用掠入射二维X射线衍射法和侧倾法测定了TiH₂薄膜样品中不同深度范围的残余应力。测试结果表明,在TiH₂薄膜样品中,随着深度的增加,薄膜样品中的残余应力由张应力逐渐转变为压应力,且张应力和压应力均表现为呈椭圆形分布的正向应力。     

1.5 MeV He~+离子注入SI-GaAs制备太赫兹光电导天线

用1.5MeV He+离子注入半绝缘砷化镓晶体(SI-GaAs),以其为基体制成光电导天线。太赫兹时域光谱测量显示,以离子注入晶体为基体的光电导天线,其时域信号强度是未注入晶体的3倍,略强于以LT-GaAs晶体为基体的光电导天线,但拥有比LT-GaAs晶体为基体的光电导天线略宽的频谱宽度和相当的信噪比。实验结果表明,用1.5MeV He+室温注入SI-GaAs制备太赫兹光电导天线的最佳注量约为1×1016ions·cm-2。