用硅光电负阻器件产生光学双稳态

本文利用作者近期研制出的硅光电表面负阻晶体管（PNEGIT），首次提出并通过实验成功地实现了一种新的光学双稳态即以PNEGIT作为光输入器件，用它驱动一发光管（LED）作为光输出器件，由于PNEGIT具有负阻输出特性，致使LED输出光功率（POUt）一输入光功率（Pin）特性上出现光学双稳环．这种器件具有光开关、光逻辑、光存贮等多种功能，将为硅光电器件在光信息处理、光计算、光通讯等领域中的应用，开辟一条新途径     

微斑光电流谱和光反射谱的自动测量系统

叙述了为测量半导体光电器件的光电流谱和光反射谱所构成的自动测量系统及其数据处理方法。     

达林顿硅光电晶体管的光放大特性

通过提高达林顿硅光电晶体管的光电灵敏度,并用１２Ｖ,０．２５Ａ的小灯泡作为输出发光元件,在２６．５μＷ的红光照射下,器件可输出光电流１００ｍＡ以上,输出光功率为２０００μＷ。     

一种基于光电负阻器件的新型阈值可调光传感器

将硅光电负阻器件与发光二极管封装在一起，利用硅光电负阻器件的双稳和自锁特性，制成了一种新型的非线性阈值可调光传感器。研究表明，该光传感器不仅可实现对信号的光电耦合，还可实现设定阈值，比较判断和输出驱动等一系列信号处理功能；同时它结构简单，调整方便。     

光电双基区晶体管光控脉冲振荡器的实验研究

光电双基区晶体管（ＰＤＵＢＡＴ）是一种能产生“Ｎ”型光电负阻特性的新型光电负阻器件。通过对试制出的样管进行测试,发现ＰＤＵＢＡＴ在无外接电感的情况下即可发生脉冲振荡。脉冲振荡的频率和振幅均受到入射光强度的调制,即随光强的增大,振荡频率增加,振由减小。最后,对该器件的应用及发展前景进行了讨论。     

硅光学双稳态(SOB)器件

利用作者近期研制的硅光电表面负阻晶体管（PNEGIT）或光电“∧”双极晶体管（PLBT）两种硅光电负阻器件,提出并成功地实现了一种新型的硅光学双稳态器件。即以PNEGIT（或PLBT）作为光的输入器件,以其驱动一发光管（LED）作为光输出器件,由于PNEGIT和PLBT都具有光电负阻特性,致使在输出光功率（Pout）-输入光功率（Pin）特性上出现逆时针方向的光学双稳回线。这种器件具有光开关、光逻辑、光放大、光存贮、光眼福等多种功能,扩展了硅光电器件在光逻辑、光计算、光通讯等领域中的应用。     

MIS多晶硅太阳电池

本文对影响MIS多晶硅太阳电池效率的有关因素进行了分析,实验电池的转换效率达10.1％(100mW/cm~2,有效面积)。