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1.
文章归纳了2020年电子电路产业一些技术热点,主要有5G电路板设计和基材,制造方面半加成法、3D打印、直接金属化孔电镀和垂直互连结构等技术,以及集成电路封装载板技术。 相似文献
3.
最新IDC报告指出,全球2004年第一季度移动电话出货量较上年同期增长29.3%,达到1.527亿部,2004年开门伊始,全球的手机市场保持了强劲的增长,特别是在第一季度尽管——如预期地呈现出淡季效应,但可拍照彩屏手机的畅销,却使得主要手机厂商的出货量均比去年同期有所增长。但是成功吸引用户普遍关注 相似文献
4.
电流叠加型CMOS基准电压源 总被引:4,自引:0,他引:4
介绍了一种CMOS基准电压源,该电路由NMOS管阈值电压的温度系数及NMOS管迁移率温度系数形成温度补偿,产生低温度系数的基准电压。与传统的带隙基准比较而言,不需要三极管;另外,通过结构的改进,变成正负温度系数电流叠加型的基准电压源,可以按需要任意调节输出基准电压的值,而且可以同时提供多个基准电压。电流叠加型基准电压源电路已经在3μmCMOS工艺线上实现,基准电压源输出中心值在2.2 V左右,温度系数为80 ppm/℃。 相似文献
5.
CMOS折叠预放电路的失调是限制CMOS折叠结构A/D转换器实现高分辨率应用的主要原因之一.文中提出差分对的动态匹配技术改善了折叠预放电路的失调,从而为研制CMOS工艺中的高分辨率折叠结构A/D转换器提供了一种可行方案,并给出了MATLAB和电路仿真的实验结果. 相似文献
6.
介绍了平面结构的V波段变频器,该变频器采用平衡变频结构,变频电路主体为平面结构,同时采用了E面探针结构的波导微带转换作为射频信号输出,文中给出了该上变频器的电路软件仿真结果和实测结果以及E面探针波导微带转换的仿真和测试结果,最后给出了该上变频器的实物结构。 相似文献
7.
8.
用CMOS工艺实现非接触IC卡天线的集成化设计 总被引:2,自引:0,他引:2
论述了用CMOS工艺实现非接触式IC卡天线的集成化需要考虑的各个方面,建立了集成天线的模型,给出了合理的设计方案,并通过实验验证了模型和设计方案.实验结果表明,采用片上天线完全可以提供非接触式IC卡工作所需要的能量.在频率为2 2 .5 MHz、感应强度为6×10 - 4 T的磁场中,面积为2 m m×2 mm的集成天线可以为10 kΩ的负载提供1.2 2 5 m W的能量. 相似文献
9.
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