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采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO_2/pGaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO_2/GaAs异质结性能的影响,并分析其结晶取向、化学组分、膜层质量以及光电特性。结果表明,在退火时间2 h和退火温度693 K下能得到相变性能最佳的VO_2薄膜,相变前后电阻变化约2个数量级。VO_2/GaAs异质结在308 K、318 K和328 K温度下具有较好的整流特性,对应温度下的阈值跳变电压分别为6.9 V、6.6 V和6.2 V,该结果为基于VO_2相变特性的异质结光电器件的设计与应用提供了可行性。 相似文献
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6.
氧化锆(ZrO2)陶瓷材料具有质地轻、耐腐蚀、耐高温、力学性能优异等特点,应用非常广泛,一直受到许多研究者的广泛关注.综述了近年来国内外ZrO2陶瓷相变及稳定化研究现状,总结了添加稳定剂对ZrO2陶瓷性能的影响,探讨了ZrO2陶瓷的制备方法及工艺、掺杂改性、相变增韧等方面的研究现状,并展望了ZrO2陶瓷相变稳定化的未来研究方向. 相似文献
7.
摘要:设计了马氏体起始相变温度(Ms)以上和以下2个不同温度等温淬火试验,结合热膨胀仪、扫描电镜显微组织、X光衍射和拉伸试验等试验手段,研究了对比于Ms以上温度等温淬火试验,Ms以下等温淬火对中碳贝氏体钢相变、组织和性能的影响。结果表明,贝氏体相变可以发生在Ms温度以下,且其相变动力学被明显促进。相比于Ms以上温度等温淬火,Ms温度以下等温淬火虽然可以加速相变动力学,但导致强度和伸长率下降,因此降低了最终的力学性能。这主要是因为Ms温度以下等温淬火试样组织内部出现了大量的回火无热马氏体(AM)和少量的贝氏体和残余奥氏体(RA)。因此,Ms温度以下等温淬火热处理后的组织性能未必优于Ms温度以上等温处理后组织性能,这主要取决于具体的成分和工艺。 相似文献
8.
为了在THz波段获得TE波下的可调谐吸收频谱, 采用全波仿真的方法, 设计了一款基于二氧化钒材料的可调谐THz吸波器, 对该吸波器的吸收频谱、电场图、表面电流图以及能量损耗图进行分析, 并讨论了结构参量h4, k以及入射角度θ对吸收频域和吸收带宽的影响。结果表明, 通过外部温控的方式改变二氧化钒谐振单元的物理特性可以获得可调谐的吸收频谱并改善吸波器的吸收性能, 该吸波器在温度T≥68℃时, 可以实现在2.70THz~3.36THz频段的宽带吸收(吸收率在90%以上), 相对带宽达到21.8%;在T<68℃时, 可以实现多个单频点的吸收; 改变结构参量h4, k可以改变吸收频点的位置以及吸收带宽, 改变入射角度θ可以影响吸波器的吸收效果。该研究对可调谐太赫兹器件的进一步探究是有帮助的。 相似文献
9.
将正辛酸(OA)与癸酸(CA)按比例混合制备二元复合相变材料OA-CA,用于相变温度2~8℃的医药冷藏运输系统中。首先通过理论计算预测了二元混合物的共晶点,确定它的共晶点比例、相变温度及潜热值,然后围绕共晶点比例配制6种不同比例的混合物。结果表明:OA-CA的过冷度为0.4℃、共晶点质量比为71∶29、相变温度为1.7℃、相变潜热为122.1J/g、热导率为0.3231W/(m·K)。对OA-CA低温复合相变材料进行100次循环蓄放冷实验,发现其相变温度、潜热值、热导率均未发生明显变化。 相似文献
10.
利用热模拟实验机研究不同压缩变形温度下车用贝氏体钢的相变规律,并分析其相变动力学及组织演变。研究结果表明:经过中、低温变形处理的试样曲线表现为抛物线上升。经过300与500℃变形处理后,贝氏体的相变速率增大,形成了更多铁素体;在700与850℃下,试样中贝氏体含有的铁素体比例比未进行变形处理的试样更低。经过变形处理的试样中贝氏体的形核位置包括晶内的剪切带(SB)、奥氏体晶界(AGB)、贝氏体板条晶棱(GE);经回复处理后,晶内剪切带的缺陷数量也明显减少,降低了晶内贝氏体板条含量;经过低温变形处理可以使晶内的剪切带数量增加。试样进行等温处理生成了板条状贝氏体组织。经过低温变形的试样生成短粗状的贝氏体板条,当随变形温度升高后,铁素体板条的厚度不断减小。 相似文献