基于FPGA 的K 波段VCO 宽带线性校正

为解决K波段宽带线性校正器件复杂、成本高、调试难等问题,提出了一种基于FPGA的VCO开环线性校正方法.利用VCO电调特性的开环线性校正原理,采用FPGA控制D/A芯片对VCO的电调特性进行开环宽带线性校正,同时通过控制FPGA产生的时钟,产生任意时宽的线性调频连续波,并进行试验测试.测试结果表明:在带宽为400 MHz时的非线性度小于0.1%,开环线性校正实现方案简单、成本小,满足系统指标要求.     

基于V600ME14-LF的锁相环设计

介绍了一种基于S波段的VCO器件V600ME14-LF的锁相环的设计方案,并且已经在实践中实现了其主要功能;同时介绍了V600ME14_LF的主要性能和应用注意事项,V600ME14-LF器件可广泛应用在测试仪器和卫星通信等场合。     

低功耗低相位噪声4.8GHz CMOS压控振荡器芯片设计

采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺设计并实现了一个应用于无线传感器网络射频前端频率综合器的低功耗、低相位噪声4.8GHz电感电容压控振荡器.此振荡器的核心电路采用电流源偏置的互补差分负阻结构,降低了电路对电源电压变化的灵敏度和功耗.电感电容谐振腔采用了降低相位噪声的设计方法.在不恶化相位噪声性能的前提下,核...     

一种Ka波段低相噪GaAs HBT压控振荡器

本文研究了一种采用GaAs HBT工艺实现的工作在Ka波段的压控振荡器。该振荡器采用共射级组态和对称式电容电感谐振腔结构以降低其相位噪声,采用π型反馈网络补偿180°相移。在片测试结果表明：偏离中心频率1 MHz处相位噪声为-96.47dBc/Hz,调谐范围为28.312到28.695GHz,在-6V电源电压下该振荡器直流功耗为18mA,振荡器芯片面积为0.7mm×0.7mm。     

A 3.16–7 GHz transformer-based dual-band CMOS VCO

A dual-band, wide tuning range voltage-controlled oscillator that uses transformer-based fourth-order(LC) resonator with a compact common-centric layout is presented. Compared with the traditional wide band(VCO), it can double frequency tuning range without degrading phase noise performance. The relationship between the coupling coefficient of the transformer, selection of frequency bands, and the quality factor at each band is investigated. The transformer used in the resonator is a circular asymmetric concentric topology. Compared with conventional octagon spirals, the proposed circular asymmetric concentric transformer results in a higher qualityfactor, and hence a lower oscillator phase noise. The VCO is designed and fabricated in a 0.18- m CMOS technology and has 75% wide tuning range of 3.16–7.01 GHz. Depending on the oscillation frequency, the VCO current consumption is adjusted from 4.9 to 6.3 m A. The measured phase noises at 1 MHz offset from carrier frequencies of 3.1, 4.5, 5.1, and 6.6 GHz are –122.5, –113.3, –110.1, and –116.8 d Bc/Hz, respectively. The chip area, including the pads, is 1.20.62 mm2 and the supply voltage is 1.8 V.     

凌力尔特推出具集成型VCO的整数N频率合成器

凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出一个具集成型VCO的高性能整数N频率合成器系列中的首款器件LTC6946,该器件可提供-226dBc／Hz归一化闭环带内相位噪声、绝佳的274dBc／Hz归一化带内1／f噪声和103dBe杂散输出。在典型的900MHz应用中,这些性能特征有助...     

光激发单极畴与耿氏偶极畴的物理机制比较

对比了半绝缘多能谷光电导开关中光激发单极畴和耿氏器件中偶极畴的物理机制. 从产生机理、电场分布、电子浓度、生长和演变过程等多角度阐述光激发单极畴的特性. 与偶极畴显著不同的是,光激发单极畴内仅有光生电子积累层,没有正离子层;光激发单极畴与光生空穴之间产生了一个与外加电场反向的电场,使畴前电场增强,畴头部电子浓度最高;光激发单极畴生长过程可以一直持续下去,终因电子碰撞电离演变为发光畴,如果碰撞电离达到雪崩强度,将演变为雪崩发光畴. 最后,本文用光激发单极畴模型解释了光电导开关非线性工作模式的超快上升沿、发光电流丝、电流锁定现象等重要实验现象.     

基于准MMIC技术的12~18GHz宽带VCO

提出了一种基于准MMIC技术的Ku波段宽带压控振荡器.该电路采用MMIC芯片和外加高Q值的超突变结变容管的方式,实现了覆盖整个Ku波段的超宽带的振荡信号输出.通过将MMIC技术与混合集成技术相结合的方法,大大降低了调试难度,更重要的是,克服了通用pHEMT MMIC工艺难于兼容高Q值的变容管对超宽带设计VCO的限制,在相位噪声和调谐频率线性度方面都有较大改善.该方法为微波、毫米波压控振荡器的设计提供了一个新的途径.     

免调节压控振荡器

本文介绍一类新型集成电路,它们使应用于中频(IF)的固定频率压控振荡器(VCO)的设计更为紧凑、更为简单。