SAW滤波器WLP封装中腔体抗模压塌陷研究

通过对声表面波滤波器晶圆级封装结构的探讨,针对在模组封装时器件塌陷成因进行了有限元仿真模型研究,模拟了不同模压量对器件中腔体最大的塌陷量位置.经过实验验证,提出了一种新的金属加强结构,在3 MP a较高模压量时塌陷量几乎为0,解决了声表面波滤波器晶圆级封装芯片灌封压力导致的塌陷问题,降低了器件及模组失效风险,是一种声表...     

基于晶圆级封装技术的声表面波滤波器

描述了一种基于晶圆级封装的超小型声表面波滤波器,采用载板通孔的方式实现了从芯片到滤波器的输出,最终产品的尺寸和芯片尺寸一致,产品部分性能优于传统封装滤波器,为实现将声表面波滤波器和PA、开关等射频器件整合成为模块奠定了基础。     

适用于大批量晶圆和基底凸起工艺的焊球置放及印刷和回流焊技术

1前言 市场对于芯片级封装(CSP)的需求正在迅速增长,CSP封装是指封装器件的尺寸最多比芯片本身的尺寸大20%.晶圆级CSP是最普遍的芯片级封装形式之一,其焊料凸起或焊球直接沉积在硅晶的电阻接点上.     

声表面波器件晶圆键合工艺研究

声表面波器件向小型化、集成化、更高性能方向发展,需要制作复合单晶薄膜和采用晶圆级封装。该文针对关键工艺中的晶圆键合工艺开展研究,提出工艺要求,简述有关键合工艺要求和设备特点,并进行了金属键合工艺验证。实验证明,设备和工艺能满足产品封装要求。     

声表面波器件的封装技术及其发展

目前各种声表面波器件的工作频率涵盖30MHz到3000MHz的频率范围,其封装形式主要有塑料封装、金属封装(如F11、TO-39)和sMD封装。在本文中,作者对声表面波器件的这三种主要封装形式对声表面波器件电传输性的影响作了系统的实验研究与分析,并论述了声表面波器件在封装方面的现状及其发展趋势。     

微系统与中规模器件的封装技术设计

文章主要论述了微机电系统(MEMS)和微系统诸如微传感器、驱动器和微流体元件的电机封装技术、封装等级和封装技术相关的问题.首先陈述并讨论了典型的MEMS产品诸如微压传感器、加速度计和微泵;微电子封装和微系统封装技术,重点阐述芯片级封装技术和器件级封装技术问题.芯片级封装技术主要涉及芯片钝化、芯片隔离和芯片压焊;器件级封...     

MEMS中的封装技术研究

MEMS中的封装工艺与半导体工艺中的封装具有一定的相似性,因此,早期MEMS的封装大多借用半导体中现成的工艺.本文首先介绍了封装的主要形式,然后着重阐述了晶圆级封装与芯片级封装[1].最后给出了一些商业化的实例.     

一种声表面波器件的新型晶圆级封装技术

总结了声表面波(SAW)器件传统封装技术中存在的问题,提出了一种SAW器件新型晶圆级封装技术。采用一种有机物干膜,分别经两次压膜、曝光和显影完成了对SAW芯片在划片前的封装,并用实验进行了验证。实验结果表明,本技术具有在不改变叉指换能器(IDT)质量负载的情况下同时具备吸声的功能,改善器件的带外抑制能力,增强了产品的一致性和可靠性。本技术在SAW器件的封装方面有广阔的应用前景。     

2004年IC封装业的技术发展趋向

总部设在新加坡的品圆封装代工公司IPAC表示，在2004年要加强集成电路的晶圆级封装(WLP)的业务，引进先进技术和提供包括晶圆凸点、整合、测试等服务。IPAC将使用先进互连解决方案(AIS)公司拥有的专利技术TCSP制程。TCSP是纯芯片级封装制程的简称，它的封装尺寸等于芯片级尺寸，而且大部分封装制程在晶圆加工阶段完成，使每块芯片的封装成本显著降低。     

MEMS中的封装技术研究

MEMS中的封装工艺与半导体工艺中的封装具有一定的相似性 ,因此 ,早期MEMS的封装大多借用半导体中现成的工艺。本文首先介绍了封装的主要形式 ,然后着重阐述了晶圆级封装与芯片级封装[1] 。最后给出了一些商业化的实例     

方形扁平无引线QFN封装的研究及展望

方形扁平无引线(QFN)封装是方形扁平封装(QFP)和球栅阵列(BGA)封装相结合发展起来的先进封装形式,是SMT技术中产品体积进一步小型化的换代产品.讨论了QFN技术的改进及工艺自动化发展进程,指出其必将成为半导体器件高端主流封装形式之一.     

大功率LED用封装基板研究进展

LED被称为第四代照明光源及绿色光源,近几年来该产业发展迅猛.由于LED结温的高低直接影响到LED的出光效率、器件寿命和可靠性等,因此散热问题已经成为大功率LED产业发展的瓶颈.文章阐述了大功率LED基板的封装结构和散热封装技术的发展状况,从基板的结构特点、导热性能及封装应用等方面分别介绍了金属芯印刷电路基板、覆铜陶瓷...     

表面贴装声表器件封装失效及其分析

随着声表面波器件日益广泛的应用,声表面波器件的封装尺寸越来越小,封装的难度越来越大,封装过程可能带来的失效问题也越来越多。文章简单介绍了声表面波器件封装形式的变化,论述了表面贴装声表面波器件的封装工艺过程和失效分析的基本概念,并对表面贴装声表面波器件的封装工艺过程中几种主要的失效模式展开分析,促使我们在表面贴装声表面波器件的封装工艺过程加强工序过程的控制,从而提高表面贴装声表面波器件的可靠性,更好地满足顾客的需要。     

基于HCT-FEM和3D电磁模型的SAW滤波器性能仿真系统

该文基于分层级联有限元(HCT-FEM)和三维电磁模型构建了一套声表面波(SAW)滤波器性能仿真系统。采用Matlab协同COMSOL建立的HCT-FEM模型计算声学元件导纳,用ANSYS建立的三维电磁模型计算含芯片走线、引线/金属球、封装外壳及测试电路的外部电磁S参数,并在ADS软件中对SAW滤波器频率响应进行复原。将该系统应用于一款芯片级封装(CSP)的普通SAW滤波器和一款表贴封装(SMD)的单晶薄膜SAW滤波器电性能仿真,仿真与实测结果吻合较好。     

IC封装中键合线传输结构的仿真分析

随着高频高速集成电路制造工艺的不断进步,电子封装技术的发展也登上了一个新高度。作为微电子器件制造过程中的重要步骤之一,封装中的传输线、过孔、键合线等互连结构都可能对电路的性能产生影响,因此先进的集成电路封装设计必须要进行信号完整性分析。介绍了一种键合线互连传输结构,采用全波分析软件对模型进行仿真,着重分析与总结了键合线材料、跨距、拱高以及微带线长度、宽度五种关键设计参数对封装系统中信号完整性的影响,仿真结果对封装设计具有实际的指导作用。     

基于有限元分层级联技术SAW滤波器精确计算

针对任意复杂结构声表面波(SAW)器件精确快速分析及其内部多物理场耦合效应的精确表征问题,该文在充分考虑SAW器件实际存在的各种影响因素下,采用有限元分层级联算法推导出有限长结构SAW器件的有限元数学模型。基于全波仿真技术,考虑管座及键合线等封装模型电磁效应,对漏波型42°Y-X LiTaO₃温度补偿型声表面波(TC-SAW)器件进行计算,通过与实验结果对比,验证了计算模型的精确性,为高性能SAW器件的精确快速设计提供了支撑。     

一种新型声表面波器件封装技术

声表面波器件表贴封装一直存在着技术难点,因成品率低,难以实现批量生产。通过多次实验,使用新型声表面波器件封装技术制定工艺流程,最终采用减少温度梯度,通过在环氧树脂中加入无机添加剂来降低内应力的方法,有效解决了难点问题,为批量生产打下了基础。     

毫米波有源相控阵天线技术

概述了毫米波技术在雷达探测及通信领域中的应用优势、使用场景以及未来的技术发展趋势,并着重对其技术实现面临的难点进行分析。同时,针对应用需求和技术特征的不同,介绍了满足各类应用的毫米波相控阵技术发展的不同技术路线,对其中涉及的架构、天线单元、器件和封装集成等主要关键技术进行了阐述,力图从总体上对其技术体制、应用情况和发展趋势进行科学分析和归纳,为毫米波相控阵天线技术的发展提供借鉴。     

基于挠性基板的高密度IC封装技术

挠性印制电路技术迅速发展,其应用范围迅速扩大,特别是在IC封装中的应用受到人们的广泛关注。挠性印制电路在IC封装中的应用极大地推动了电子产品小型化、轻量化以及高性能化的进程。针对具体应用对象,文章分别介绍了挠性基板CSP封装、COF封装以及挠性载体叠层封装的基本工艺、关键技术、应用现状及发展趋势,充分说明了挠性印制电路和高密度布线对高密度IC封装的适用性。基于挠性基板的IC封装技术将会保持高速的发展,特别是挠性叠层型SIP封装技术具有广阔的应用前景。