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运用XPS和AES研究了PZT膜/Si在热处理过程中的薄膜及界面化学反应;在热处理过程中,气氛中的气通过PZT的缺陷通道扩散到PZT/Si同旧,并与界面上的硅发生氧化反应形成SiO2界面层。同时基底上的硅通过PZT的缺陷扩散么样品表面形成SiO2表面层。此外,在PZT/Si界面上,Ti的氧化物和Si发生还原反应,形成了TiSix金属硅化物,并残留在PZT膜层和和SiO2界面层中。在PZT膜层内,有 相似文献
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运用XPS和AES研究了Pt扩散阻挡层对PZT薄膜/Si界面休学结构和性能的影响:在PZT薄膜和Si工间增加Pt扩散阻挡层,可以抑制TiCx物种和TiSix物种的形成,促进PZT薄膜的形成反应。Pt扩散阻挡层的存在阻断了氧和Si的相互扩散反应,促进PZT物种形成钙钛矿型晶体结构,使得形成的PT薄膜具有和体相材料相摈 电常数和铁电性能。 相似文献
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PZT/Si界面氧化反应机理及动力学研究 总被引:1,自引:0,他引:1
运用俄歇电子能谱深度剖析和线形分析研究了PZT/Si界面氧化反应的机理和动力学过程,研究结果表明,在PT/Si样品的热处理过程中,环境气氛中的氧可以透过PZT薄膜层扩散到PT/Si界面,并与硅基底反庆形成SiO2界面层,界面氧化反应由氧在PT层和SiO2层中的扩散过程所控制。 相似文献
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用溶胶—凝法制备锆钛铅铁电薄膜:1994年7月1日收到,8月20日修回 总被引:1,自引:0,他引:1
利用溶胶-凝胶法在镀铂硅片上制备了PZT铁电薄膜,利用XRD、SEM和TEM观察了PZT薄膜的组成与形貌,测定了PZT薄膜的电学性能。防防止薄膜发生龟裂,在前体溶液中加入了干燥控制化学添加剂,并采用慢速变温的热处理过程,PbTiO3过渡层保证了PZT薄膜晶完好。 相似文献
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用溶胶-凝胶法制备了PZT压电薄膜,研制了Au/PZT/PT/TiO2/NiTi/Si(100)多层膜结构,用XRD,AFM,TEM-EDX和SAD技术考察了薄膜的表面形貌,相结构演化,以及面的元素分布特性。结果表明:PZT膜与NiTi合金膜的结合良好,稳定;PT层的引入,使无定型PZT薄膜在550℃退火后,转变为钙钛矿结构,降低了晶化温度,并有效地抑制焦碌石相的形成;NiTi薄膜结晶良好;TiO 相似文献
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用脉冲激光淀积方法在Pt/TiO2/SiO2/Si(001)衬底上制备了掺Ta的PZT薄膜,此薄膜显示了理想的铁电性。漏电流特性表明这种异质结构中Schottky场发射机制起主要作用。扫描电镜形貌照射表明PZT薄膜结晶很好并且异质结构界面无明显扩散。 相似文献
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本文用无机锆盐代替锆的醇盐,研究了溶胶-凝胶技术制备锆钛酸铅(简称PZT)铁电薄膜的热处理工艺、结构和电性能。研究结果表明,在Si单晶基片上制备的PZT薄膜为钙钛矿型结构的陶瓷薄膜,其晶粒细小、致密,且具有良好的铁电性能,适合于制备铁电存贮器。 相似文献
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用ArF脉冲准分子激光在SOI和Pt/SOI衬底上沉积了Pb(Zr,Ti)O_3铁电薄膜,并用快速退火进行热处理。x射线衍射、卢瑟辐背散射等分析表明:所结晶的薄膜是以(100)和(110)为主要取向的多晶膜,且结晶情况与热处理温度和时间密切相关;PZT薄膜呈现铁电性,其剩余极化Pr=15μc/cm ̄2,矫顽电场Ec=50kV/cm;并且具有较高的介电常数和较高的电阻率。 相似文献
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用ArF脉冲准分子激光在SOI和Pt/SOI衬底上沉积了Pb(Zr,Ti)O3铁电薄膜,并用快速退火进行热处理。X射线衍射,卢瑟辐背散射等分析表明:所结晶的薄膜是以(100)和(110)为主要取向的多晶膜,且结晶情况与热处理温度和时间密切PZT薄膜呈现铁电性,其剩余极化Pr=15μc/cm^2,矫顽电场Ec=50kV/cm;并且具有较高的介电常数和较高的电阻率。 相似文献
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