首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
化学法制备的PTCR型(Sr,Pb)TiO3半导体陶瓷   总被引:2,自引:1,他引:1  
采用化学共沉淀法制备(Sr1-xPbx)TiO3粉末,在60~220°C间获得了五种居里温度的PTCR型(Sr,Pb)TiO3陶瓷。实验结果表明,材料室温电阻率低于20Ωcm,升阻比高于105.5。文中还给出了(Sr,Pb)TiO3铁电体的四方→立方相转变温度(居里温度)、晶胞参数等一系列随Pb/Sr比变化的材料性质。  相似文献   

2.
(Pb0.5Sr0.3Cu0.2)Sr2(Ca0.6Sr0.4)2Cu3Oy(简称“Pb”-1223)是一维无公度调制结构[1],超空间群是Pmmm(ν01/2)[2]。其基本结构的晶胞参数a=b=0.382nm,c=1.53nm,调制波矢为:q=0...  相似文献   

3.
La2O3-PbO-SrO-CuO四元系超导材料中的新相蒋华车广灿#李方华(中国科学院物理研究所,#中国科学院物理研究所国家超导实验室,北京100080)本文报道了La2O3-PbO-SrO-CuO四元系超导材料的透射电子显微镜研究,发现该材料有一种...  相似文献   

4.
研究了Cr2O3作为改性添加剂对(PbSm)(TiMn)O3系压电陶瓷介电及压电性能的影响.实验表明,添加适量的Cr2O3能得到压电性能好、压电各向异性大、压电稳定性高的优良材料,其kt=45%~50%,kt/kp=15~18,TCft3=-0.8~-6ppm/℃.因此,在研究、开发高性能压电材料过程中,Cr2O3不失为一种优良的改性材料.  相似文献   

5.
掺Y3+的TiO3系V型PTC材料制备工艺研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
以(Sr,Pb)TiO3为主要原料,以Y2O3为掺杂剂制备样品,论述了(Sr,Pb)TiO3系V型PTC材料的制备工艺要点,确定了掺杂剂的最佳掺量,并对其半导机理进行了分析。  相似文献   

6.
涡街流量计用压电陶瓷材料的研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
姜胜林  龚树萍 《压电与声光》1996,18(3):204-206,216
在分析Pb(Ti,Zr)O3+BiFeO3+Sr(Cu1/3Nb2/3)O3以及Pb[(Zn1/3Nb2/3)(Ti,Zr)]O3系列压电性能的基础上,通过调整系统中的锆钛比,得到压电性能参数满足要求的涡街流量计用压电陶瓷材料。  相似文献   

7.
(Sr,Pb)TiO3的自燃烧合成及性质   总被引:1,自引:0,他引:1  
用自燃烧法合成了/单相(Sr,Pb)TiO3,用TG、DTA、XRD、TEM等手段分析了干凝胶自燃烧的反应过程,测量了粉末的晶粒尺寸,测试了(Sr,Pb)TiO3的居里温度。结果表明,自燃烧法合成的(Sr,Pb)TiO3陶瓷粉末的晶化温度为418℃。在500~700℃分别煅烧燃烧灰烬1h,得到晶化的微细均匀的陶瓷粉末。500℃的煅烧产物为主相,一次颗粒约为30nm,其他温度煅烧的产物均为中方相,一  相似文献   

8.
通过对PbMe(Ca_(1/4)Mn_(1/4)Nb_(1/2))_xTi_yZr_zO_3系材料的研究,并以Sr ̄(2+)、Mg ̄(2+)等价取代Pb ̄(2+),以CeO_2作为添加改性剂,研制出机电耦合系数高(k_p=0.62)、机械品质因数高(Q_M=2036)、机械强度高(抗张强度为442MPa)、经时稳定性好的适用于大功率超声清洗换能器的压电材料。  相似文献   

9.
PZN—PNN——PZT体系压电陶瓷   总被引:6,自引:3,他引:3  
蔡晓峰 《压电与声光》1998,20(4):242-244,262
对PZN-PNN-PZT四元素统压电陶瓷组成与性能的关系进行了研究。通过Ca、Sr、Ba等元素对部分Pb的转换以及用Li2CO3、Sb2O3等适当掺杂改性,可获得相对介电常数ε33/ε0约7000,压电应变常数d33约800pC/N,机电耦合系数kp约0.65的一系列高性能压电陶瓷,是用于制作压电超声马达及各类高档压电电声器件的良好材料。  相似文献   

10.
适量掺入MgF2.SrF2有效地降低了0.85PZN(Pb(Zn1/3Nb2/3)O3)-0.15BT(BaTiO3)材料的烧结温度并得到了介电常数-温度特性接近于X7R特性标准的瓷料,在很宽的温度范围内出现了双介电常数峰。这种现象可从材料的纳米结构出发,用超顺电态的概念来描述。  相似文献   

11.
利用ArF准分子脉冲激光沉积工艺在Pt/SiO2/Si衬底上制行了Pb(Zr52Ti48)O3(PZT)薄膜。并用X射线衍射分析方法研究了不同后续热处理对薄膜相组成和相结构转变的影响。  相似文献   

12.
溶胶半导化工艺制备(Sr,Pb)TiO3系热敏电阻材料   总被引:1,自引:0,他引:1  
用溶胶-凝胶法制取了钇(Y)掺杂剂溶胶。利用Y溶胶添加剂对钛酸锶铅V型正温度系数材料进行了半导化。为便于比较,制备了具有不同含量Y溶胶添加剂及Y2O3固相氧化物的(Sr0.5,Pb0.5)TiO3样品。实验结果表明,Y溶胶作为半导化添加剂优于Y2O3固相氧化物,它能改善(Sr,Pb)TiO3系陶瓷的各项性能。通过Y溶胶添加剂所制备的(Sr0.5,Pb0.5)TiO3样品的最小电阻率为2.90×102Ω·cm,其Y溶胶引入量r(Y)为0.45%。  相似文献   

13.
为了改进0.02Pb(Y1/2Nb1/2 )O3-yPbTiO3-(1- 0.02- y)PbZrO3 系压电陶瓷的电学性能和力学性能,作者研究了多种常用添加物对0.02Pb (Y1/2Nb1/2 )O3 -yPbTiO3 -(1- y- 0.02)PbZrO3 三元系压电陶瓷性能的作用, 探讨了不同烧结温度对材料性能的影响。实验结果表明, Sr2+ 和Ba2+ 作为同价取代元素能够提高0.02Pb(Y1/2Nb1/2 ) O3 -yPbTiO3 -(1- 0.02- y) PbZrO3 系材料的机电耦合系数(kp、k33 、kt)、介电常数和压电系数, 降低机械品质因数Qm ; Li+ 、Cr3+ 、Mn2+ 、Ni3+ 、Fe3+ 等金属离子加入0.02Pb (Y1/2Nb1/2) O3-yPbTiO3-(1- 0.02- y) PbZrO3 会提高材料的机械品质因数, 同时也会损害介电、压电性能, 降低弹性柔顺系数, 体现了硬性添加物的一般特性; 退火对0.02Pb (Y1/2Nb1/2) O3 -yPbTiO3- (1- 0.02- y) PbZrO3 压电材料性能有促进作用。  相似文献   

14.
为了改进0.02Pb(Y1/2Nb1/2 )O3-yPbTiO3-(1- 0.02- y)PbZrO3 系压电陶瓷的电学性能和力学性能,作者研究了多种常用添加物对0.02Pb (Y1/2Nb1/2 )O3 -yPbTiO3 -(1- y- 0.02)PbZrO3 三元系压电陶瓷性能的作用, 探讨了不同烧结温度对材料性能的影响。实验结果表明, Sr2+ 和Ba2+ 作为同价取代元素能够提高0.02Pb(Y1/2Nb1/2 ) O3 -yPbTiO3 -(1- 0.02- y) PbZrO3 系材料的机电耦合系数(kp、k33 、kt)、介电常数和压电系数, 降低机械品质因数Qm ; Li+ 、Cr3+ 、Mn2+ 、Ni3+ 、Fe3+ 等金属离子加入0.02Pb (Y1/2Nb1/2) O3-yPbTiO3-(1- 0.02- y) PbZrO3 会提高材料的机械品质因数, 同时也会损害介电、压电性能, 降低弹性柔顺系数, 体现了硬性添加物的一般特性; 退火对0.02Pb (Y1/2Nb1/2) O3 -yPbTiO3- (1- 0.02- y) PbZrO3 压电材料性能有促进作用。  相似文献   

15.
Bi1.7Pb0.4Sr2-xLaxCuO6-δ体系的调制结构陆斌*毛志强*张裕恒*李方华*#(*中国科技大学结构分析开放研究实验室,合肥230026#中国科学院物理研究所)本文报道了名义组份为Bi1.7Pb0.4Sr2-xLaxCuO6-δ(x=0...  相似文献   

16.
适量掺入MgF_2·SrF_2有效地降低了0.85PZN(Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3)-0.15BT(BaTiO_3)材料的烧结温度并得到了介电常数-温度特性接近于X7R特性标准的瓷料。在很宽的温度范围内出现了双介电常数峰。这种现象可从材料的纳米结构出发,用超顺电态的概念来描述。  相似文献   

17.
MnO对改性钛酸铅陶瓷压电性能的影响   总被引:9,自引:0,他引:9  
MnO对Pb_(1-x)Sr_x[(Sb_(1/2)Nb_(1/2))_yTi_(1-y)]O_3改性钛酸铅压电陶瓷兼有“软性”和“硬性”改性作用。实验表明,添加适当的MnO可以得到介电常数εr=240,机电耦合系数是kt=248.5%,机械品质因数Qm=1500,居里温度Tc=435℃的高稳定性压电陶瓷材料。该材料在高温及高频器件的应用方面有重要的应用价值。  相似文献   

18.
Sol-Gel法制备的铁电薄膜和Pt/Ti下电极的反应离子刻蚀技术   总被引:4,自引:0,他引:4  
为制备A1/PZT/Pt/Ti电容,研究了采用SF6/Ar等离子体对Pb(Zr,Ti)O3及Pt/Ti底电极进行反应离子刻蚀(RIE)的技术.较系统地研究了RF功率,SF6/Ar流量比及气压对刻蚀速率的影响,找到了对PZT及Ti进行RIE的优化工艺条件.在不同的条件下得到对PZT的刻蚀速率为2~7nm/min;采用纯Ar气体时Pt的刻蚀速率为2~6nm/min;对于Ti可用HCl及H2O2溶液进行腐蚀  相似文献   

19.
采用X射线、SEM等分析手段,通过实验研究了以(Sr,Pb,Ca)TiO3复合钙钛矿为基的中高压介质瓷中,Pb、Bi2O3·nTiO2含量(摩尔分数),n值大小及MnCO3添加剂等因素对其微观结构及性能的影响规律。适当调节Pb含量,可获得一系列不同温度系数的高介低损耗瓷料;Bi203·nTiO2含量及n值均存在优值;适量MnCO3作添加剂有利于介质损耗降低和介电常数温度系数的优化,室温介电常数会随其加入量的增加而降低。研制出εr=2000,tgδ≤0.005.试样|△C/C|≤10%,综合性能好的中高压瓷料。  相似文献   

20.
对通过Sol-gel工艺制备的PbTiO3薄膜在Ar^+溅射前后作了XPS全扫描和窄扫描测量,结果表明,除了薄膜原始表面有化学吸附氧和污染碳外,薄膜中没有残余的单质碳或其他杂质元素存在,薄膜的元素组成与化学计量比一致,薄膜表面无富集Pb。各元素的化学状态证实薄膜系PbTiO3钙钛矿型结构,Ar^+溅射引起Pb择优溅射和化合物分解,以致Ar^+溅射后薄膜表面元素组成与化学状态严重偏离薄膜体内层的真实  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号