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评述了制备纳米级掺杂超晶格材料的MBE技术,给出了材料性能和器件研制结果。从微结构设计出发,研究了平面掺杂GaAs/Al(Ga)As超晶格结构二维电子气有关性质,实验研究取得了重要的进展。 相似文献
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高质量GaAs—AlGaAs材料MBE生长研究及其应用 总被引:2,自引:1,他引:1
通过对分子束外延中影响GaAs、AlGaAs材料生长的一些关键因素的分析,实验与研究,得到了具有很好晶格完整性和高质量电学,光学特性的GaAs、AlGaAs单昌材料,实现了75mm大面积范围内的厚度,组分和掺杂等的很好均匀性。研制了高质量的GaAs/AlGaAs量子阱超晶格材料,并应用于量子阱激光器材料的研制,获得了具有极低值电流密度低内损耗,高量子效率的高质量量子阱激光器外延材料。 相似文献
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GaAs/Al_0.33Ga_0.67As短周期超晶格中能带不连续性随压力的变化 总被引:1,自引:0,他引:1
利用高压光致发光方法在液氮温度下和0—35kar的压力范围内对不同层厚的GaAs/Al0.33Ga0.67As短周期超晶格以及具有相近组份的Al0.3Ga0.7As体材料进行了系统的研究.测得Al0.3Ga0.7As体材料的Γ谷和X谷的压力系数分别为8.6meV/kbar和-.57meV/kbar.在一定的压力范围内同时观测到了短周期超晶格中与类Γ态和类X态相关的发光峰,从而得到了类Γ态能级和类X态能级随压力的变化关系.首次获得了有关GaAs/Al0.33Ga0.67As短周期超晶格能带不连续性(包括价带 相似文献
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我们研究了掺杂耦合GaAs/AlAs超晶格的级联隧穿,在这种结构中,AlAs层X能谷中的基态能级位于GaAs层中Γ能谷的基态(E(Γ1);)和第一激发态(E(Γ2))能级之间.实验结果证明,这种超晶格中的高电场畴是由Γ-X级联共振隧穿所形成的,而不是通常的相邻量子阱子带的级联共振隧穿所形成的.在这种高场畴中,电子从GaAs量子阱的基态隧穿到邻近的AlAs层的X能谷的基态,然后通过实空间电子转移从AlAs层的X能谷弛豫到下一个GaAs量子阱的Γ能谷的基态. 相似文献
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我们研究了掺杂耦合GaAs/AlAs超晶格的级联隧穿,在这种结构中,AlAs层X能谷中的基态能级位于GaAs层中Г能谷的基态(EГ1)和第一激发态(EГ2)能级之间,实验结果证明,这种超晶格中的高电场畴是由Г-X级联共振隧穿所形成的,而不是通常的相邻量子阱子带的级联共振隧穿所形成的,在这种高场畴中,电子从GaAs量子阱的基态隧穿到邻近的AlAs层的X能谷的基态,然后通过实空间电子转移从AlAs层的 相似文献
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采用进口分子束外延设备生长了GaAs/AlGaAs单量子阱和多量子阱材料。在理论分析和实验总结的基础上,对材料结构进行了优化,增加了GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层来进行缺陷抑制,并在外延时精确地控制生长,这样获得的量子阱材料通过X射线双晶衍射和C-V测量表明:得到的材料性能良,为新型光电器件的制作和进一步的材料研究打下了基础。 相似文献
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采用分子束外延技术生长了GaAs/AlGaAs单量子阱得多量子阱材料。采用GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷,获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器。波长为778nm的激光器,最低阈值电流为30mA,室温下线性光功率大于20mW。 相似文献
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MOCVD生长碳掺杂GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器 总被引:2,自引:2,他引:0
利用低压金属有机金属化合物气相沉积方法,以液态CCl,为掺杂源生长了高质量C掺杂GaAs/AlGaAs材料,并对生长机理、材料特性以及C掺杂对大功率半导体激光器的影响进行了分析。在材料研究的基础上生长了以C为P型掺杂剂的GaAs/AlGaAs/InGaAs应变量子阱半导体激光器结构,置备了高性能980nm大功率半导体激光器。 相似文献
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三种材料构成的超晶格能带结构研究 总被引:2,自引:0,他引:2
对由GaAs,Al0.21Ga0.79As及AlxGa1-xAs(x由0.0~0.21之间变化)三种材料构成的超晶格能带结构进行了研究。结果发现:如果超晶格单胞对其中点不具有对称性,对应自旋向上和向下的能带,此时发生了劈裂.并且由于材料不对称分布引起的劈裂比由于几何尺寸不对称引起的劈裂大。劈裂主要发生在重、轻空穴带相互作用较大的地方。 相似文献
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InGaAs/InP超晶格材料的GSMBE生长研究 总被引:2,自引:2,他引:0
在国产第一台CBE(Chemicalbeamepitaxy)设备上,用GSMBE(Gassourcemolecularbeamepitaxy)技术在国内首次研究了InGaAs/InP匹配和应变多量子阱超晶格材料的生长,用不对称切换方法成功地生长了高质量的匹配和正负应变超晶格材料,并用双晶X-射线衍射技术对样品进行了测试和分析.结果表明,我们在国产第一台CBE设备上用GSMBE技术采用非对称切换方法生长的超晶格材料质量很好. 相似文献
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本用低压金属有机气相外延技术和四溴化碳作为掺杂源生长重掺碳GaAs:C.由于采用了较高衬底温度,GaAs:C的空穴迁移率比相同空穴浓度条件下,用铍、锌等常用p型掺杂原子生长的GaAs高;中还分析了由于重掺碳引起的晶格收缩。 相似文献
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InGaAs(P)/InP应变量子阱和超晶格的光电性质 总被引:1,自引:0,他引:1
利用低压金属有机化合物化学汽相沉积(MOCVD)生长技术在InP衬底上生长InGaAs/InP应变量子阱,超晶格和InGaAsP/InP量子阱结构材料,利用77K光荧光(PL)测量这一应变量了阱和量子阱的光学性质,利用双晶X光测量应变超晶格的性质。 相似文献
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本文在p-i-n结构的InGaAs-GaAs应变层短周期超晶格的调制光反射谱中观察并确认了超晶格微带电子的Franz-Keldysh振荡,通过对Franz-Keldysh振荡的分析,推算出超晶格区内建电场大小;讨论了内建电场对超晶格微带电子的影响,最后指出Franz-Keldysh振荡可以作为检验短周期超晶格样品质量的一种手段。 相似文献
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利用低压金属有机化合物汽相淀积方法,以液态CCl4为掺杂源生长了高质量的碳掺杂GaAs/AlGaAs外延材料,研究了CCl4流量、生长温度和Ⅴ/Ⅲ比等因素对外延材料中的碳掺杂水平的影响.采用电化学CV方法、范德堡霍耳方法、低温光致发光谱和X射线双晶衍射回摆曲线测量等方法对碳掺杂外延材料的电学、光学特性进行了研究.实验制备了空穴浓度高达1.9×1020cm-3的碳掺杂GaAs外延材料和低温光致发光谱半宽小于5nm的高质量碳掺杂Al0.3Ga0.7As外延层.在材料研究的基础上,我们以碳为P型掺杂剂生长了Ga 相似文献