改进达林顿管输出特性的措施

单片功率达林顿器件既保持了分立器件的高耐压、大电流、高功率容量的优点,又是一种简单的功率集成。为了提高其热稳定性及改善输出特性,R_1及R_2的选取是十分重要的。本文着重介绍了一种方法:采用双次P扩散和对T_1、T_2管隔离的办法,利用基区薄层电阻作为R_1,从而提供了一种可以独立控制电阻R_1的办法,工艺上很容易实现,R_1的一致性又非常好,全部控制在5kΩ以上,I_c达10A时,I_b注入<0.2mA即可开启。     

高精度恒流源的设计与制作

恒流源在现代检测计量领域中发挥了极其重要的作用。通过对恒流源的工作原理和设计方法进行研究,对现有的恒流源设计方案进行对比,设计出毫安级高精度可调恒流源。电路由基准电压源、比较放大器、调整管、采样电阻等部分构成,具体的工作过程:通过采样电阻把输出电流转变成电压,反馈给比较放大器输入端,再与基准电压相比较,放大器把误差电压放大后去控制调整管的内阻对输出电流进行调整、维持输出电流恒定。采用基本没有温度漂移的精密电阻作为采样电阻,功率达林顿管作为调整管,实现高精度的目的。比较放大器的输入电压可调,从而实现恒流源的可调。用高精度电流表对输出电流进行检测,实现对恒流源输出进行实时监测。此次所设计的恒流源具有精度高、结构简单、工作稳定、操作方便、成本低廉等优点。     

星载单粒子锁定检测恢复电路设计与实现

星载产品中CMOS器件受单粒子影响发生锁定现象。未避免器件发生单粒子锁定而烧毁,设计实现了星载单粒子锁定检测恢复电路。电路由电流检测放大电路、ADC采集电路、MOSFET开关电路和锁定判断处理电路组成。电路有效解决了大电流、不同器件、不同工作状态下抗单粒子锁定。     

160W／20A,NPN／PNP型硅功率达林顿对管研制

本文通过１６０ＯＷ／２０Ａ、ＮＰＮ／ＰＮＰ功率达林顿对管的研制，介绍ＦＨ３０９１ＲＨ３１０处延平面达林顿对管基本设计考虑，研制主要难点，采取的主要措施，研制结果与应用。     

驱动电路的安全性设计

大电流设备在生产中承担着重要的作用,其驱动电路是否安全关系重大,文章从驱动器件的选择、驱动方案的比较、抗干扰措施及智能控制几个方面对驱动电路的安全性设计问题进行了阐述,并给出一个实例进一步展开说明.     

VDMOS功率场效应器件的设计与研制

VDMOS功率场效应器件是八十年代迅速发展起来的新型功率器件,由于它比双极型功率器件具有许多优良性能:如高输入阻抗、低驱动电流、开关速度快、工作频率高、具有负的电流温度系数、热稳定性好,安全工作区大,没有二次击穿及高度线性的跨导等,已广泛地应用于各种电子设备中,如高速开关电路、开关电源、不间断电源、高功率放大电路、高保真音响电路、射频功放电路、电力转换电路、电机变频调速、电机驱动、固体继电器、控制电路与功率负载之间的接口电路等。     

大功率BUCK变换器电压电流尖峰的分析及抑制措施

在大功率Buck变换器中电路工作于高频开关状态,由于实际线路的寄生参数和器件的非理想特性的影响,开关器件两端会出现过高的电压和电流尖峰,严重地降低了电路的可靠性。本文详细分析了两种尖峰产生的原因和危害,有针对性地提出了几种RCL缓冲电路,并给出了电路各参数的分析和设计方法。仿真和使用结果证明了该缓冲电路具有良好的软开关效果,对于主开关管的电压尖峰和电流尖峰具有较强的抑制作用。     

大功率BUCK 变换器电压电流尖峰的分析及抑制措施y

摘要: 在大功率Buck 变换器中电路工作于高频开关状态, 由于实际线路的寄生参数和器件的非理想特性的影响, 开关器件两端会出现过高的电压和电流尖峰, 严重地降低了电路的可靠性。本文详细分析了两种尖峰产生的原因 和危害, 有针对性地提出了几种RCL 缓冲电路, 并给出了电路各参数的分析和设计方法。仿真和使用结果证明了 该缓冲电路具有良好的软开关效果, 对于主开关管的电压尖峰和电流尖峰具有较强的抑制作用。     

一种f_t为176GHz、大电流多指结构的InGaAs/InP异质结双极晶体管

针对毫米波电路对大电流、高截止频率器件的要求,利用平坦化技术,设计并制作成功了结构紧凑的四指合成InGaAs/InP异质结双极晶体管.实验结果表明发射极的宽度可减小到1μm.Kirk电流可达到110wA,电流增益截止频率达到176GI-Iz.这种器件有望在中等功率的毫米波电路中有所应用.     

电力电子变换器潜在电路自动识别法

研究与开发电力电子变换器潜在电路自动识别的计算机辅助分析法,可以促进与提高电力电子变换器的安全运行可靠性。本文首先建立了电路器件和拓扑的通用信息库,并根据电力电子器件的特点提出其电流特性模型,然后基于器件的电流特性模型和搜索算法自动查找变换器中所有的电流路径,在此基础上,设计出“器件类”和“功能类”线索表,以自动识别变换器中所有的潜在电路。基于该方法开发的计算机辅助分析系统应用表明,它具有操作简单、自动化程度高、通用性强、准确性高等优点,可适用于复杂电力电子变换器的潜在电路分析。     

一种高压大电流PIN管开关驱动器的设计

介绍了一种PIN管开关驱动电路.该电路采用了控制信号与高压源相隔离的方法,可支持300 V以内的高压,并具有800 mA的电流驱动能力,驱动电路的开关切换时间小于2.6 μs.通过对高压器件的防击穿保护,并增加适当的延时电路,大幅度提高了驱动电路的工作稳定性.该电路可应用到高电压、大电流、高功率容量、高速切换的PIN管...     

基于STM32的反熔丝器件编程器设计与实现

反熔丝器件编程需要专门的编程器.针对国内某反熔丝器件,本文介绍了以微处理器STM32F103ZET6为核心的反熔丝器件编程器的设计.该编程器主要由通信电路模块和反熔丝器件编程电路模块组成.通信电路模块包括JTAG程序下裁调试电路、RS232串口通信电路;反熔丝器件编程电路模块包括数模转换电路、信号放大电路、输出缓冲电路、电流检测电路.该编程器结构简单、成本低廉,用户界面友好.实际编程实验表明,该编程器可高效地实现对反熔丝器件的各项编程功能.     

红外探测器背景抑制读出结构设计研究

长波红外焦平面探测器一般工作在高背景下,信号电流小于背景电流,器件本身暗电流也较大,信号读出时积分电容极易饱和,这都不利于获得理想的信噪比.通过在读出电路输入级中增加电流抑制结构,可有效提高积分时间,改善动态范围和对比度.本文介绍了红外焦平面读出电路中几种典型的背景电流及暗电流抑制技术,依次叙述不同结构背景及暗电流抑制的实现原理,并比较各个结构的优缺点,针对不同电路结构的特点,通过典型电路仿真分析,确定了它们在各种红外焦平面读出电路输入级中的应用范围.     

红外探测器背景抑制读出结构设计研究

长波红外焦平面探测器一般工作在高背景下，信号电流小于背景电流，器件本身暗电流也较大，信号读出时积分电容极易饱和，这都不利于获得理想的信噪比。通过在读出电路输入级中增加电流抑制结构，可有效提高积分时间，改善动态范围和对比度。本文介绍了红外焦平面读出电路中几种典型的背景电流及暗电流抑制技术，依次叙述不同结构背景及暗电流抑制的实现原理，并比较各个结构的优缺点，针对不同电路结构的特点，通过典型电路仿真分析，确定了它们在各种红外焦平面读出电路输入级中的应用范围。     

红外探测器背景抑制读出结构设计研究

长波红外焦平面探测器一般工作在高背景下，信号电流小于背景电流，器件本身暗电流也较大，信号读出时积分电容极易饱和，这都不利于获得理想的信噪比。通过在读出电路输入级中增加电流抑制结构，可有效提高积分时间，改善动态范围和对比度。本文介绍了红外焦平面读出电路中几种典型的背景电流及暗电流抑制技术，依次叙述不同结构背景及暗电流抑制的实现原理，并比较各个结构的优缺点，针对不同电路结构的特点，通过典型电路仿真分析，确定了它们在各种红外焦平面读出电路输入级中的应用范围。     

电流模式n阶CCCII-C的多输入单输出滤波器设计

该文提出了一种结构简单的基于MCCCII的n阶多输入单输出电流模式滤波器电路。该滤波器电路包含n个有源器件、n个接地电容元件,无需接任何电阻元件,可以产生n阶低通、带通、高通、带阻及全通电流模式滤波。由于仅依靠改变外部输入电流信号的接入数目和方式来实现不同功能的滤波器,而电路内部结构及器件数目不变,所以该电路便于单片集成。文中对滤波器进行了PSPICE模拟。     

电流模式n阶CCCII-C的多输入单输出滤波器设计

该文提出了一种结构简单的基于MCCCII的n阶多输入单输出电流模式滤波器电路。该滤波器电路包含n个有源器件、n个接地电容元件,无需接任何电阻元件,可以产生n阶低通、带通、高通、带阻及全通电流模式滤波。由于仅依靠改变外部输入电流信号的接入数目和方式来实现不同功能的滤波器,而电路内部结构及器件数目不变,所以该电路便于单片集成。文中对滤波器进行了PSPICE模拟。     

电容串联分压输出电路特性研究

为减少普通变压器瞬变高电压及电源电流对电路有源器件的冲击，详细介绍了一种电容串联分压输出电路的结构及其工作原理，利用实验的方法给出输入一输出电流与负载的关系及输出电压与负载的关系曲线图，通过关系曲线图对电容串联分压输出电路的特性进行深入的研究，结果表明：该电路没有普通变压器瞬变高电压对电路的冲击，也没有较大的电源电流对电路的冲击，这为初级有源器件的选用带来方便。     

GaN 功率器件调制电路在T/R组件中的设计与应用

介绍了一种GaN 功率器件调制电路的设计方法。该调制电路广泛用于T/ R 组件发射链路的大功率 GaN 功放,具有高电压工作、大电流供给以及尖峰电压抑制等功能。文中重点论述了调制电路的原理,指出尖峰电 压抑制功能是实现该调制电路的难点。经仿真分析实现了延时在500 ns 以内、负压检测电平在-4. 2~ -3. 8 V 的关 键指标。最后选用聚四氟乙烯印制板设计出GaN 功率器件调制电路实物,在T/ R 组件中进行了应用验证,测试结果 与仿真结论相符。该调制电路体积小、可靠性高,可用于高功率GaN 功放的设计,具有广阔的工程应用前景。     

新型亚纳秒切断半导体开关器件研制

介绍了一种新型亚纳秒切断全固态高功率脉冲开关器件,阐述了其工作机理。该器件利用器件体内等离子体特殊的恢复过程来完成电流的迅速切断。采用多层Si片叠加的制造工艺技术,单个器件反向工作峰值电压大于2 kV,电流切断时间小于800 ps,脉冲峰值功率可达80 kW。该器件具有易串并联、抖动小等优点。基于该器件制作的脉冲发生器具有体积小、可靠性高、使用寿命长、脉冲重复频率高、输出波形稳定等特点。当采用器件串联电路连接时,可以获得几十千伏以上的高压快速脉冲。采用该器件制作的脉冲发生器在国防、医疗等领域具有广阔的应用前景。