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功率微电子封装用铝基复合材料 总被引:1,自引:0,他引:1
微电子技术的发展对电子封装提出更高的要求,现有封装材料在性能方面存在局限性,已无法全面满足现代及一电子产品的要求,新型金属基复合材料因此应运而生,其中最有前景的封装材料是Al/SiC。 相似文献
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功率微电子封装用铝基复合材料 总被引:7,自引:0,他引:7
微电子技术的发展对电子封装提出了更高的要求,现有封装材料在性能方面存在局限性,已无法全面满足现代及下一代电子产品的要求,因此,新型金属基复合材料(MMC)应运而生,其中最有前景的封装材料是AI/SICo本文根据近几年国际上报导的有关资料,对Al/SiC的性能、制造工艺及封装制造途径进行了综述,提出了在我国开展这方面工作的建议。 相似文献
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浅析新材料在高密度电子封装上的应用及发展前景 总被引:1,自引:0,他引:1
在电子产品集成化程度高且小、轻、薄的发展趋势影响下,电子封装技术日趋重要。因此,该文从高密度封装所产生的一系列问题,以及对封装材料的新要求谈起,对陶瓷材料、纳米复合材料及AlSiC金属基体复合(MMC)封装材料等封装新材料的结构性能、可靠性及封装效果等进行了讨论,并与传统封装材料进行了比较,并探讨了这些封装新材料的发展和应用前景。 相似文献
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超高速GaAs集成电路封装材料,工艺和结构的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
着重描述了新型莫来石材料的性能,工艺方面的进展情况,探讨了新的封装结构对封装性能的影响,最后得到的封装外壳可很好的满足GaAs超高速集成电路的封装要求。 相似文献
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高性能集成电路要求改进封装设计和封装材料,以便适应更高I/O密度和工作电压的需求。封装材料之间的粘结问题,对于维护封装在各种环境条件下的完善性和工作性能是头等重要的。本文对影响粘结性能和界面完善性的诸多因素进行了概述。专门举例讨论了TBGA封装结构中存在的一些界面,并介绍了几种分析方法及粘结测量技术的应用。 相似文献
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先进封装技术发展趋势 总被引:1,自引:0,他引:1
Mahadevan Iyer 《集成电路应用》2009,(9):34-37
随着电子产品在个人、医疗、家庭、汽车、环境和安防系统等领域得到应用,同时在日常生活中更加普及,对新型封装技术和封装材料的需求变得愈加迫切。 相似文献
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半导体用环氧树脂封装胶粉概况介绍 总被引:1,自引:0,他引:1
半导体封装业占据了国内集成电路产业的主体地位,如何选择电子封装材料的问题显得更加重要。根据资料显示,90%以上的晶体管及70%~80%的集成电路已使用塑料封装材料,而环氧树脂封装塑粉是最常见的塑料封装材料。本文将对环氧树脂封装塑粉的成分、特性、使用材料加以介绍,希望对 相似文献
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封装技术是IC产业中非常重要的一环,多种新型封装形式对封装材料提出了更高的要求。简要介绍了用于IC封装的树脂材料的发展动向。 相似文献
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电子封装用金属基复合材料的研究现状 总被引:24,自引:0,他引:24
微电子技术的飞速发展也同时推动了新型封装材料的研究和开发。本文综述了电子封装用金属基复合材料的研究和发展状况,并以A1/SiCp为重点,分析对比了目前国内外的差距,提出了其未来的发展趋势及方向。 相似文献
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电子封装用低膨胀高导热SiCp/A1复合材料研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
随着微电子技术及半导体技术的快速发展,高封装密度对材料提出了更高的要求。SiCP/Al复合材料具有低膨胀系数、高导热率、低密度等优异的综合性能,受到了广泛的关注。作为电子封装材料,SiCP/Al复合材料已经在航空航天、光学、仪表等现代技术领域取得了实际的应用。文章介绍了SiC颗粒增强铝基复合材料的研究现状,详细阐述并比较了几种常用的制备方法,包括粉末冶金法、喷射沉积法、搅拌铸造法、无压渗透法、压力铸造法等,进一步分析了各种方法的优缺点,并在此基础上展望了未来研究和发展的方向。 相似文献
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随着微电子技术及半导体技术的快速发展,高封装密度对材料提出了更高的要求.SiCp/Al复合材料具有低膨胀系数、高导热率、低密度等优异的综合性能,受到了广泛的关注.作为电子封装材料,SiCp/Al复合材料已经在航空航天、光学、仪表等现代技术领域取得了实际的应用.文章介绍了SiC颗粒增强铝基复合材料的研究现状,详细阐述并比较了几种常用的制备方法,包括粉末冶金法、喷射沉积法、搅拌铸造法、无压渗透法、压力铸造法等,进一步分析了各种方法的优缺点,并在此基础上展望了未来研究和发展的方向. 相似文献
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电子封装中的铝碳化硅及其应用 总被引:4,自引:1,他引:3
随着电子封装技术的迅速发展,铝碳化硅AlSiC金属基复合材料成为高新封装技术的热门话题之一。AlSiC在电子封装中优势凸现,文章主要介绍AlSiC的性能特点、类型、制备方法以及在电子封装中的应用,并展望了这类封装材料的发展趋势。 相似文献
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