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AIN和SiOxNy薄膜与其GaAs衬底间界面应力的喇曼光谱研究 总被引:1,自引:1,他引:0
本文用喇曼放射方法研究了在GaAs衬底上用S-枪磁控反应溅射的AIN和PECVD淀积的SiOxNy薄膜界面应力,并研究了这两种薄膜在N2和Ar气氛下的高温热处理对界面应力的影响。结果表明,与SiOxNy薄膜不同,在GaAs衬底上制备的AIN薄膜,其界面应力很不,而且经N2和Ar气氛下的高温快速热退火,仍具有较好的稳定性,从而表明AIN是GaAs集成电路技术中一种较好的绝缘介质、钝化层和保护材料。 相似文献
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硅基GaAs/GaAlAs平面光波导的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
分析了金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)GaAs/GaAsAl/GaAs/Si材料结构的性能,用MOCVD法地硅衬底上生长了GaAs/GaAsAl/GaAs材料,并用这种材料制备了平面光波导样品,测定了1.3μm,单模激光的传输损耗小于0.65dB/cm。 相似文献
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以WSi复合材料作为靶源,采用直流磁控溅射工艺成膜,在不同氩气(载能粒子)压力条件下,800℃、17min退火前后WSi/GaAs系统的性能。包括用显微显像观察不同氩气压力下淀积膜退火前后表面变化;SEM分析系统断面、AES分析膜层与GaAs衬底的界面情况;并通过肖特基二极管I-V特性的测量研究其整流特性。实验结果表明,在1.3--1.6pa氩气压力下淀积的WSi膜层与GaAs衬底所构成的系统具有 相似文献
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用分子束外延法(MBE)分别在经(NH4)2Sx溶液和S2Cl2溶液钝化的GaAs(100)衬底上生长了ZnSe薄膜.用室温喇曼光谱对不同处理方法的GaAs上所长ZnSe薄膜的晶体质量和ZnSe/GaAs界面进行对比研究.用喇曼散射的空间相关模型定量分析了一级喇曼散射的空间相关长度与晶体质量间的关系.根据GaAs的LO-等离子激元耦合模喇曼散射强度的变化,分析了不同S钝化方法对ZnSe/GaAs界面以及ZnSe薄膜质量的影响.结果表明,S2Cl2溶液钝化的ZnSe/GaAs样品具有较低的界面态密度和较好的 相似文献
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反应淀积氮化铝薄膜及其性质的研究 总被引:9,自引:0,他引:9
实验使用脉冲激光熔蚀金属铝靶,使溅射的物质粒子和真空室中的氮气反应以淀积氮化铝(AlN)薄膜,淀积时引入氮气直流放电以促使Al和N发生完全反应制备高质量符合化学计量比的AlN薄膜。讨论了脉冲能量密度、基底温度、气体放电对所沉积薄膜组织结构的影响。实验结果表明,当DE=1.0J·cm-2,PN2=13.333kPa,Tsub=200℃,V=650V,f=5Hz,dS-T=4cm时,高质量的AlN薄膜被成功地沉积于Si(100)基片上。分析表明薄膜是具有高取向性的AlN(100)多晶膜,薄膜的能带间隙约为6.2eV,其电阻率和击穿电场分别为2×1013Ω·cm和3×106V·cm-1。 相似文献
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借助一新的工艺模拟与异质器件模型用CAD软件──POSES(Poisson-SchroedingerEquationSolver),对以AlGaAs/InGaAs异质结为基础的多种功率PHEMT异质层结构系统(传统、单层与双层平面掺杂)进行了模拟与比较,确定出优化的双平面掺杂AlGaAs/InGaAs功率PHEMT异质结构参数,并结合器件几何结构参数的设定进行器件直流与微波特性的计算,用于指导材料生长与器件制造。采用常规的HEMT工艺进行AlGaAs/InGaAs功率PHEMT的实验研制。对栅长0.8μm、总栅宽1.6mm单胞器件的初步测试结果为:IDss250~450mA/mm;gm0250~320mS/mm;Vp-2.0-2.5V;BVDS5~12V。7GHz下可获得最大1.62W(功率密度1.0W/mm)的功率输出;最大功率附加效率(PAE)达47%。 相似文献
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分析了AlxGa1-xAs/GaAsHBT外基区表面复合电流及外基区表面复合速度对直流增益的影响,用光致发光(PL)谱和Al/SiNx-S/GaAsMIS结构C-V特性,研究了GaAs表面(NH4)2S/SiNx钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明,ECR-CVD淀积SiNx覆盖并在N2气氛中退火有助于改善GaAs表面硫钝化效果的稳定性。在此基础上形成了一套包括(NH4)2S处理、SiNxECR-CVD淀积及退火并与现有HBT工艺兼容的外基区表面钝化工艺,使发射区面积为4×10μm2的器件增益比钝化前提高了4倍,且60天内不退化。 相似文献
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GaAs(100)表面钝化和Mg/S/GaAs界面的SRPES研究 总被引:1,自引:1,他引:0
应用同步辐射光电子谱(SRPES)表征了一种新的CH3CSNH2/NH4OH溶液体系处理的GaAs(100)表面的成键特性和电子态.结果表明,经过处理的GaAs(100)表面,S既与As成键也与Ga成键,形成了S与GaAs的新界面,这说明CH3CSNH2/NH4OH溶液处理的GaAs(100)表面具有明显的钝化作用.钝化表面退火处理后,发现AS的硫化物不稳定,分解或反应生成Ga-S成分和元素态As;室温下,Mg淀积硫钝化的GaAs表面的实验结果表明,Mg置换GaS的Ga成为金属Ga偏析到表面,而硫以MgS 相似文献
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研究了以WSi0.6复合材料作为靶源,采用直流空溅射工艺成膜,不同退火温度下GaAs衬底材料上WSi0.6膜层的特性。包括WSi0.6/GaAs系统断面SEM分析,AES界面机构分析、表面形貌分析及金属-半导体肖特基势垒特性分析,实验结果表明,在氩气压力为133Pdisplay status 相似文献
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曲兰欣 《固体电子学研究与进展》1995,(4)
新结构高性能In_(0.3)Ga_(0.7)As/In_(0.29)Al_(0.71)As/GaAsHEMT研究证明,InGaAsHEMT的结构优于GaAsMESFET和习用的AlGaAs/GaAsHEMT。在GaAs上制备的赝配结构HEMT(PM-HE... 相似文献
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本文提出了以各子电池的载波子输运方程为基础、用串联等效的方法模拟多结电池的J-V特性,并用该方法模拟分析了P/I界面态。P/I缓冲层带隙梯度对Glass/TCO/a-Si/a-Si/Al双结电池光电特性的影响,各子电池本征层为常数带隙的Glass/TCO/a-Si/a-SiGe/Al三结电池的光电特性及其所存在的优势。 相似文献
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探索了新型难熔栅W/WN工艺制备技术,通过SEM,XRD,SIMS,XPS等手段对WN,WN/GaAs特性作了分析。结果表明,溅射气压和N分压对W,WN薄膜特性有着显著影响,通过工艺条件的优化,制备的W/WN膜厚为360nm,方块分压为0.51Ω。利用SiO2作为退火包封层,780℃ 10s快速退火后,W/WN能够保持好的稳定性,在此基础上制备了肖特基二极管和自对准的GaAs MESFET。 相似文献
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In0.53Ga0.47As表面钝化及降低界面态密度的方法 总被引:1,自引:1,他引:0
采用PECVD技术,以TEOS为源,对In0.53Ga0.47As材料进行表面钝化,研究了SiO2/In0.53Ga0.47As的界面态,提出降低界面态密度的方法,使其降低到8.5×10^10eV^-1cm^-2。 相似文献
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毛友德 《微电子学与计算机》1993,10(11):47-48,F003
利用直流辉光放电分解碳氢气体来淀积a-C:H膜,通过测量Al/a-C:H/SiMIS结构的高频C-V曲线讨论了a-C:H/Si界面的电子特性,结果表明a-C:H/Si膜有可能用作半导体器件的表面钝化膜。 相似文献