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我们研究了掺杂耦合GaAs/AlAs超晶格的级联隧穿,在这种结构中,AlAs层X能谷中的基态能级位于GaAs层中Γ能谷的基态(E(Γ1);)和第一激发态(E(Γ2))能级之间.实验结果证明,这种超晶格中的高电场畴是由Γ-X级联共振隧穿所形成的,而不是通常的相邻量子阱子带的级联共振隧穿所形成的.在这种高场畴中,电子从GaAs量子阱的基态隧穿到邻近的AlAs层的X能谷的基态,然后通过实空间电子转移从AlAs层的X能谷弛豫到下一个GaAs量子阱的Γ能谷的基态. 相似文献
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曲兰欣 《固体电子学研究与进展》1995,(4)
新结构高性能In_(0.3)Ga_(0.7)As/In_(0.29)Al_(0.71)As/GaAsHEMT研究证明,InGaAsHEMT的结构优于GaAsMESFET和习用的AlGaAs/GaAsHEMT。在GaAs上制备的赝配结构HEMT(PM-HE... 相似文献
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用金刚石对顶砧压力装置在液氮温度下和0~4GPa的压力范围内测量了不同阱宽(1.7~11.0nm)的InxGa(1-x)As/Al(1-y)Ga(1-y)As(x,y=0.15,0;0.15,0.33;0,0.33)多量子阱的静压光致发光谱,发现在In0.15Ga0.85As/GaAs多量子阱中导带第一子带到重空穴第一子带间激子跃迁产生的光致发光峰能量的压力系数随阱宽的增加而减小,在In0.15Ga0.85As/Al0.33Ga0.67As和GaAs/Al0.33Ga0.67As多量子阱中相应发光峰的压力系数随附宽的增加而增加.根据Kroniy-Penney模型计算了发光峰能量的压力系数随阱宽的变化关系,结果表明导带不连续性随压力的增加(减小)及电子有效质量随压力的增加是压力系数随阱宽增加而减小(增加)的主要原因. 相似文献
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本文采用变温条件下的光致发光谱和选择激发发光谱对混晶GaAs1-xPx∶N(x=0.4)中的NX和NΓ发光带进行了研究.在选择激发条件下,实验未观察到混晶GaAs1-xPx∶N(x=0.4)中NΓ→NX的带间能量转移现象.从变温光致发光谱得到在温度T<50K时,NΓ和NX的激活能分别为Ea(NΓ)=5.8meV和Ea(NX)=11.2meV;在温度T>50K时,NΓ和NX的激活能分别为Ea(NΓ)=67meV和Ea(NX)=32meV.根据实验结果,我们提出,NX和NΓ中心分别来自孤立N中心和N束缚激子分 相似文献
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我们研究了掺杂耦合GaAs/AlAs超晶格的级联隧穿,在这种结构中,AlAs层X能谷中的基态能级位于GaAs层中Г能谷的基态(EГ1)和第一激发态(EГ2)能级之间,实验结果证明,这种超晶格中的高电场畴是由Г-X级联共振隧穿所形成的,而不是通常的相邻量子阱子带的级联共振隧穿所形成的,在这种高场畴中,电子从GaAs量子阱的基态隧穿到邻近的AlAs层的X能谷的基态,然后通过实空间电子转移从AlAs层的 相似文献
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流体静压力下窄势垒GaAs/AlAs超晶格的低温纵向输运 总被引:3,自引:2,他引:1
我们研究了77K温度下掺杂弱耦合GaAs/AlAs窄垒超晶格在流体静压力下的垂直输运,发现其输运性质与宽垒超晶格有很大不同.当在压力下AlAs垒层中的X基态子能级降至EΓ1子能级和EΓ2子能级中间或更低能量位置时,未观察到Γ-Γ共振隧穿到Γ-X共振隧穿的转变,I-V曲线上的平台并未随压力增大而收缩,反而稍有变宽.同时,平台电流随压力增大而增加,直到与EΓ1-EΓ1共振峰电流相当.我们认为,由于垒层很薄,Γ电子隧穿通过垒层的几率很高,EΓ1-EΓ1共振峰显著高于EΓ1-Ex1共振峰,因此,高场畴区内的输运机 相似文献
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报道了非对称GaAs/AlAs双势垒结构(DBS)中的Γ-X-Γ磁隧穿振荡现象,用磁场倒数周期求得AlAs层中X谷和GaAs层中Γ谷之间的能带不连续值与通常公认值符合很好,良好的振荡特性可作为定量研究Γ-X耦合强度的灵敏的实验办法。 相似文献
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描述了一种新型共振隧穿结构器件,这种器件包含了通过可变间隙超晶格能量滤波器(VSSEF)中的耦合量子附态的隧穿过程.论证了通过AlAs/GaAsVSSEF器件高能态和AlGaAs/GaAs超晶格受激态的共振隧穿,描述了这种器件作为较高功率微波源和共振隧穿晶体管的应用,并讨论了共振隧穿结构作为雪崩探测器和红外发射器等光学器件的潜在应用. 相似文献
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GaAs/AlxGa1—xAs和AlxGa1—xAs/AlAs超晶格的喇曼散射对比研究 总被引:1,自引:0,他引:1
报道不同层厚的AlAs/AlxGa1-xAs及GaAs/AlxGa1-xAs短周期超晶格的纵光学声子模的室温喇曼散射测量结果.在非共振条件下,观察到AlAs/AlxGa1-xAs中限制在AlxGa1-xAs混晶层中的类GaAsLO限制模和限制在AlAs层中的AlAsLO限制模,还观察到GaAs/AlxGa1-xAs中限制在AlxGa1-xAs混晶层中的类AlAsLO限制模和限制在GaAs层中的GaAsLO限制模.在近共振条件下,还观察到了AlAs/AlxGa1-xAs中AlAs的界面模.根据线性链模型,把测量的LO限制模的频率按照q=mn+12πα0展开,给出了AlxGa1-xAs混晶的类AlAs支和类GaAs支光学声子色散曲线. 相似文献
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GaAs中Be受主的光热电离光谱研究 总被引:1,自引:0,他引:1
应用光热电离光谱方法研究了MBE生长GaAs薄膜中Be受主的杂质能级。通过与理论计算的比较,将观测到的3个跃迁峰归属于G线、C线和D线跃迁,同时在实验上也观察到Be受主1s3/2(Γ%^+)态到2p1/2(Γ^)态跃迁,由实验结果算得Be受主的电离能为28.6meV。 相似文献
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半导体超晶格微结构中的多能谷效应(2)薛舫时(半导体超晶格国家重点实验室和南京电子器件研究所210016)六、异质谷间转移电子效应和X电子发生器GaAS是直接带隙材料,它的导带底位于布里渊区中心Γ点。而AlAs是间接带隙材料,导带底位于布里渊区边缘X... 相似文献
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续竞存 《固体电子学研究与进展》1996,16(3):254-258
用电荷控制及热电子弹道运动模型计算InAs/InP0.7Sb0.3热电子晶体管的截止频率fT及最高振荡频率fmax。结果表明,fT、fmax分别达到280GHz及600GHz。并指出,通过生长GaSb中间层,InAs/InP0.7Sb0.3HET可在GaAs衬底上实现单片集成。 相似文献
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利用低压金属有机化合物汽相淀积方法,以液态CCl4为掺杂源生长了高质量的碳掺杂GaAs/AlGaAs外延材料,研究了CCl4流量、生长温度和Ⅴ/Ⅲ比等因素对外延材料中的碳掺杂水平的影响.采用电化学CV方法、范德堡霍耳方法、低温光致发光谱和X射线双晶衍射回摆曲线测量等方法对碳掺杂外延材料的电学、光学特性进行了研究.实验制备了空穴浓度高达1.9×1020cm-3的碳掺杂GaAs外延材料和低温光致发光谱半宽小于5nm的高质量碳掺杂Al0.3Ga0.7As外延层.在材料研究的基础上,我们以碳为P型掺杂剂生长了Ga 相似文献