用X射线形貌技术研究GaAs衬底及GaAs—Al_xGa_(1-x)As DH外延片中的缺陷

我们利用透射X射线形貌技术观察了n—GaAs衬底及GaAs—Al_xGa_(1-x)As DH外延片中的晶体缺陷,采用高分辨率形貌技术与金相技术进行了分析,证实普通X射线形貌像中的衬度是由晶体缺陷形成的。根据获得的X射线形貌像,我们对n—GaAs衬底及GaAs—Al_xGa_(1-x)As DH外延片中缺陷水平作出了评价。采用常规的DH液相外延技术及质子轰击条形的器件工艺,将我们研究的衬底制成了激光器。测试结果表明:器件的成品率和质量与我们对衬底中缺陷水平的评价完全对应。     

调制掺杂Al_xGa_(1-x)As/GaAs异质结持久光电导的光谱响应

本文在77 K下研究了调制掺杂 n-Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs异质结持久光电导的光谱响应.结果表明,掺 Cr GaAs衬底中Cr深能级上电子的激发和 Al_xGa_(1-x)As中DX中心的光离化都产生持久光电导.     

GaAs/Al_xGa_(1-x)As超晶格中的纵光学声子模

本文报道GaAs/Al_xGa_(1-x)As短周期超晶格结构中的纵光学声子模的室温Raman散射测量结果。除了限制在GaAs层中的GaAs LO限制模外,我们还首次观测到限制在Al_xGa_(1-x)As混晶层中的类AlAs LO限制模。根据线性链模型,我们把测量到的LO限制模的频率按照q=m/(n+1)(a_0/(2π))展开,给出了Al_xGa_(1-x)As混晶的类AlAs LO声子色散曲线。     

高台型GaAs—Al_xGa_(1-x)As双异质结激光器的液相外延

一.引言对于 AlGaAs 双异质结激光器,用液相外延的方法,可以生长出性能十分良好的多层外延片。用此方法,我们在 GaAs 单晶衬底上制备了包括四层结构(n 型 Al_xGa_*(1-x)As,P 型 Al_YGa_(1-Y)As 和 P 型 GaAs)的双异质结构注入型激光器。去年我们制作出能连续工作的激光器,其寿命很短,只几分钟,且性能不稳定。经分析认为,是外延片质量不     

最大跨导为3000的异质结晶体管

<正> 日本电气公司采用在n型AlGaAs/GaAs二维电子气系统中注入空穴的办法研究成功了g_(mmax)为3000的异质结晶体管。器件制造中采用了平面型自对准技术。器件所需的未掺杂GaAs/n型AlGaAs/n型Al_xGa_(1-x)As/n型GaAa结构是用MBE技术形成的。掺杂剂为Si(p型)和Be(n型)。得到的     

低能Ar^＋轰击对GaAs,AlxGa1—xAs表面成分的影响

低能离子溅射半导体表面会引起表面结构和成分的变化,导致器件电学性能变差。本文用俄歇电子谱研究了轰击离子能量和束流密度对GaAs、Al_xGa_(1-x)As表面成分的影响。实验分析表明,离子轰击导致GaAs表面As元素严重贫乏和Al_xGa_(1-x)As表面Al元素强烈偏析和Ga元素的轻微减小。我他对离子轰击后GaAs Al_xGa_(1-x)As的表面成分分析结果与文献值不同。实验结果同时说明,GaAs与Al_xGa_(1-x)As中离子溅射行为有较大的差别,我们对此进行了初步讨论,并将实验结果与理论模型进行了比较,发现实验与理论之间不能很好一致。     

用MBE法生长GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结的半绝缘Al_xGa_(1-x)As缓冲层

用分子束外延法生长了以半绝缘Al_xGa_(1-x)As为缓冲层的GaAs外延层,这种缓冲层具有很高的击穿电压。研究了击穿电压与生长条件和Al_xGa_(1-x)As缓冲层组份之间的关系。当Ⅴ族与Ⅲ族元素束流强度比增加时,以Al_(0.4)Ga_(0.6)As层作缓冲层的击穿电压比以GaAs层作缓冲层的击穿电压要高得多,而且在Al_(0.4)Ga_(0.6)As上生长的GaAs有源层具有很高的质量。     

分子束外延选择性掺杂的GaAs/N-Al_xGa_(1-X)As异质结中的二维电子气

<正> 本所分子束外延组制备了选择性掺杂的 GaAs/N-AlGaAs异质结,它的结构如下:在掺Cr半绝缘(100)GaAs的衬底上,先外延生长1微米厚的未掺杂的 GaAs层,再生长厚度 60A|°左右的未掺杂的Al_xGa_(1-x)As隔离层,其上是厚度为 1000A|°的掺Si的 N-     

一种新型的超高速器件——高电子迁移率晶体管

详细评述了由分子束外延(MBE)技术制备的选择掺杂(SD)GaAs/N—Al_xGa_(1-x)As(x=0.3)单异质结的高电子迁移率效应,系统介绍了由此异质结制作的高电子迁移率晶体管(HEMT)的基本结构、主要特性及其在超高速领域中的应用,同其它超高速器件作了简单比较.     

用Al_xGa_(1-x)As层作扩Zn掩蔽制作平面条形激光器

一、引言 在普通GaAs-Al_xGa_(1-x)AsDH条形激光器中,平面条形激光器和质子轰击条形激光器是最普遍和性能较好的结构。尤其是平面条形激光器,它不仅工艺简单,而且又不需用庞大的静电加速器。所以,目前平面条形工艺已成为半导体激光器中最基本的工艺而被广泛应用于制作结构较复杂的激光器。 过去我们曾尝试用SiO_2、Si_3N_4等作扩Zn掩蔽制作过平面条形激光器。但是由于掩蔽问题而使这种结构未能被采用。国内除吉林大学报导用Si_3N_4-PSG-SiO_2三层膜作扩Zn掩蔽制成了平面条形激光器外,未见其他单位报导过。然而他们的扩Zn掩蔽工艺太复杂了。虽然文献报导用SiO_2、Si_3N_4等作扩Zn掩蔽比较成熟,但由于它们的热膨胀系数与GaAs的相差很大,所以在扩Zn过程中将产生大的应力,从而引入许多缺陷,影响器件寿命。最近,有人利用Zn在GaAs中的扩散速度比在Al_xGa_(1-x)As中慢而用GaAs作扩Zn掩蔽。但是,GaAs的选择腐蚀不如Al_xGa_(1-x)As容易,特别是由于在Al_xGa_(1-x)As上制作低阻欧姆接触比较困难。所以我们提出了用Al_xGa_(1-x)As层作扩Zn掩蔽的新工艺,它克服了上述缺点,并且非常方便有效。     

多层异质结构GaAs／AlxGa1—xAs的TEM和AES的研究

GaAs/Al_xGa_(1-x)As多层异质结构材料是微波器件、负电子束和如热光电发射体和及其器件、激光器件等新型光电子器件、光电子集成和集成线路的新型半导体材料。对GaAs/Al_xGa_(1-x)As多层异质结构材料的研究,使我们获得了这种高性能新型材料缺陷、界面和横截面的显微结构的信息。在我们的研究中,应用了TEM·AES和SIMS。从TEM的照片之一可见GaAs/Al_xGa_(1-x)As层间界面清晰(图1)。有的也存在缺陷。从AES·SIMS和EM的EDS曲线(图2)显示了这种材料表面,界面的成分分布。TEM照片和AES剖面深度曲线显示了界面的有关特性。从而可以由以上数据和信息来评价材料的有关特性,甚至材料的沉积工艺。这为器件对材料的选择和评价提供了科学的、数量化的信息。     

用异质PN结光电势效应测量外延层组份

本文报告,用n型Al_xGa_(1-x)As与P型Al_yGa_(1-y)As异质PN结的光生电势效应来测量其组份(x,y)的一种方法。     

碳掺杂In_xGa_(1-x)As的MOMBE生长与特性

本文研究了以TMG、固体In和固体As作为分子束源的碳掺杂In_xGa_(1-x)As(x=0-0.98)的MOMBE生长与特性,发现衬底温度和In分子束强度对样品的生长速率、In组分含量x及载流子浓度具有强烈影响。在x=0-0.8的范围内空穴浓度随x的增大而减小,当x>0.8时导电类型转变为n型。探讨了MOMBE法生长In_xGa_(1-x)As的掺碳机理及其对载流子浓度和导电类型的影响,并用X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)等方法分析了外延层质量。     

用金属有机化学汽相淀积法制备的寿命起过700小时的Al_xGa_(1-x)As-GaAs双异质结激光器

用金属有机化学汽相淀积法制作的Al_xGa_(1-x)As—GaAs多量子阱异质结激光器,室温(～26℃)连续工作寿命已超过700小时。在这个时间内器件的输出特性无任何退化。     

Investigation on resonant tunneling in GaAs/AlxGa1-xAs DBD using tunneling spectroscopy

 Experimental investigation on resonant tunneling in various GaAs/Al_xGa_(1-x)As double barrier single well structures has been performed by using tunneling spectroscopy at different temperatures.The results show that in addition to resonant tunneling via GaAs well state confined by Al_xGa_(1-x)As Γ-point barrier there exists resonant tunneling via GaAs well state confined by Al_xGa_(1-x)As X-point barrier for both indirect(x>0.4)and direct(x<0.4)cases.     

AlGaAs-GaAs异质结选择性干法腐蚀

使用CCl_2F_2和He组成的腐蚀气体对GaAs-Al_xGa_(1-x)As(x=0.3)的选择性干法腐蚀进行了研究。腐蚀是在气体成份比P_(CCl_2F_2)/P_(HE)大于0.25、总压力为0.5～5.0Pa、功率密度为0.18～0.53W/cm~2的条件下进行的,在气体成份比P_(CCl_2F_2)/P_(He)=1、工作压力5Pa,功率密度0.18W/cm~2情况下,获得超过200的高选择速率比和规则的腐蚀剖面图形。在上述条件下,GaAs的腐蚀图形呈现出近乎垂直壁特征。     

0.3K下的GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结中的分数量子霍耳效应

本文从实验上比较了低浓度 GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结样品在4.2K、1.3K和0.34K 温度下的整数量子霍耳效应,报道了填充因子v=2/3的分数量子霍耳效应的实验观察结果.讨论了低浓度GaAs/Al_xGa_(1-x)As样品中宏观不均匀性对实验结果的影响.     

INVESTIGATION ON RESONANT TUNNELING IN GaAs/Al_xGa_(1-x)As DBD USING TUNNELING SPECTROSCOPY

Experimental investigation on resonant tunneling in various GaAs/Al_xGa_(1-x)Asdouble barrier single well structures has been performed by using tunneling spectroscopy atdifferent temperatures.The results show that in addition to resonant tunneling via GaAs wellstate confined by Al_xGa_(1-x)As Γ-point barrier there exists resonant tunneling via GaAs well stateconfined by Al_xGa_(1-x)As X-point barrier for both indirect(x>0.4)and direct(x<0.4)cases.     

780℃下液相外延生长周Al_xGa_(1-x)As的生长和掺杂特性

我们研究了780℃下液相外延生长Al_xGa_(1-x)As的生长特性和掺杂特性.本文给出了各种不同x 值的Al_xGa_(1-x)As的生长溶液组分的经验公式,测定了不同x值时的生长速率及掺Mg、Ge、Te、Sn样品的载流子浓度同x值的依赖关系.     

在一个氯化物输运系统中外延生长Al_xGa_(1-x)As

本文描述在700～800℃温度之间第一次成功地制备含铝浓度高达40％的Al_xGa_(1-x)As薄膜。组份和生长速度与热力学的计算结果作了比较。非有意掺杂的材料是n型,它的光致发光强度可与LPE层的相比。通过掺锌制备P型外延层。