硅多层微机械结构无掩模腐蚀新技术及在力敏结构制作中的应用

提出一种新型硅无掩模腐蚀技术，利用设计一块掩模和进行一次常规有掩蚀之后的无掩模腐蚀工艺，可制作多层次的硅微机械结构，结构层数原则上不受限制，各层次的位置和相应深度方便可控。基于该技术，给出了制作的几例多层力学量传感器结构结果。该技术将可望广泛应用于半导体微机械传感器和执行器中。     

加工对称梁岛结构的微机械加工新技术

本文报道了一种用无掩模腐蚀技术加工对称梁岛结构的微机械加工技术。根据硅台阶在ＫＯＨ无掩模腐下形状和尺寸的变化规律，可以设计制造出一般掩模腐蚀难以形成的微机械对称当今岛结构。由于该技术工艺简单，易于控制，为制作对称梁岛结构的硅 速度传感器提供了新的加工手段。     

制作任意形状微结构的LCD实时掩模技术

本文介绍了一种利用液晶显示(LCD)实时掩模制作任意形状微结构的新技术，并又阐述了该技术的原理和设计方法。基于部分相干成像理论，仿真了制造微轴锥体和锯齿形光栅的过程。在实验中使用彩色LCD作为实时掩模，成功地用LCD实时掩模技术制作出微轴锥体和锯齿形光栅。实验中采用胰蛋白酶刻蚀技术将三维外形结构刻蚀在全彩色的感光银盐明胶片上，所得到的锯齿形光栅的节距为46．26μm，刻蚀深度为0．902μm；轴锥体的直径为l18．7μm，蚀刻深度为1．332μm。     

EB制作1：1主掩模的工艺研究

一、前言众所周知，在掩模制造技术中，常规的光学方法制作主掩模流程如图且（a）所示，制作一块主掩模需用版材两块。电子束制作主掩模的流程如图1（b）所示，制作一块主掩模只用版材一块。比较图亚（a）和（b），可清楚地看到，（a）的制作流程长，费时且费料，（b）的制作流程短，节省材料，降低成本。凶！主掩模制作流程图随着集成电路规模的不断增大，芯片面积越来越大，有些已超出了精缩机的视场范围，精缩机的视场是100mmX100mm，用光学方法制作主掩模已不能完全满足用户的需要。由于以上种种原因，研究开发采用电子束设备（简称＊B…     

KOH溶液无掩膜腐蚀加工硅对称梁技术研究

本文介绍了利用ＫＯＨ腐蚀液对硅台阶、台面等三维结构进行无掩膜腐蚀的新技术．应用该技术可以制作出仅用常规各向异性腐蚀所无法形成的微机械结构，从而使腐蚀工艺的灵活性大为增加．通过分析与计算，给出了无掩膜腐蚀过程中三维结构的变化规律，并通过大量实验证实了这些规律．利用该工艺已成功地制作了一种微机械硅电容加速度传感器用的对称梁－质量块结构．这种结构的特点是梁的中平面与质量块质心位于同一水平面上，从而能消除相关的横向寄生灵敏度效应．     

用于微器件制作的灰度掩模技术

讨论了灰度掩模技术在凸及凹形微透镜,折衍射复合微透镜和微尖形阵列等器件制作方面的应用,给出了与几种典型的凸及册形微透镜,折省射复合微透镜和微尖形结构对应的灰度掩模板的设计实例及其应用,为灰度掩模技术制作微透镜器件及微尖形阵列奠定基础。     

玻璃微流控芯片的低成本制作技术

针对玻璃微流控芯片制作中普遍存在的成本高、加工周期长等问题,提出了一种基于湿法腐蚀技术的低成本、实用化制作方法。该方法以商用显微载玻片作为基底材料,采用普通负性光刻胶RFJ-220为腐蚀掩模,通过优化光刻及湿法腐蚀工艺,可得到深度大于40μm（最深可达110μm）,侧向钻蚀比为1．25：1,表面粗糙度小于5．2nm的微沟道。重点解决了光刻胶与基底之间的粘附性问题,并分析了腐蚀液的配比及腐蚀方式等对沟道形貌的影响。整个制作工艺过程简单,成本低,稳定性好,可广泛应用于玻璃微流控芯片的制作中。     

一种采用双面对准的硅LIGA掩模制作研究

深Ｘ射线光刻是制作高深宽比ＭＥＭＳ结构的一个重要的方法。提出一种基于硅工艺和双面对准技术的ＬＩＧＡ掩模技术,工艺十分简单。采用该掩模,可进一步解决深Ｘ射线光刻中的重复对准多次曝光问题,给出了该掩模设计制作工艺过程及深Ｘ射线光刻结果,整个过程包括常常氮化夺、采用Ｋａｒｌ Ｓｕｓｓ双面对准曝光机进行ＵＶ光刻、电化学沉积金吸收体、体硅腐蚀形成支撑等。利用该掩模在北京ＢＥＰＣ的Ｘ射线光刻光束线上进行曝光。     

CVD金刚石薄膜RIE掩模技术研究

金铡石薄膜反应离子刻蚀（RIE）必须选用硬掩模，其于掩刻蚀选择比和掩模图形化加工特性考虑，镍和镍钛合金掩模是较好选择，其中，NiTi合金薄膜具有刻蚀选择比高，加工工艺简单，图形化效果好的优势，Ni掩模特别是电镀方法制作的Ni掩模以其精确的尺寸控制能力，理想的多层结构模式和适当的刻蚀选择比而特别适合于精细结构加工的使用，使用上述掩模对金刚石薄膜进行RIE，可以获得线条整齐规则，侧壁平滑陡直的优异加工效果。     

基于空间光调制器的无掩模光学光刻技术研究进展

随着器件特征尺寸的不断减小,传统光刻技术的加工分辨率受限于衍射极限已接近使用化技术的理论极限且成本过高。无掩模光刻技术是解决掩模价格不断攀升而引起成本过高的一种潜在方案,以成本低、灵活性高、制作周期短的特点在微纳加工、掩模直写、小批量集成电路的制作等方面有着广泛的应用。基于空间光调制器的无掩模光学光刻技术在提高分辨率和产出率方面取得了一定的进展,理论和实验上均取得了较好的效果。详细归纳介绍了基于空间光调制器的无掩模光学光刻技术的原理、特点以及研究进展。     

一种简单的衰减相移掩模

:本文介绍了一种与传统Cr掩模制作工艺相兼容的单层衰减相移掩模的结构、原理和制作方法 ,提供了部分实验结果。     

用光致抗蚀剂膜层制作衰减相移掩模

提出一种用光致抗蚀剂膜层制作单层结构衰减相移掩模的新方法,介绍这种方法的原理和制作工艺,并给出这种方法制作的衰减相称掩模用于准分子激光光刻实验,得到显著提高光刻分辨力的实验结果。     

用钽吸收体作图形的高反差、亚微米x射线掩模

研制了一种钽吸收体图形的 x 射线掩模。为了制作钽吸收体图形,采用了反应离子刻蚀全干式工艺,这样不仅使得亚微米图形成形极为精确,而且简化了掩模制造过程。精确地控制好射频溅射时的氩气压,使钽膜的应力保持在±10kg/mm~2以内。在制作吸收体图形时,采用中间体 SiO_2层作为腐蚀掩蔽层,用反应溅射腐蚀的方法得到了高于10的 Ta/PMMA 腐蚀选择比,获得了高反差的亚微米 x 射线掩模,最小图形宽度为0.2μm、最大高宽比大于3。     

采用悬挂金属掩模制作约瑟夫逊隧道结

正 1.引言 近几年来由于约瑟夫逊隧道结在许多方面得到应用,特别是在新一代超级电子计算机上得到了应用,所以人们对制作小面积隧道结的技术产生了浓厚的兴趣。制作软金属超导隧道结,以IBM为代表已形成一套完整的工艺。但要用他们的办法重复地制作出实用的隧道结,必须有高级的专用设备和丰富的技术积累。一般单位在短期内是难以达到这样的技术水平的。1982年Gundlach(西德马克斯-普朗克学会)发表的文章仍在使用刀片制作的金属掩模。我们也曾经使用过这种掩模,但是用一般形式的金属掩模制作隧道结时,在氧化层势垒形成以后,必须打开镀膜机的钟罩,以便转换掩模制作上电极。这样氧化层势垒就容易受到大气污染。 为了克服这一缺点,我们用刀片拼装成的悬挂金属掩模来制作隧道结。这一技术具     

无掩模光刻技术研究

介绍了无掩模光刻技术的现状和存在的问题,并对几种常见的无掩模光刻技术进行了详细的对比分析.研究表明,扫描电子束光刻具有极高的分辨率,但是生产效率较低;波带片阵列光刻技术已经在理论和实验上取得了广泛的成果,在保持无掩模光刻技术高分辨力的同时,对电子束的低效率将是一种补充,是一种很有潜力的用于制作掩模版的光刻技术.     

极紫外投影光刻掩模技术

介绍了掩模基片的技术要求，分析了制备掩模多层膜的难点以及相应的解决措施，然后讲解了吸收层干刻法制备掩模的工艺流程，最后介绍了掩模缺陷的检测技术并概述了极紫外投影光刻掩模技术的现状。     

193nm光学掩模与x射线掩模技术比较

目前看来,１９３ｎｍ与ｘ射线光刻技术都很有希望应用到０．１３μｍ及０．１３μｍ以下的集成电路工业中去,而掩模制作对这两种光刻技术而言是非常重要的。本文对１９３ｎｍ光学掩模与ｘ射线掩模制造技术进行了对比分析。     

采用气体等离子体制作掩模

一、引言最近,气体等离子体被用于大规模集成电路制片工艺中,其实用性已有许多报导,另外,在照相制版工艺使用的光掩模的制作上也采用气体等离子体,并研究了把工艺的一部分干式化。本报告发表了在使用气体等离子体制作掩模工艺中(尤其是关于图形尺寸的精度和图形缺陷发生率、其曝光条件以及腐蚀条件的依赖关系)的研究结果。     

无掩模Si圆柱纳米图形衬底上GaAs的异变外延生长

采用金属有机化学气相沉积方法在无掩模的直径为400nm的圆柱Si(100)图形衬底上外延生长了GaAs薄膜。图形衬底采用纳米压印技术及反应离子刻蚀技术制作而成。运用两步法生长工艺在此图形衬底上制备了厚度为1.8μm的GaAs外延层。GaAs的晶体质量通过腐蚀坑密度和透射电镜表征。图形衬底上的GaAs外延层表面腐蚀坑密度约1×107 cm-2,比平面衬底上降低了两个数量级。透射电镜观测显示大部分产生于GaAs/Si异质界面的穿透位错被阻挡在圆柱顶部附近。     

Cr掩模在硅湿法刻蚀中的应用研究

针对硅湿法刻蚀中常见的SiO2、Si3N4掩模的缺点,提出了以Cr薄膜层为刻蚀掩模的新方法,并进行了相应的试验.试验结果表明,Cr掩模湿法刻蚀技术可用于硅半导体器件的制作.此项工艺为硅湿法刻蚀加工提供了一条新的技术途径.