电子产品先进制造中的电气互联技术发展新动态

电气互联技术是电子产品先进制造技术的典型技术,具有机电结合技术综合度高的特点.电气互联技术已经由以表面组装技术（SMT）、微组装技术、立体组装技术和高密度组装技术等技术为标志的发展时期,逐步进入了以光电互联技术、结构功能构件互联技术等为标志的新技术发展时期,其特征是技术综合度更高、机电关联性更强、互联工艺难度更大、对电子装备系统性能和功能的影响更为直接.简介了电气互联技术及其光电互联、结构功能构件互联新技术的基本概念和发展动态.     

拓展电气互联技术新格局

在对电气互联技术的基本概念及其在电子产品研究开发中的作用进行简要叙述的基础上,详尽地论述了拓展电气互联技术新格局的必要性和可行性,并从21世纪电子装备战略发展的角度指明了电气互联技术拓展的内容、前景及其巨大意义.     

电子装联技术论坛

在对电气互联技术的基本概念及其在电子产品研究开发中的作用进行简要叙述的基础上,详尽地论述了拓展电气互联技术新格局的必要性和可行性,并从21世纪电子装备战略发展的角度指明了电气互联技术拓展的内容、前景及其巨大意义。     

电气互联技术的现状及发展趋势

简要介绍了国外电气互联技术的现状，从电路可制造性设计、堆叠装配、FPC组装设计与工艺、PCB可制造性分析及虚拟设计技术、微波电路互联结构及绿色清洗技术等7个方面分析了电气互联先进制造技术的发展方向。     

用创新的精神去做好电装工艺工作 (待续)

电装,指的是在电子电气产品形成中采用的装配和电连接的工艺过程;在全面叙述电装工艺内涵的基础上,强调了电装工艺在电子产品研究开发中的作用;详细论述了如何做好电子产品电装工艺四个阶段工作,指出当务之急是培养高素质的电气互联技术人才,并提出了培养高素质的电气互联技术人才的六条措施.     

用创新的精神去做好电装工艺工作(续完)

电装,指的是在电子电气产品形成中采用的装配和电连接的工艺过程;在全面叙述电装工艺内涵的基础上,强调了电装工艺在电子产品研究开发中的作用;详细论述了如何做好电子产品电装工艺四个阶段工作,指出:当务之急是培养高素质的电气互联技术人才,并提出了培养高素质的电气互联技术人才的六条措施.     

SMT设备的发展现状及趋势

前言 作为电气互联技术的主要组成部分和主体技术的表面组装技术即SMT,是现代电气互联技术的主流。经过20多年的发展,目前SMT已经成为现代电子产品的PCB电路组件级互联的主要技术手段。相关资料表明,发达国家的SMT应用普及率已超过75％,并进一步向高密度组装、立体组装等技术为代表的组装技术领域发展。组装技术的不断发展必将对组装工艺及相关设备的发展提出新的要求。     

基于Web的eDFM电路设计技术

在对可制造设计的基本理念进行初步介绍的基础上 ,对应用先进电气互联技术的电路PCB和整机接线图的可制造设计进行了详尽的描述     

印制电路板组装件绿色清洗技术

绿色清洗技术又称为无公害清洗技术,与无铅焊接技术一起并列为电子组装两大关键基础技术之一,统称为电气互联绿色制造技术,是重点攻关内容之一;在介绍了清洗剂的要求与特性的基础上,对清洗技术问题进行了详尽的探讨.     

便携式手持设备结构设计综述

重点介绍对便携式手持设备结构设计:主要包括外观造型设计和内部互联设计两个方面。文章综合论述几种典型便携式手持设备外观造型优缺点及其使用场合,并总结了便携式手持设备结构布局及电气互联的经验,借鉴这些经验有效提高了便携式手持设备设计效率。     

铜互连布线及其镶嵌技术在深亚微米IC工艺中的应用

近几年来 ,随着 VLSI器件密度的增加和特征尺寸的减小 ,铜互连布线技术作为减小互连延迟的有效技术 ,受到人们的广泛关注。文中介绍了基本的铜互连布线技术 ,包括单、双镶嵌工艺 ,CMP工艺 ,低介电常数材料和阻挡层材料 ,及铜互连布线的可靠性问题     

超深亚微米集成电路中的互连问题--低k介质与Cu的互连集成技术

半导体集成电路技术的发展对互连技术提出了新的需求,互连集成技术在近期和远期发展中将面临一系列技术和物理限制的挑战,其中Cu互连技术的发明是半导体集成电路技术领域中具有革命性的技术进展之一,也是互连集成技术的解决方案之一.在对互连集成技术中面临的技术与物理挑战的特点和可能的解决途径概括性介绍的基础上,重点介绍和评述了低k介质和Cu的互连集成技术及其所面临关键的技术问题,同时还对三维集成互连技术、RF互连技术和光互连技术等Cu互连集成技术之后的可能的新一代互连集成技术和未来互连技术的发展趋势给予了评述和展望.     

3D-TSV技术——延续摩尔定律的有效通途

对于堆叠器件的3-D封装领域而言,硅通孔技术(TSV)是一种新兴的技术解决方案.将器件3D层叠和互连可以进一步加快产品的时钟频率、降低能耗和提高集成度.为了在容许的成本范围内跟上摩尔定律的步伐,在主流器件设计和生产过程中采用三维互联技术将会成为必然.介绍了TSV技术的潜在优势,和制约该技术发展的一些不利因素及业界新的举...     

变频技术在变速恒频异步风力发电系统中的应用

变速恒频异步风力发电技术,特别是双馈异步发电技术在风力发电中得到了广泛的应用。本文在阐述变频技术在风力发电系统应用的基础上,对变速恒频异步风力发电系统的不同的拓扑结构和控制策略进行了分析,并介绍了变速恒频双馈异步风力发电技术的研究热点以及北京清能华福风电技术有限公司的产品OHVERT-DFIG-1500B型变流器。     

任意层互连技术应用研究

任意层互连技术是目前高密度互连印制电路板领域新的工艺技术,通过微孔来实任意层与层之间的连接。本文主要介绍了任意层互连技术的应用进展,分析了电镀、导电膏及铜凸块三种微孔互连技术,同时,描述了各任意层互连方法的工艺技术流程,并对其进行了对比分析。     

Improved a priori interconnect predictions and technology extrapolation in the GTX system

A priori interconnect prediction and technology extrapolation are closely intertwined. Interconnect predictions are at the core of technology extrapolation models of achievable system power, area density, and speed. Technology extrapolation, in turn, informs a priori interconnect prediction via models of interconnect technology and interconnect optimizations. In this paper, we address the linkage between a priori interconnect prediction and technology extrapolation in two ways. First, we describe how rapid changes in technology, as well as rapid evolution of prediction methods, require a dynamic and flexible framework for technology extrapolation. We then develop a new tool, the GSRC technology extrapolation system (GTX), which allows capture of such knowledge and rapid development of new studies. Second, we identify several "nontraditional" facets of interconnect prediction and quantify their impact on key technology extrapolations. In particular, we explore the effects of interconnect design optimizations such as shield insertion, repeater sizing and repeater staggering, as well as modeling choices for RLC interconnects.     

三维（3—D）封装技术

3-D多芯片组件（MCM）是未来微电子封装的发展趋势。本文介绍了超大规模集成（VLSI）用的3-D封装技术的最新进展,详细报导了垂直互连技术,概括讨论了选择3-D叠层技术的一些关键问题,并对3-D封装和2-D封装及分立器件进行了对比。     

数字化变电站站用电应用技术的创新方案研究

基于工作实践,分析了数字化变电站的特点,提出了传统变电站站用电应用技术存在的断相运行、接线组别、相位差以及无法进行无人值班等问题,讨论了四级空气断路器的运用,设置站用变高压侧开断电器,实行智能化的管理模式以及加强自动化技术的应用等创新数字化变电站站用电应用技术的具体方案。对数字化变电站站用电应用技术进行深入的研究,探讨更加行之有效的方案来实施整个数字化变电站站用电应用技术的创新,有利于推动整个电力行业的数字化进程。     

光电互联组装工艺流程设计

光电互联技术是解决电子设备向高频率、高速度、高集成发展瓶颈的关键技术,而组装工艺技术在光电互联中处于重要地位。针对光电互联要求高精度定位、高兼容性的特点,在分析光电互联技术原理的基础上,从新的角度提出光电互联的组装工艺难题,提出组装工艺解决方案,设计关键组装工艺流程。分析表明,通过控制组装工艺关键技术参数,设计合理的组装工艺流程,能够解决所提出的新组装工艺难题,满足基于光波导的光电互联技术的组装要求。     

On the Impact of Process Variations for Carbon Nanotube Bundles for VLSI Interconnect

Bundles of single-walled carbon nanotubes (SWCNTs) have been proposed as a possible replacement for on-chip copper interconnect due to their large conductivity and current-carrying capabilities. Given the manufacturing challenges associated with future nanotube-based interconnect solutions, determining the impact of process variations on this new technology relative to standard copper interconnect is vital for predicting the reliability of nanotube-based interconnect. In this paper, we investigate the impact of process variations on future interconnect solutions based on carbon nanotube bundles. Leveraging an equivalent RLC model for SWCNT bundle interconnect, we calculate the relative impact of ten potential sources of variation in SWCNT bundle interconnect on resistance, capacitance, inductance, and delay. We compare the relative impact of variation for SWCNT bundles and standard copper wires as process technology scales and find that SWCNT bundle interconnect will typically have larger overall three-sigma variations in delay. In order to achieve the same percentage variation in both SWCNT bundles and copper interconnect, the percentage variation in bundle dimensions must be reduced by up to 63% in 22-nm process technology