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VO2作为相变材料在激光防护领域有着广阔的应用前景,为了提高透过率,采用在红外波段透过率为70%的ZnSe做基片,用磁控溅射法制备了VO2薄膜.对不同条件下制备的VO2薄膜用X射线电子能谱仪(XPS)测试,并通过拟合来得到VO,V2O3,VO2和V2O5在薄膜中所占的比例.为提高4价钒的含量对薄膜进行了退火处理,根据薄膜中的钒氧的比例,采用了充氧加热退火,退火时间4 h,退火温度450℃,退火真空度2.5×10-2Pa,氧气流量6.5 sccm.4价钒含量提高到了接近60%,分析了退火对氧化钒薄膜中4价钒含量的影响. 相似文献
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使用射频溅射和溶胶-凝胶(Sol—Gel)两种方法在玻璃表面制备SiO2减反射薄膜,比较两种方法制备的薄膜减反效果。分析了Sol—Gel方法中溶胶浓度、陈化时间以及退火温度对薄膜透过率的影响。当溶胶浓度为0.4M、陈化时间为6天以及退火温度达450℃时,制得的样品透过率可达99.3%,采用红外光谱分析了SiO2溶胶及凝胶的结构变化过程,发现随着陈化时间和退火温度增加,Si—O—Si键增强。 相似文献
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纳米VO2薄膜的制备及其可见光透过率的改善 总被引:8,自引:3,他引:8
阐述了一种纳米VO2薄膜材料新型结构的制备方法.先用反应离子束溅射和退火工艺在玻璃基底上制备出具有相变特性的薄膜.HRTEM及XRD显示这种薄膜含有纳米量级的VO2颗粒,四探针测试电阻温度关系表明该类材料相变温度已经靠近室温,变化温度下测得的红外透过曲线表明该材料在相变前后具有良好的红外光开关特性.再针对该薄膜材料较低的可见光透过率,提出S iO2减反膜设计,取得了较好的实验效果.为开展VO2薄膜材料在智能窗类光电产品的应用研究打下了基础. 相似文献
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以溶胶-凝胶法制备Al掺杂的ZnO(AZO)薄膜,为了提高薄膜的结晶性,在氩气气氛中将所制备的薄膜分别在400℃ 、500℃和550℃温度下退火处理,研究不同退火温度对薄膜样品形貌和性能的影响。结果表明,所制备的AZO薄膜为六角纤锌矿结构,有很明显的c轴择优取向,随着退火温度增加,薄膜的结晶性与电导率均先增加后减小,其在可见光区域的平均透过率约为85%,当退火温度为500℃时,制备的AZO薄膜性能最佳,其品质因素可以达到2051.04Ω-1cm-1。 相似文献
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采用溶胶凝胶法在白云母沿(001)方向的解理表面制备VO2/TiO2热致相变复合薄膜。利用X射线衍射仪(XRD),X射线光电子能谱仪(XPS),原子力显微镜(AFM)等手段分析了薄膜的微观结构和表面形貌,通过原位傅里叶变换红外光谱(in-situ FTIR)分析复合薄膜在不同温度下的红外透过率,研究其热致相变特性。结果表明,复合薄膜在云母解理面表面呈VO2(011)/TiO2(101)取向生长,表面致密平整。复合薄膜在金属-半导体相变前后表现出优异的光学开关效应,相变过程中的红外光(波长为4 m)透过率变化(Tr)为75.5%;相变过程陡然,透过率变化率(-dTr/dT)达15.7%/℃,滞回温宽减小到8 ℃。 相似文献
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高性能智能窗用掺钨二氧化钒膜系的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
针对智能窗用的二氧化钒膜系需相变温度接近室温、红外调节率高、可见光透过率高等实际问题,通过薄膜设计(Coating designer,CODE)软件设计了一种由掺钨(Tungsten-doped,W-doped)二氧化钒(Vanadium dioxide,VO2)层和二氧化硅(Silicon dioxide,SiO2)减反层组成的高性能智能窗膜系。系统研究了各层膜的厚度对红外调节率和可见光透过率的影响,确定综合性能优良的膜系为玻璃/70nm掺钨二氧化钒/50nm二氧化硅,并采用大面积多靶磁控溅射系统制备出了该膜系。实验测得膜系的相变温度为38.2℃,红外调节率(2400 nm波长处)为40.4%,可见光的峰值透过率为46.3%。在太阳能红外波段,膜系具有良好的入射调节效果。此外,该膜系的制备方法与现有的大面积镀膜玻璃工艺兼容,适于工业化生产。 相似文献
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射频磁控溅射氧化钒薄膜的结构与性能研究(英文) 总被引:1,自引:0,他引:1
以非制冷微测辐射热计型红外探测器应用为需求背景,采用射频磁控溅射技术在300℃低温条件下制备了氧化钒薄膜。采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、能量色散谱(EDS)及X射线光电子能谱(XPS)技术表征了薄膜的结晶状态、微观结构与化学组成。采用四探针技术研究了薄膜的电学性能。结果表明该薄膜主要为非晶态的二氧化钒(VO2),并具有光滑的表面形貌。这种非晶VO2薄膜在22~100℃温度范围内不存在半导体-金属相变。100 nm厚的非晶VO2薄膜室温下的面电阻为600 kΩ/□,同时表现出-2.1%/℃的较高电阻温度系数(TCR),这表明该薄膜有希望用于非制冷微测辐射热计型红外探测器。 相似文献
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本文对不同衬底制备的VO2 薄膜进行了表面形貌测试 ,对其红外透射光谱和Raman光谱进行了研究 ,并进行 370nm -90 0nm波段的光透射测试以及 90 0nm波长的热滞回线特性测试 ,表明所制备VO2 薄膜具有优良的热致相变光学特性 ,薄膜为纳米结构 ,并且结晶状态不同的薄膜其Raman谱位置有明显改变 ,室温时的红外光谱表现出较好的红外振动特性。讨论了薄膜结晶状态对Raman位移的影响以及VO2 薄膜的红外光谱 相似文献
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磁控溅射结合快速热处理制备相变氧化钒薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
采用直流对靶磁控溅射结合快速热处理工艺制备了具有金属-半导体相变特性的氧化钒(VOx)薄膜。利用XRD,XPS和SEM对薄膜结晶结构、薄膜中V的价态与组分及表面微观形貌进行分析,利用四探针测试法及太赫兹时域频谱系统对薄膜的电学和光学特性进行测量。结果表明:新制备VOx薄膜以非晶态V2O5为主;350℃,30 s快速热处理后,薄膜中V的整体价态降低,表面颗粒分布更加致密;500℃,30 s快速热处理后,薄膜中VO2(002)向单斜结构的VO2(011)转变,VO2(011)占主要成分,薄膜显示出明显的金属-半导体相变特性,方块电阻下降达到3个数量级,太赫兹透过率下降接近70%,热致相变性能良好。 相似文献