GaAlAs/ GaAs 半导体功率放大激光器的研究

研究一种GaAlAs／GaAs材料的高功率半导体功率放大激光器(LD—SLA)。器件为双异质结增异导引氧化物条形结构。采用直接耦合方式将半导体激光器(LD)与半导体功率放大器(SLA)集成一体，使单管芯输出光功率提高一个数量级。并在器件端面镀高反射膜和增透膜，使器件端面的反射率和透射率由不镀膜时的29％、71％提高到90％以上，进一步提高激光输出。保护器件端面、提高器件使用寿命。     

980nm半导体激光器高反膜的优化设计

通过软件模拟和理论分析,对980BITI半导体激光器高反膜的结构进行了优化设计。选定Ta2O5／SiO2作为980nm半导体激光器的高反膜材料,通过软件TFCalc进行仿真,对3种不同膜系结构的反射率和电场强度进行了对比分析,对镀膜后和未镀膜的器件分别进行测试。仿真结果表明：膜系结构为A12O3（Ta205／SiO2）^7 Ta2O5的高反膜性能良好,镀膜后的阈值电流减小了20mA左右,斜率效率从0．48增加到了0．86。     

GaAlAs激光器腔面减反射涂层

通过对波长９１０ｎｍ ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ激光器谐振腔面蒸镀ＺｒＯ２膜的工艺过程，从理论和实验上分析了涂层特性，透射率由无膜时６２％提高到蒸镀膜后的９４％以上，提高了激光器的激光输出功率和工作寿命，对器件端面起到了保护作用。     

InGaAsP／InP半导体功率放大激光器耦合效率的研究

通过对波长1.3μm InGaAsP／InP的半导体功率放大激光器端面镀SiO减反射膜工艺过程,从理论和实验上分析了涂层特性,透射率由无膜时的69％和32.6％提高到镀膜后的90％和80％以上,提高器件的耦合效率、输出光功率和工作寿命。     

射频磁控溅射腔面镀膜半导体激光器的可靠性

利用射频磁控溅射法对半导体激光器的腔面镀 Si O2 膜 ,并对镀膜后的器件在恒定电流下进行了加速寿命实验 ,结果表明镀膜后器件的特性得到了很大改善。器件平均输出功率提高了 49.8% ,平均阈值电流下降了 7% ,平均斜率效率提高了 5 0 % ,而且射频磁控溅射方法所镀的膜具有粘附性好、膜层致密、厚度易控制、稳定性好、成本低等优点 ,器件的可靠性也有明显提高。     

掺铥钼酸钆钡晶体1.9μm腔面膜的研制

根据Tm3+∶BaGd2(MoO4)4激光晶体的发光特性,以厚度为1.1 mm的该晶体为基底,选择Ta2O5和SiO2作为高低折射率膜料,通过电子枪蒸镀的物理沉积方式分别在晶体两端面设计并镀制了输入膜系和输出膜系,同时采用霍尔离子源辅助沉积来增强晶体与膜层之间的结合力。镀膜后的晶体输入端面795 nm透过率大于90%,1.9 μm透过率小于0.2%;输出端面795 nm透过率小于10%,1.9 μm透过率等于6.55%。通过采用795 nm波长的半导体激光泵浦镀膜后的晶体,实现了1.9 μm准连续激光输出,结果表明该激光输入输出膜系的镀制满足激光器实验的使用要求。     

射频溅射AIN膜的材料性能及其在光电器件上的应用研究

本文描述了采用JS-450D型射频溅射设备,在GaAs衬底上获得了AIN薄膜。对这种膜在H_2、N_2中不同温度下退火实验,分析了热处理对膜绝缘特性、腐蚀特性和光学特性的影响。利用AIN膜来保护光电器件、提高激光器和发光管的功率、降低激光器的阈值电流等作了工艺探讨。实验发现:利用端面镀膜技术,在LED前端面溅上一层AIN(厚为λ/4n,λ为LED发光波长,n是AIN膜的折射率)后,其P-I曲线明显地变化,发光管的功率平均提高了69％(I=100mA)。     

半导体发光器件的一种新的端面保护和减反射介质膜

人们早已开始研究半导体发光器件的端面保护和减反射膜,但直至现在成功地用来做保护和减反射膜的只有O、SiO、Al_2O_3和SiN等几种电介质膜。此外,氮化铝(AlN)膜的制备和它的性质及其应用也有所研究。本文报道溅射AlN膜用来做半导体发光器件端面保护和减反射膜的实验研究结果,发现溅射AlN膜将是半导体光电器件的一种新的具有良好性     

GaAlAs/ GaAs 半导体功率放大激光器的研究

研究一种GaAlAs/ GaAs 材料的高功率半导体功率放大激光器(LD - SLA) 。器件为双 异质结增异导引氧化物条形结构。采用直接耦合方式将半导体激光器(LD) 与半导体功率放大器(SLA) 集成一体,使单管芯输出光功率提高一个数量级。并在器件端面镀高反射膜和增透膜,使器件端面的反射率和透射率由不镀膜时的29 %、71 %提高到90 %以上,进一步提高激光输出。保护器件端面、提高器件使用寿命     

(AlGa)As可见光激光器的镜面保护

本文介绍了一种可见光激光器端面镜面保护方法。用电子束蒸发在可见光激光器的两个镜面上分别镀上0.75 λ/2和λ/2厚的 Al_2O_3钝化膜,并就镀膜对激光器性能的影响进行了测试研究。经过镜面保护的可见光激光器寿命有很大改善,且由于一个端面镀上0.75 λ/2抗反射膜,使激光器的极限输出功率有一定的提高。     

金刚石/硅复合膜的导热特性研究

用金刚石粉,用不同时间在两片镜面抛光的(111)硅基片上分别打磨.两片硅基片打磨后都仍保持镜面特征.采用微波等离子体化学气相沉积系统,利用氢气、甲烷和氧气为前驱气体,在同样参数条件下,在基片上制备了直径5 cm的金刚石薄膜.用扫描电镜和X射线衍射分析两片薄膜结构.分析结果表明其表面形貌基本相同都为(111)择优取向的金刚石薄膜;但X射线衍射分析表明打磨时间较长的薄膜中含有一定量在非晶成分.用热导测试仪测试两薄膜和硅基片的热导率约为:241.7 W/mK,192.9 W/mK和169.3 W/mK.结合扫描电镜和X射线衍射分析结果我们讨论了基底处理对金刚石/硅复合膜的导热特性的影响.     

高介电常数Ta/Al_2O_3复合膜的制备及性能研究

首次在溴的丙酮溶液中,以钽为阳极,氧化铝为阴极,通过直流电沉积方法制备了Ta/Al_2O_3复合膜。借助LCR数字电桥、SEM、EDS等测试手段对Ta/Al_2O_3复合膜的介电性能及微观结构进行了分析与表征。研究表明:Ta/Al_2O_3复合氧化膜的表面沉积了质量分数为41.77%的钽。与普通铝阳极(Al_2O_3)氧化膜相比,复合氧化膜的电容提高了50%以上,这主要归因于介电常数较高的钽在复合氧化膜表面的沉积。     

BiFeO_3/Bi_4Ti_3O_(12)多层铁电薄膜的性能研究

采用sol-gel法在FTO/玻璃底电极上制备了BiFeO3/Bi4Ti3O12多层薄膜。研究了室温下薄膜的结构,铁电和漏电流性质。结果表明,相对于纯的BiFeO3薄膜,BiFeO3/Bi4Ti3O12多层薄膜具有更低的漏电流,表现出较强的铁电性,在4.40×105V/cm的测试电场强度下,剩余极化强度为3.7×10–5C/cm2。在2.00×105V/cm的测试电场强度下,BiFeO3和BiFeO3/Bi4Ti3O12薄膜的漏电流密度分别为10–5和10–7A/cm2。     

真空热处理对NiCrA1Y薄膜表面高温氧化的影响

采用直流磁控溅射法在镍基高温合金DZ4上制备了NiCrA1Y薄膜,并对NiCrA1Y薄膜进行真空热处理后再进行高温氧化,以生成一层致密的Al2O3膜,研究了真空热处理对NiCrAlY薄膜表面高温氧化的影响.结果表明:经过真空热处理的NiCrA1Y薄膜,高温氧化后表面生成了单一、稳定的α-Al2O3相,Al和O的粒子数分...     

空气中烧成的镍导体及其应用

将空气中烧成的镍导体用于散热制冷片制作工艺中，可降低成本，提高合格率。通过实验得到的最佳值为：镍导体中４号玻璃（ＳｉＯ２＞３０，Ｂ２Ｏ３＞１０，ＰｂＯ＜５５，ＴｉＯ２少许）的含量４．５％，化学镀镍时间５０ｍｉｎ，方阻４７．５ｍΩ／□，附着力８．１Ｎ／ｍｍ２。     

多晶硅薄膜晶体管的表面氮钝化技术

采用N2O和NH3等离子钝化技术对多晶硅薄膜表面和栅氧表面进行了钝化处理。实验结果表明,该技术能有效降低多晶硅薄膜的界面态密度,提高多晶硅薄膜晶体管性能,二次离子质谱分析表明在p-Si/SiO界面有氮原子富积,说明生成了强的Si-N键。     

用于有源矩阵液晶显示的Ta-Ta2O5-Ta MIM薄膜二极管

本文介绍了一种用于有源矩阵液晶显示、具有对称结构的ＭＩＭ薄膜二极管,其中Ｔａ２Ｏ５膜采用溅射／阳极氧化两步法制成。实验结果表明,用此法制备的氧化钽膜作绝缘层的ＭＩＭ二极管,具有良好的开关特性,较大的通断比和较好的伏安特性对称性     

谐振腔衰荡法检测激光高反射薄膜损耗

光学薄膜的损耗类型主要涉及吸收和散射,精确测定其数值是制备具有高品质和灵敏度指标激光薄膜的前提。本文以薄膜光学和激光技术为背景,介绍了谐振腔衰荡检测高反射薄膜的原理、特性以及测试方法。以1064 nm和1311 nm的高反射膜层为例,利用Losspro激光测试装置,对于二氧化锆(ZrO2)、五氧化二钽(Ta2O5)材料获得百万分(ppm)量级精度的损耗数据后,针对不同薄膜材料和工艺方法进行了对比检测,分析认为速率控制和离子束能量对于相同材料的激光高反射薄膜具有明显的影响,进而为薄膜样品的制备奠定了技术基础。     

电泳沉积法制备纳米CoFe2O4厚膜

利用电泳沉积法在Pt/Al2O3衬底上成功制备了纳米CoFeqO4厚膜,分析了电泳沉积纳米CoFe2O4厚膜的影响因素.利用Zeta电势测试仪测试了悬浮液的Zeta电势和电导率,利用X射线衍射仪和场发射扫描电子显微镜分析了厚膜的组分和微观形貌,利用振动样品磁强计和漏电流测试仪测试了厚膜的性能.结果表明,电泳沉积法制备C...     

纳米氧化层对坡莫合金薄膜性能的影响

采用磁控溅射的方法制备了Ta/NiFe/Ta磁电阻薄膜,分别将CoFe-NOL和Al2O3插层引入NiFe薄膜,研究纳米氧化层(NOL)对NiFe薄膜性能的影响。实验结果表明:将CoFe-NOL引入NiFe薄膜,CoFe-NOL对NiFe薄膜性能有重要影响,并且CoFe-NOL在薄膜中的位置不同影响效果也不同;CoFe-NOL处于Ta/NiFe界面时,由于破坏了NiFe薄膜的织构,导致了NiFe薄膜的各向异性磁电阻(AMR)值的减小和矫顽力的上升;CoFe-NOL处于NiFe/Ta界面时,则不会破坏NiFe薄膜的织构,其AMR值和矫顽力基本没有变化。将Al2O3插层引入NiFe薄膜,由于Al2O3插层的"镜面反射"作用,合适厚度的Al2O3插层可以改善薄膜的微结构,提高薄膜的磁电阻值,改善薄膜的磁性能。当Al2O3插层厚度为1.5 nm时,NiFe薄膜有最佳的微结构和性能。