HCl氧化物MOS结构中钠离子的钝化

用Q-t,TVS,C-V和TSIC方法研究了HCl氧化物MOS结构中的钠离子纯化和陷阱能量分布.在含有很干燥的 0-10％ HCl的氧气氛中进行硅的热氧化,温度 1160℃,时间35分钟,然后制成MOS结构.当钠的沾污范围为10~(11)到2.5 ×10~(15)离子/厘米~2时,大于4％的HCl氧化物的钝化效率为 99.5％到 99.99％。在 HCl MOS结构的硅边有两种陷阱态:带电态和中性态,中性态的陷阱能量依赖于HCl的浓度和BTS处理时的温度和电场强度.     

PN结电容微分量频谱

本文用单一能级深陷阱模型研究了含深陷阱中心的PN结电容(C)及其微分量((dC)/(dω))与频率(ω)的关系,得到了相应的解析式.理论分析结果表明:电容微分量是一个具有峰值的函数,其峰值、峰位与深陷阱密度及载流子发射时间常数相关.由此提供了一种利用PN结的 C-ω特性确定深陷阱参数的新方法.用此方法,在室温(300K)条件下,测定了 P~+N结中的金受主能级的俘获截面σ_?=(5.6±0.8)×10~(-16)cm~2.     

多陷阱相干效应对氧化层电流弛豫谱的影响

本文用单陷阱产生一俘获模型和一级电场因子近似弛豫函数研究了“多陷阱相干效应”对簿栅氧化层电流弛豫谱(OCRS)的影响。给出了高场下、多陷阱共存时,各陷阱OCRS峰并存的条件和峰位、峰值的修正公式。     

微波相敏技术在光学材料特性研究中的应用

利用微波相敏技术,获得了用硫作不同时间表而处理AgBrI品体自南光电子和束缚光电子时间衰减信号．分析了光电子衰减时间、电子陷阱效应、光电子寿命、有效陷阱深度及束缚电子转移时间与表而处理时间的关系,获得了最佳的表面处理时间为45分钟,有效陷阱深度为0．255～0．265eV。     

γ辐照对MOS结构中可动离子的影响

本工作利用TSIC和B—T测量研究了经~(60)Coγ射线辐照后MOS结构的SiO_2薄膜中可动离子能量状态和数量的变化。研究表明,辐照后SiO_2膜中可动离子的最可几陷阱能量下降,且离子总量大大减少。利用内建场增强离子发射模型和可动离子中性化模型对实验结果进行了讨论。计算表明理论与实验吻合较好。     

激光相变硬化处理的模拟

研究用矩形匀强激光光斑相变硬化处理金属材料的移动热源、机理与模拟计算等问题,建立了表面以下各部分材料的最高温度与距表面深度的关系曲线簇。从而可按要求的淬火(硬化)层深度等计算确定激光相变硬化处理参数,结果表明理论计算值与实验结果相符。     

有机发光二极管中空间限制电流的解析模型

文中指出了J-V的解析方程不是漂移方程和泊松方程的严格解,通过分析Pasveer文章中迁移率跟载流子浓度和电场强度的关系,发现载流子浓度的依赖关系是没有必要的。同时对目前流行的Poole-Frenkel模型进行近似化处理,得到了依赖于电场强度的迁移率关系,并在这个近似化处理后的依赖关系的基础上漂移方程和泊松方程能够被严格地解出来,通过把电流-电压方程(关系)的解析模型应用于半导体聚合物,很好地描述了伏安实验数据。     

Wollaston式对称分束偏光棱镜

基于Wollaston棱镜的结构,给出了对称分束偏光棱镜的一种新的设计,即通过修正光束的出射端而来实现对称分束.给出了出射端面的修正角与棱镜的结构角之间的关系式.以632.8nm波长为例分析了出射端面的修正角与棱镜的结构角之间的关系曲线,并且分析了此修正角与波长的关系曲线.     

用激光感应荧光法测量钇原子束中的原子速度分布

本文用激光感应荧光法测量了钇原子束的速度分布曲线。其最可几速度为820m/s,速度分布半宽度为510m/s。由等熵关系,估计此时钇原子源的温度为1587K。     

离子注入在SiO_2中引入的陷阱中心

本文主要研究B~+、P~+、As~+离子注入的MOS结构经高温(>860℃)退火后的氧化层陷阱行为.用所建立的雪崩热电子注入及高频 C-V特性联合测量装置,研究了这类陷阱的荷电状态、有效密度、电子俘获截面及与注入离子的关系;利用陷阱电子解陷的热激电流技术,研究了As~+注入氧化层中陷阱的能级深度.     

渗硼层激光熔化急冷处理

研究了45钢Fe_2B硼化层经激光熔化处理熔池深度和激光参数之间的关系及临界熔化层中的相分布,发现:(1)在给定的激光功率密度下,熔池深度H与扫描速度v有如下关系:H=K/v~(0.65);(2)熔区中某一区段出现了FeB相;(3)在硬度-距离曲线上有一硬度峰,峰高和峰位随扫描速度而异并与相分布有关.     

相干光时域反射计的光频扫描扩展检测

通过改变微波电光调制器的调制频率,实现光频率扫描。利用光频移产生的后向瑞利散射光干涉图样的变化,可得到传感温度变化信息。基于温度变化前后两次扫描频率曲线的互相关特性及其与温度变化量的对应关系,提出了光频率扫描扩展方案。理论分析和实验结果表明,该方案可有效提高系统的温度测量检测范围。实验中,信噪比提升了2.13 dB,系统可检测的最小温度变化量约为0.029℃。     

新生界面陷阱对Fowler-Nordheim电压漂移的影响

用陷阱俘获模型和恒流方法研究了新生界面陷阱对薄氧化层MOS电容器的F-M(Fow-ler-Nordheim)电压(V_(FN))的影响,得到了电压漂移量△V_(FN)随时间变化的解析表述式.分析结果表明:(d△V_(FN))/(dt)vs △V_(FN)曲线可以用几段直线描述.采用线性化技术,可以方便地识别多陷阱现象.并分别提取原生陷阱及新生陷阱参数.实验结果表明:在恒流隧道电子注入的初始阶段,F-N电压漂移量主要由新生界面陷阱的电子俘获过程所决定,紧接着是原生氧化层体陷阱的电子俘获,然后是新生氧化层体陷阱的电子俘获.     

改进型对称分束偏光棱镜

为了得到对称分束的偏光棱镜,采用了对常规渥拉斯顿棱镜进行改进的方法,即通过修正o光束的出射端面来实现对称分束.得到了o光束出射端面的修正角与棱镜的结构角之间的关系式.以632.8nm波长为例分析了o光束出射端面的修正角与棱镜的结构角之间的关系曲线和修正角与波长的关系曲线.结果表明,此种设计既可实现对称输出,并且具有设计简单,加工方便等特点.     

一款900V VDMOS的VLD终端结构设计

采用横向变掺杂(Varied Lateral Doping,VLD)终端设计,通过推导菲克第二定律得到了线性变化的P阱掺杂曲线边端,并讨论了线性掺杂曲线与终端耐压之间的关系,最终在此基础上设计了一款900 V VDMOS功率器件。在140μm终端长度上仿真实现了947 V的耐压,且最大表面电场强度为1.65×105 V/cm,有效提高了终端的可靠性;与传统功率器件的制造工艺兼容,同时没有增加额外的掩膜与工艺步骤。     

基于滤光片型可变光衰减器的测试及控制设计

以Santec公司OVA-650可变光衰减模块为设计对象,设计制作用户可控制数字光衰减器.分析OVA-650的衰减原理,建立测试系统,确定步进电机移动步数与衰减量之间的关系.测试OVA-650内部衰减量与反馈电压之间的对应关系并建立衰减量与电压的对换表,采用Matlab进行数值分析及曲线拟合,得到衰减量与电压关系的真实曲线,建立对应关系.建立用户控制系统,键盘输入用户想得到的衰减量.本设计采用二相八拍控制步进电机,选择12位模数转换芯片MAX197,并采用自适应环路算法,精确定位到键盘输入的衰减量,可控制范围为0～35dB,整个系统误差控制在±0.1dB以内,液晶显示到0.01dB.     

不同金属栅极的M-SiO_2-Si系统可动离子界面陷阱能量分布的研究

<正> 在当前大规模集成电路和微波、功率晶体管的发展中,电极已不复限于铝.诸如钛、铝、铜、金等已被广泛采用.特别是钼栅LSI的发展使人们对可动离子在M-SiO_2-Si系统中的运动动力学性质感兴趣.大量实验已证明可动离子在SiO_2中的输运性质和在界面陷阶中的分布,不能用单能极模型来描述,而是在陷阱中,按能量有一个分布.本文就是利用我们提出的,直接从实验TSIC曲线求出可动离子界面分布的近似方法,研究了用不同金属材料作为栅电极时,M-SiO_2-Si系统中可动离子的输运性质和它们在界面陷     

II-VI族半导体特性参数的三维边缘元分析

本文用三维边缘元方法分析了电导率为张量的有间隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的散射特性;给出了散射参数与半导体特性参数之间的关系曲线并说明了用这些曲线确定Ⅱ-Ⅵ族半导体电特性参数的方法。该方法直接从泛函变分出发,避开了其它方法中求解有损超薄各向异性介质填充波导本征值问题的困难,简化了求解过程。计算结果与实验值的比较证实了本方法具有有效、可靠和精确的特点。     

后栅工艺高k/金属栅结构NMOSFET偏压温度不稳定性特性研究

本文对后栅工艺高k/金属栅结构NMOSFET偏压温度不稳定性特性进行了研究。在加速应力电压和高温条件下,NMOSFET的阈值电压的退化与时间呈幂指数关系。然而幂指数随应力电压的增大而减小;在本文中,应力从0.6V到12V,幂指数则相应的由0.26减小到0.16。通过对应力前后器件的亚阈值特性分析,在应力过程中没有界面态产生。根据实验数据提取到数值为0.1eV的热激活能,表明偏压温度不稳定性是由栅介质中预先存在的陷阱俘获从衬底隧穿的电子造成的。恢复阶段的测试显示阈值电压的退化与对数时间呈线性关系,同时可以用确定的数学表达式来表明其与应力电压和温度之间的关系。     

红色长余辉材料CaTiO3:Pr3 中两种电子陷阱的研究

用高温固相法制得了钙钛矿结构的红色长余辉材料CaTiO3：Pr^3 。其发射光谱峰值为612．3nm和614．7nm，激发光谱的峰值为342nm和400nm；在温度110～400K内有4个热释峰，峰值温度基本在153K、242K、279K和327K附近。在不同掺杂下热释光曲线的变化表明，153K和242K的热释峰分别对应于O空位和Ti^4 形成的电子陷阱。从不同样品的热释光曲线和余辉曲线变化情况可看到，这两种电子陷阱是影响材料余辉性能的主要因素。Zn^2 的掺入改变了陷阱的分布状况，提高了材料的余辉性能。