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ITO膜的特性受到溅射过程中很多因素的影响,但是实验证明ITO膜的沉积速率与溅射过程中等离子体的特征光谱强度及此时靶电流比值成正比。本文提出了用光谱法在线控制ITO透明导电膜的制备过程、实验结果。 相似文献
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MIM薄膜二极管Ta_2O_5绝缘膜的AFM分析及其I-V特性研究 总被引:3,自引:1,他引:2
黄蕙芬 《固体电子学研究与进展》1999,19(4):372-376
制备了一种用于有源矩阵液晶显示的Ta-Ta2O5-Ta 结构MIM 薄膜二极管。其中,作为介质层的Ta2O5 膜由不同成膜技术得到。采用原子力显微镜(AFM)对Ta2O5 膜进行了表面形貌分析,并对其MIM 二极管的伏安特性进行了测试与比较。结果表明,用溅射/阳极氧化二步法制备的Ta2O5 膜作绝缘层的MIM 二极管,其I-V特性的非线性系数β= 25,远高于阳极氧化法及溅射法所得Ta2O5 膜的MIM 二极管的非线性系数(β= 9和5),电流通断比(105)分别较阳极氧化法及溅射法工艺制备的MIM-TFD高1和3 个数量级,且其伏安特性的对称性也较好 相似文献
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通过控制室温下射频磁控溅射过程中不同的氩气工作气压、溅射功率和沉积时间,在石英玻璃上沉积Al掺杂ZnO(AZO)薄膜,探究了三种工艺条件对制备的AZO薄膜的微结构及光电性能的影响。所制备的AZO薄膜经500℃退火后均为六方纤锌矿结构,具有优异的透明度,在可见光范围内的平均透过率均在86%以上。在气压0.25 Pa、功率200 W下,溅射时间为10 min时,薄膜的电阻率低至5.04×10-3Ω·cm,而溅射时间为15 min时,Haacke性能指数最优,为0.314×10-3Ω-1。结果表明,磁控溅射制备的AZO薄膜的晶体结构、方阻和透过率等特性与制备过程中的气压、功率和时间密切相关,通过评价性能指数可指导优化AZO薄膜的制备工艺。 相似文献
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CuInSe_2系粉体材料的研究现状与展望 总被引:1,自引:0,他引:1
CuInSe2(简称CIS)及其衍生物因其优良的光伏特性而成为薄膜太阳能电池领域的研究热点。详细介绍了CIS系粉体的各种制备方法与研究进展,评述了各制备工艺的特点;并介绍了CIS系粉体在光电领域的应用情况。总结了CIS系粉体的研究现状,并提出了利用其制备溅射靶材以大幅度改进现有吸收层薄膜制备工艺的思路。 相似文献
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用溅射的方法来制备ITO膜已应用于平板显示技术,特别是高速磁控溅射技术的出现,又使ITO膜实现大量生产成为可能。本文详细论述了ITO膜生产线的设计要点,总体方案及其技术性能,并分析了各种工艺参数对ITO膜的透光率、面电阻等主要技术指标的影响。 相似文献
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用直流磁控溅射法在玻璃衬底上成功制备出了铝钛共掺杂氧化锌(TAZO)透明导电薄膜,研究了溅射压强对TAZO薄膜的微观结构和光电特性的影响。研究结果表明,所制备的TAZO薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向。当溅射压强为7.5Pa时,薄膜的最小电阻率为3.34×10-4Ω.cm。薄膜的可见光区平均透过率大于89%。溅射压强对薄膜的电阻率和微观结构有显著影响。 相似文献
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掺锆氧化锌透明导电薄膜的制备及特性研究 总被引:3,自引:2,他引:1
利用射频磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上成功地制备出了掺锆氧化锌(ZnO:Zr)透明导电薄膜.研究了溅射功率对ZnO:Zr薄膜结构、形貌和光电性能的影响.研究结果表明,溅射功率对ZnO:Zr薄膜的结构和电阻率有显著影响.X射线衍射(XRD)表明,ZnO:Zr薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有C轴择优取向.在溅射功率为150 W时,实验获得的ZnO:Zr薄膜电阻率具有最小值3.8×10-3Ω·cm.实验制备的ZnO:Zr薄膜具有良好的附着性能,可见光区平均透过率超过92%.ZnO:Zr薄膜可以用作薄膜太阳能电池和液晶显示器的透明电极. 相似文献
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通过射频磁控溅射法,采用高温溅射、低温溅射高温退火两种不同的工艺制备了钛酸锶钡(BST)薄膜。分析两种不同的工艺对BST薄膜的结构、微观形貌及介电性能的影响。采用X线衍射(XRD)分析了样品的微观结构。采用扫描电镜(SEM)和台阶仪分别测试了样品的微观形貌和表面轮廓。通过能谱分析(EDS)得到了薄膜均一性的情况。最后通过电容 电压(C V)曲线测试得到BST薄膜的介电常数偏压特性。结果表明,与低温溅射高温退火工艺制备的BST 薄膜相比,高温溅射制备的BST薄膜结晶度好,致密性高,表面光滑,薄膜成分分布较均一。因此,采用高温溅射得到的BST薄膜性能较好。在频率300 kHz时,采用高温溅射制备的BST薄膜介电常数为127.5~82.0,可调谐率为23.86%~27.9%。 相似文献
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以ZnO为靶材,采用射频磁控溅射法,在衬底温度为450℃、混合气体压强为1.3Pa的条件下,在石英玻璃和抛光单晶硅衬底上沉积了一系列呈六角纤锌矿结构、沿(0002)晶面高度取向生长的ZnO薄膜.利用X射线衍射、四探针、原子力显微镜、吸收光谱和光致荧光光谱等实验分别对薄膜样品的晶体结构、表面形貌和光电特性进行了分析表征.结果表明,氮对ZnO薄膜的缺陷有明显的钝化作用,气体组分、溅射功率是影响ZnO薄膜沿C轴择优取向生长、结构特征和光电性质的重要因素. 相似文献
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采用磁控溅射法,在玻璃基底上一步沉积In2S3薄膜.研究了溅射功率对In2S3薄膜的成分、结构、表面形貌和光电性能的影响.结果表明:所制备的所有薄膜均为β-In2S3,无杂相存在,且具有(222)面择优生长特性.溅射功率对薄膜的成分、厚度和结晶度具有明显的影响,并因此影响薄膜的光学和电学性能.薄膜在100 W沉积时最接近化学计量比,薄膜的透过率随着溅射功率增大在500 nm波段附近显著提高,禁带宽度达到2.45 eV,同时电流密度增大两个数量级. 相似文献