从微电子到纳电子

从器件优值(功耗-延时积)出发,在介绍了微电子和纳电子技术发展现况的同时,讨论了从微电子到纳电子的演变本质;同时指出,信息处理系统在SOC(片上系统)发展过程中变革的必然性.最后对纳电子学与微电子学内涵的主要差别进行了预测.     

从微电子到纳电子

从器件优值(功耗-延时积)出发,在介绍了微电子和纳电子技术发展现况的同时,讨论了从微电子到纳电子的演变本质;同时指出,信息处理系统在SOC(片上系统)发展过程中变革的必然性.最后对纳电子学与微电子学内涵的主要差别进行了预测.     

纳电子学的发展

进入21世纪,2004年集成电路的特征尺寸已进入90 nm节点,标志着微电子进入一个新的纪元,即进入了纳电子时代。介绍和总结了纳电子的新进展,包括纳电子的两条发展技术路线:其一是继续按自上而下的方法,以CMOS技术为基础,不断改变栅结构,改变沟道材料,增强控制电子的能力;其二是自下而上的新思路,采用新的器件结构,向自组装发展。此外,还介绍了"后CMOS"器件的工作原理、当前的实验以及和MOSFET相关的性能和面临的挑战。并预计了纳电子未来发展的趋势。     

电子封装技术研究与教育机构十年发展

电子封装技术是为基本的电子电路处理和存储信息建立互连和合适操作环境的科学和技术,是构成芯片-器件-组件-产品的桥梁.电子封装是基础制造技术,同时又是-门新兴的交叉学科,涉及到封装材料、电磁设计、结构设计、热管理、微纳制造、电子器件、可靠性等较宽的知识范围.电子制造的特点是技术发展迅速、更新换代极快.电子封装正在从芯片-元件-组件-系统的传统制造模式向系统封装的模式转变,圆片级封装、系统封装、三维封装等先进封装技术已经开始走向市场.封装占电子器件和微系统的制造成本的比重越来越大,在先进封装中达到60％.在高端封装中技术与人才的竞争更为激烈.     

从微电子到纳电子

从器件优值(功耗-延时积)出发，在介绍了微电子和纳电子技术发展现况的同时，讨论了从微电子到纳电子的演变本质；同时指出，信息处理系统在SOC(片上系统)发展过程中变革的必然性，最后对纳电子学与微电子学内涵的主要差别进行了预测。     

纳电子器件的少电子输运性质及应用

在纳电子器件运输工程中,需要将纳电子器件的少电子输运性质进行有效的分析,以此充分发挥出纳电子器件的少电子所蕴藏的巨大作用。另外,也要加强纳电子器件少电子的应用,促进我国纳电子器件的发展。     

自由电子入射路径对光子晶体辐射的影响

电子掠过周期金属结构会激发Smith-Purcell辐射。微纳加工工艺的发展推动了具有复杂结构的微纳金属人工材料的加工,因此人们开始聚焦于电子激发微纳周期结构所出现的辐射现象。本文研究了运动线电子束团激发金属光子晶体所激发辐射的特点和规律,重点讨论了如何利用自由电子去激发金属光子晶体结构,从而取得最大的辐射强度。     

纳电子器件的少电子输运性质及应用

在介绍纳电子器件基本输运理论基础上,着重分析量子点结构器件模型,讨论了量子点上能级分立和电子填充的各种情况,以及电子自旋的影响,特别强调了纳米限制系统中局域态电子和非局域态电子相互作用特征。综述了目前纳电子器件的研究进展及其应用。     

激光微纳连接技术研究进展

激光微纳连接技术是实现微纳米结构、电子元器件批量化生产的基础,是微纳制造领域的关键技术.在简要介绍微纳连接技术的应用需求和主要技术方法的基础上,重点对微纳尺度的激光连接技术进行了分析和论述.首先介绍了激光连接技术的尺寸范围,然后根据其工艺特性的不同选取三种典型的激光微纳连接技术,即激光微焊接,微纳尺度的激光软钎焊和激光...     

基于SiP技术的VCSEL阵列微系统封装

针对半实物仿真系统的需求,基于系统级封装技术提出了一款由垂直腔面发射激光器(VCSEL)激光器阵列、激光器驱动芯片、电源芯片等组成的微系统,并介绍了基于微机电系统微纳加工技术的VCSEL激光器阵列的制造工艺流程.该激光器的封装方法具有集成度高、可靠性高等特点,相比于其他驱动及封装方法大大提高了驱动效率和空间利用率,因此在光学成像、通信、互联等领域具有广泛应用前景,为实现半实物仿真中激光成像发生器奠定了基础.     

电子封装材料用金刚石/铜复合材料的研究进展

电子技术的快速发展对封装材料的性能提出了更严格的要求.针对封装材料的发展趋势,金刚石/铜复合材料作为新一代的电子封装材料受到了广泛的重视.概述了金刚石/铜复合材料作为封装材料的优良性能及其制备工艺进展,并对其发展方向进行了展望.     

高导热聚合物基复合封装材料及其应用

微电子封装密度的提高对传统环氧塑封料的导热性能提出了更高的要求,将高导热的陶瓷颗粒/纤维材料添加到聚合物塑封材料中可获得导热性能好的复合型电子封装材料。文章结合高导热环氧塑封材料的研究工作,评述了高热导聚合物基复合封装材料的材料体系、性能特点和在微电子封装中的应用情况。分析讨论了影响聚合物基复合电子封装材料导热性能和介电性能的因素,提出了进一步提高聚合物基复合电子封装材料导热性能的途径。     

CAD技术在电子封装中的应用及其发展

现代电子信息技术的发展,推动电子产品向多功能、高性能、高可靠性、小型化、低成本的方向发展,微电子封装、IC设计和IC制造共同构成IC产业的三大支柱。计算机辅助设计(CAD)作为一种重要的技术手段在IC产业中发挥了巨大作用,已广泛应用于电子封装领域。本文结合各个时期电子封装的特点,介绍了封装CAD技术的发展历程,并简要分析了今后发展趋势。     

电子封装用高导热金属基复合材料的研究

高导热金属基复合材料具有优异的热物理性能,且密度较低,是非常理想的电子封装材料。但是由于其本身高的脆性和硬度,使得该材料很难通过二次机械加工成所需要的形状,严重制约了该材料的应用。本文总结了本实验室在第三代SiCp/Al电子封装材料以及第四代金刚石/Cu（或Al）电子封装材料的近净成形制备方面所取得的一些突破性成果,并就相关的关键工艺进行了讨论,论文最后对电子封装用高导热金属基复合材料未来的发展做出了展望。     

绿色电子制造及绿色电子封装材料

阐述了绿色电子制造(包括电子封装)概念起源、定义以及基本内涵和范畴,并从电子封装用互连材料、被连接材料和封装后清洗过程这三个方面全面阐述了绿色电子封装的主要内容,重点评述了目前绿色电子封装材料(包括无铅钎料、钎剂、焊膏和导电胶等)的研究现状和面临的问题.最后,展望了绿色电子制造及绿色电子封装材料的未来发展趋势.     

浅析新材料在高密度电子封装上的应用及发展前景

在电子产品集成化程度高且小、轻、薄的发展趋势影响下,电子封装技术日趋重要。因此,该文从高密度封装所产生的一系列问题,以及对封装材料的新要求谈起,对陶瓷材料、纳米复合材料及AlSiC金属基体复合(MMC)封装材料等封装新材料的结构性能、可靠性及封装效果等进行了讨论,并与传统封装材料进行了比较,并探讨了这些封装新材料的发展和应用前景。     

现代电子封装技术

根据国际电子封装的发展，论述了电子封装的地位和作用，回顾了电子封装的发展简史，提出现代电子封装的概念，并就发展我国电子封装发表几点建议。     

电子封装技术的最新进展

现今集成电路的特征线宽即将进入亚0.1nm时代,根据量子效应这将是半导体集成的极限尺寸,电子产品小型化将更有赖于封装技术的进步.概括总结了SiP三维封装、液晶面板用树脂芯凸点COG封装、低温焊接等技术的最新进展.并对SiP三维封装技术中封装叠层FFCSP技术进行了着重的阐述.指出随着低温焊接、连接部树脂补强以及与Si热膨胀系数相近基板的出现,电子封装构造的精细化才能成为可能,为各种高密度封装、三维封装打下坚实基础.     

晶圆级CSP技术的发展展望

简要阐述了集成电路的封装的发展趋势,对晶圆级CSP封装的现状和未来进行了简要论述。     

金属粉末-聚合物复合导电胶研究进展

随着电子封装工艺的发展,越来越多的人们致力于研发更高性能、环境友好的新连接材料,以聚合物为基体的复合导电胶在电子封装领域的应用也由此越来越广泛。文章介绍了导电胶的分类和组成,以及改善导电胶性能的方法与技术,从宏观和微观角度对导电机理进行了探讨并对研究前景做了展望。