共振简并四波混频位相共轭研究

本文采用Nd:YAG激光的倍频光,选择了有机染料溶液、碘溶液和碘蒸气等作为简并四波混频的共振介质,研究了共振吸收介质的浓度、样品池厚度对DFWM的影响。实验较详细地研究I_2溶解于不同有机溶剂时,位相共轭信号强度与溶剂的关系,并对I_2蒸气的简并四波混频光谱作了初步的尝试。     

(101)单轴应力对Si材料电子电导率有效质量的影响

由Schrdinger方程出发,基于(101)单轴应力下Si材料导带E-k解析模型,重点研究沿任意晶向(101)单轴应力对Si材料电子电导率有效质量的影响。结果表明:(101)单轴应力沿0°和45°晶向均导致导带底附近的六度简并能谷分裂成两组分立的能谷;(101)单轴张应力下,沿45°晶向的电子电导率有效质量随应力增大而明显减小,沿0°和90°晶向的电子电导率有效质量随应力增大而明显增大;(101)单轴压应力下,Si材料沿高对称晶向的电子电导率有效质量随应力增大而明显增大或几乎不变。     

碲镉汞远红外回旋共振和电子有效质量

用远红外激光磁光光谱系统测量了N-Hg_(1-x)Cd_xTe(x≈0.2)的回旋共振,同时用三带模型从理论上计算了样品的朗道能级、电子有效质量和有效g-因子,从回旋共振有效质量的实验值与理论值的比较中获得了带底有效质量及g-因子及其与温度和组份的关系。     

Hg_(1-x)Cd_xTe反型层子能带结构的实验研究

本文在4.2K下测定了液相外延HgCdTe MIS结构样品的电容谱,磁阻振荡以及迴旋共振效应,并从实验测量结果,采用物理参数拟合法,确定了该样品在电量子限条件下反型层电子子能带结构,包括基态子能带能量E_o、费密能级E_F,子能带电子有效质量m~*(E_F)、m~*(E_o)、反型层平均厚度Z_i、耗尽层厚度Z_d,以及它们随子能带电子浓度N_s的变化。     

简并Hg_(1-x)Cd_xTe半导体的费密能级和Burstein-Moss效应(详细摘要)

本文讨论了Hg_(1-x)Cd_xTe窄禁带半导体在费密能级筒并情况下,本征载流子浓度计算公式的应用,并计及导带电子浓度的非抛物带修正因子,计算了简并Hg_(1-x)Cd_xTe半导体的费密能级。本文还在77～300K温度范围内测量了组份为x=0.165、0.170、0.194的Hg_(1-x)Cd_xTe薄样品的本征吸收光谱,观察到明显的Burstein-Moss移动。实验所得光学禁带宽度与费密能级计算结果一致。     

n-InSb的纵向磁阻振荡

在测量磁阻振荡的直流法中,加一级差分放大,可显著提高分辨振荡峰的本领,因而可以用较低的磁场研究电子浓度为 10~(15)cm~(-3)数量级的 n-InSb的磁阻振荡.这一方法适用于纵向磁阻振荡的研究.在液氦温度到10K的范围内,测量了四个n-InSb样品.从振荡频率得到载流子浓度,与霍尔效应的结果相符.从振荡峰的幅度-温度关系得到导带底的电子有效质量m~*=0.0137m_o. 从振荡峰与温度及外加电场的变化关系中,可求得样品的 Dingle温度及过热电子温度.在4.2K-7.2K温度范围内Dingle温度不变.在实验所用的电场下过热电子温度可达到14K.     

Hg_(1-x)Cd_xTe探测器表面积累层的磁输运特性

利用WKB近似对Hg1-xCdTe探测器表面积累层二维电子气的色散关系进行了计算，获得了不同表面电子浓度下，各子带的电子浓度、能级位置和有效质量．考虑了能带的非抛物性，由SdH振荡获得的结果与理论符合的很好．     

掺氮6H—SiC材料电学性质温度依赖关系测量与分析

测量了７－１０００Ｋ的掺氮６Ｈ－ＳｉＣ材料基本电学性质，用电子性方程对载流子浓度温度倒数关系曲线进行拟合，利用化全物半导体散射机构计算了行 率。数据拟合分析得到样品的掺杂浓度、补偿浓度、杂质激光活能和载波子有效质量。分析结果表明，控制杂质能级和表观杂质激活能由补偿度和杂质浓度决定。掺氮６Ｈ－ＳｉＣ材料预期有０．０８ｅＶ、０．１２ｅＶ两个能级，当补偿杂质浓度大于较小能级浓度时，材料将由较高的能级控制     

LP-MOCVD生长ZnO薄膜的氧源

使用CO2、O2氧源得到了ZnO择优取向薄膜样品,实验证实了小尺寸的交流高压离化器件确实能够为低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)生长ZnO薄膜提供有效的离化氧源支持.运用电晕放电模型和ZnO薄膜台阶生长模型研究了离化效率对电压、气压和不同氧源气体的依赖关系及负氧浓度对生长速率和薄膜质量的影响.对X射线衍射谱、光致发光谱、原子力显微镜和俄歇电子能谱的分析表明,CO2氧源由于离化效率较高,负氧浓度较大,使得生长速率较慢,薄膜表面较为平坦,但表面C污染影响了薄膜内部质量;而O2氧源样品取向更接近(0002)衬底取向,样品内部应力较小,晶格常数更接近正常化学配比的ZnO单晶,这表明最优负氧浓度的存在和气源带来的污染是ZnO生长中必须考虑的问题.     

LP-MOCVD生长ZnO薄膜的氧源

使用 CO2 、O2 氧源得到了 Zn O择优取向薄膜样品 ,实验证实了小尺寸的交流高压离化器件确实能够为低压金属有机物化学气相沉积 (L P- MOCVD)生长 Zn O薄膜提供有效的离化氧源支持 .运用电晕放电模型和 Zn O薄膜台阶生长模型研究了离化效率对电压、气压和不同氧源气体的依赖关系及负氧浓度对生长速率和薄膜质量的影响 .对 X射线衍射谱、光致发光谱、原子力显微镜和俄歇电子能谱的分析表明 ,CO2 氧源由于离化效率较高 ,负氧浓度较大 ,使得生长速率较慢 ,薄膜表面较为平坦 ,但表面 C污染影响了薄膜内部质量 ;而 O2 氧源样品取向更接近(0 0 0 2 )衬底取向     

封装用铜框架表面化学组成和粘接强度

电子封装用铜框架表面采用不同温度处理,与电子封装用环氧材料复合制备用于拉伸测试的Tap pull样品。XPS分析表明,一般铜框架表面成分包括一价的氧化亚铜和二价的氢氧化铜等。175℃热处理120 min可使表面的二价氧化铜质量分数达到73%,氧化铜和表面约20%的氢氧化铜一起显著提高界面的粘接性能。     

利用FN振荡电流测量薄栅MOS结构栅氧化层中隧穿电子的有效质量

给出了一种利用 FN振荡电流的极值 ,测量电子在薄栅 MOS结构的栅氧化层中的平均有效质量方法 .利用波的干涉方法来处理电子隧穿势垒的过程 ,方便地获得了出现极值时外加电压和电子的有效质量之间的分析表达式 .用干涉方法计算所得到的隧穿电子在不同的 MOS结构的二氧化硅介质层中的有效质量表明 :它一般在自由电子质量的 0 .5 2— 0 .84倍的范围 .实验结果表明 :电子有效质量的值不随外加电压的变化而变化 ,并且对于相同的MOS结构 ,电子可能具有相同的有效质量     

利用FN振荡电流测量薄栅MOS结构栅氧化层中隧穿电子的有效质量

给出了一种利用FN振荡电流的极值,测量电子在薄栅MOS结构的栅氧化层中的平均有效质量方法.利用波的干涉方法来处理电子隧穿势垒的过程,方便地获得了出现极值时外加电压和电子的有效质量之间的分析表达式.用干涉方法计算所得到的隧穿电子在不同的MOS结构的二氧化硅介质层中的有效质量表明:它一般在自由电子质量的0.52-0.84倍的范围.实验结果表明:电子有效质量的值不随外加电压的变化而变化,并且对于相同的MOS结构,电子可能具有相同的有效质量.     

利用FN振荡电流测量薄栅MOS结构栅氧化层中隧穿电子的有效质量

给出了一种利用FN振荡电流的极值,测量电子在薄栅MOS结构的栅氧化层中的平均有效质量方法.利用波的干涉方法来处理电子隧穿势垒的过程,方便地获得了出现极值时外加电压和电子的有效质量之间的分析表达式.用干涉方法计算所得到的隧穿电子在不同的MOS结构的二氧化硅介质层中的有效质量表明:它一般在自由电子质量的0.52-0.84倍的范围.实验结果表明:电子有效质量的值不随外加电压的变化而变化,并且对于相同的MOS结构,电子可能具有相同的有效质量.     

测量微量液体折射率的新方法

液体折射率的毛细管焦点测量法具有样品需要量极少和封闭测量的特点,在微量液体的折射率测量方面有重要的应用前景。为了提高毛细管焦点测量法的测量精度和改善测量的方便性,用内置CCD的电子目镜取代传统目镜,在计算机上直接观察和判断毛细管焦点的成像状态;用电动精密位移台取代传统的手动精密位移台;用新的测量系统对不同浓度的乙二醇水溶液做了折射率测量。结果表明,折射率的测量精度达到±0.0002;一次性测量样品需要量小于0.002mL。在毛细管焦点测量法中引入电子目镜和电动精密位移台,提高了微量液体折射率的测量精度。     

用连续调谐CO_2激光器研究InSb自由载流子法拉第旋转

在室温、液氮和液氦温度下,首次用连续调谐的CO_2激光器研究了n-InSb自由载流子法拉第旋转.对于载流子浓度为3.26 ×10~(16)cm~(-3)的样品,测得电子的有效质量:m~*(10K)=0.0172m,m~*(77K)=0.0177m.m~*(296K)= 0.0192m.精确测量表明:当波长λ<9.5μm时,带间法拉第旋转的影响就越来越明显.     

HgCdTe光伏探测器的C—V特性

引言HgCdTe是一种具有独特性能的材料,制备P—n结又常用Hg扩散方法,它与常规的杂质扩散又有不同,加之材料的组分、结构及其固有的十分小的电子有效质量往往引起n型材料的简并等等问题,使成结工艺增加许多复杂因素。为了提高元件水平改进工艺,有必要对P—n结的特性作深入了解。测定P—n结的C—V(电容—电压)特     

苯的喇曼增强非简并四波混频研究

用苯作样品,首次进行了喇曼增强非简并四波混频(RENFWM)的研究。讨论了它的优点,并与RIKES等作了比较。     

半导体技术

TN301 99030424热载流子简并效应研究/孔军,杨之廉(清华大学)11半导体学报.一1 998,19(11)一846一850通过把能量输运模型扩展到Fermi统计情形,用数值方法研究了简并效应对半导体器件的热载流子输运的影响,对窄基区B JT的模拟表明,当注入浓度很高时,载流子简并效应对热载流子输运的影响是不可忽略的.图3,参7(木)学报一1998,19(11)一861一864用低能量氢离子束轰击肖特基势垒二极管芯片背面,能有效减小反向电流和理想因子,增高势垒高度和减小势垒电容.对于较大的轰击能量和束流密度,特性改善的效果较显著.但过长的轰击时间会使改善的程度减…     

HgCdTe多载流子体系的迁移率谱分析

通过迁移率分析法对ＬＰＥ和ＭＢＥ生成的ｎ－ＨｇＣｄＴｅ样品进行了研究，获得了样品中体电子，体空穴以及界面电子的迁移率和浓度，通过迁移率谱人地获得的样品中体电子和界面电子随温度的变化规律与理论分的完全吻合。