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正2014年2月19日,VishayIntertechnology,Inc.宣布,发布采用小尺寸3.85mm×3.85mm×2.24mm顶视SMD封装的新款850nm红外发射器—VSMY98545,扩大其光电子产品组合。VSMY98545基于SurfLight TM表面发射器芯片技术,集成镜片,具有高驱动电流、高发光强度和高光功率,同时具有低热阻。VSMY98545使用42mil×42mil发射器芯片,结到管脚的热阻为10K/ 相似文献
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在激光雷达应用场景下,高功率垂直腔面发射激光器(vertical cavity surface emitting laser,VCSEL)越来越受到关注。而在长波波段,1 550 nm器件一直存在输出功率不够理想,功率转化效率低等问题。目前,多结VCSEL是获得高功率、高功率转换效率 (power con- version efficiency,PCE) 、高光功率密度、高斜率效率 (slope efficiency,SE) 的关键技术。本文将1 550 nm VCSEL与多结技术结合,旨在设计出高功率的1 550 nm器件,最终成功设计并仿真了不同直径 (15 μm、20 μm、30 μm、50 μm、100 μm) 多结 (1—4结) 1 550 nm的VCSEL器件。通过对比不同参数器 件的输出功率,发现器件的输出功率随结数和直径的增加而增大,最大功率能达到2 217 mW(4结100 μm VCSEL)。并且仿真结果表明30 μm VCSEL的输出特性相对较好:单结结构的SE优于50 μm和 100 μm器件,为0.39 W/A;在多结结构中,30 μm优于15 μm和20 μm的器件,分别为0.89 W/A (2结)、1.55 W/A (3结)、1.79 W/A (4结)。最后研究分析了30 μm VCSEL PCE和远场分布,发现SE随结数增加而显著增加,最高为3结的40.4%,驱动电流只有1 A,这是单结PCE的6.2倍;3结的输出功率也高达 1 549 mW,而光束发散角单多结器件之间几乎没有差别,约为5°。以上结果为 1 550 nm VCSEL作为激光雷达系统和3D传感的光源应用提供了很好的器件研究基础。 相似文献
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报道了一种垂直入射的InP基InGaAs pin光电探测器,介绍了它的制备和测试方法并对器件所展示出的高效,高速,高线性度特性进行了分析。器件的暗电流密度在0和-5V偏压时分别为1.37×10-5 A/cm2和93×10-5 A/cm2;在1.55μm波长,-3V偏压下,器件的线性光响应高达28mW,相应的最大线性电流为17mA,响应度达到0.61A/W(无减反射膜);在-5V偏压下,器件获得高达17.5GHz的3dB带宽。 相似文献
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2×2有机聚合物的全内反射型热光光开关 总被引:22,自引:4,他引:18
利用有机聚合物材料的负性热光效应 ,设计并研制成功了 2× 2全内反射型光开关。所研制的无阻塞 2× 2光开关 ,具有 >2 7dB的消光比 ,全内反射状态下 ,器件驱动功率约为 132mW (驱动电压约 3V×驱动电流约 4 4mA) ,这一驱动功率值可以降至 5 0~ 6 0mW ,同时给出器件插入损耗的测试结果。 相似文献
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高性能42nm栅长CMOS器件 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了20~50nm CMOS器件结构及其关键工艺技术,采用这些创新性的工艺技术研制成功了高性能42nm栅长CMOS器件和48nm栅长的CMOS环形振荡器.在电源电压VDD为±1.5V下,NMOS和PMOS的饱和驱动电流Ion分别为745μA/μm和-530μA/μm,相应的关态漏电流Ioff分别为3.5nA/μm和-15nA/μm.NMOS的亚阈值斜率和DIBL分别为72mV/Dec和34mV/V,PMOS的亚阈值斜率和DIBL分别为82mV/Dec和57mV/V.栅长为48nm的CMOS 57级环形振荡器,在1.5V电源电压下每级延迟为19.9ps. 相似文献
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研究了20~50nm CMOS器件结构及其关键工艺技术,采用这些创新性的工艺技术研制成功了高性能42nm栅长CMOS器件和48nm栅长的CMOS环形振荡器.在电源电压VDD为±1.5V下,NMOS和PMOS的饱和驱动电流Ion分别为745μA/μm和-530μA/μm,相应的关态漏电流Ioff分别为3.5nA/μm和-15nA/μm.NMOS的亚阈值斜率和DIBL分别为72mV/Dec和34mV/V,PMOS的亚阈值斜率和DIBL分别为82mV/Dec和57mV/V.栅长为48nm的CMOS 57级环形振荡器,在1.5V电源电压下每级延迟为19.9ps. 相似文献
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基于射频磁控溅射法制备了以非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)作为有源层的底栅顶接触式薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor,TFT),其长/宽比为300μm/100μm。研究了该器件在无激光和在三种不同波长激光照射下的光敏特性。实验表明,器件在波长分别为660、450和405nm三种激光照射下的阈值电压Vth分别为4.2、2.5和0V,均低于无激光时的4.3V,且器件的阈值电压随激光波长减小单调降低,此外,随着激光波长的下降,“明/暗”电流比K由0.54上升到8.06(在VGS=6V且VDS=5V条件下),光敏响应度R由0.33μA/mW上升到4.88μA/mW,可见激光波长越短,可获得更强的光电效应,光灵敏度也更高,该效应表明该器件在光电探测等领域具有广阔的应用前景。 相似文献
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利用固态源分子束外延技术在GaSb衬底上生长In GaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器结构,研制了激 射波长为2.0μm波段的GaSb基量子阱激光器。测量了激光器的阈值 电流密度随激光器腔长的变化规律, 得出无限腔长时器件的阈值电流密度为135A/cm2,在室温连续波 工作模式下,测得激光器的内量子效率 为61.1%,内部损耗为8.3cm-1,激光 输出功率斜效率为112mW/A,最高输出功率达到72mW,器件性 能优异。另外,还研究了改变激光器的腔长和改变注入电流的条件下器件激射波长的调谐特 性。器件激射 波长随注入电流的红移速度为0.475nm/mA。对于不同腔长的器件, 腔长越长,器件工作波长越长,工作波 长和腔长之间呈单调关系。上述波长变化规律是GaSb量子阱激光器的典型特征。 相似文献
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本文研究了一种横模稳定的InGaAsP/InP双异质结构(DH)激光器的器件参数,即各层的厚度和条宽,这种激光器称为自对准结构(SAS),发射波长为1.3μm。为了控制平行于结平面的横模以及为了在高温下能稳定工作(尽管阈值电流对温度很灵敏),得出最佳条宽为7μm。 SAS激光器显示出稳定的基横模和接近单纵模的工作特性,并且直到3GHz有平坦的频率响应特性,范围在±5dB内。在老化试验中,温度提高到50℃和70℃,在恒定光功率条件下,所有样品都已工作了10000多小时,驱动电流没有明显变化。在50℃,5mW/端面恒定功率条件下的样品,5000小时期间驱动电流增加的平均速率为3.1×10~(-6)/hr。这个数值与GaAlAs/GaAs DH激光器相比几乎一样。在老化试验期间未观察到基横模分布上的变化。 相似文献
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