热超声倒装焊在制作大功率GaN基LED中的应用

设计了适合于倒装的大功率GaN基LED芯片结构,在倒装基板硅片上制作了金凸点,采用热超声倒装焊接(FCB)技术将芯片倒装在基板上.测试结果表明获得的大面积金凸点连接的剪切力最高达53.93 g/bump,焊接后的GaN基绿光LED在350 mA工作电流下正向电压为3.0 V.将热超声倒装焊接技术用于制作大功率GaN基LED器件,能起到良好的机械互连和电气互连.     

采用热压焊工艺实现金凸点芯片的倒装焊接

金凸点芯片的倒装焊接是一种先进的封装技术.叙述了钉头金凸点硅芯片在高密度薄膜陶瓷基板上的热压倒装焊接工艺方法,通过设定焊接参数达到所期望的最大剪切力,分析研究互连焊点的电性能和焊接缺陷,实现了热压倒装焊工艺的优化.同时,还简要介绍了芯片钉头金凸点的制作工艺.     

PtSi 256×256 IRCCD微型化封装技术研究

采用倒装焊接技术,实现了PtSi 256×256 IRCCD微型化封装。对金属凸点、引线衬底的制备以及倒装焊接技术进行了研究。     

功率型LED芯片的热超声倒装技术

结合功率型GaN基蓝光LED芯片的电极分布,在硅载体上电镀制作了金凸点,然后通过热超声倒装焊接技术将LED芯片焊接到载体硅片上.结果表明,在合适的热超声参数范围内,焊接后的功率型LED光电特性和出光一致性较好,证明了热超声倒装焊接技术是一种可靠有效的功率型光电子器件互连技术.     

倒装焊接在压力敏感芯片封装工艺中的研究

胶粘引丝无法实现硅压力敏感芯片的小型化封装,无引线封装可以解决该问题。倒装焊接具有高密度、无引线和可靠的优点,通过对传统倒装焊接工艺进行适当的更改,倒装焊接可应用于压力敏感芯片的小型化封装。采用静电封接工艺在普通硅压力敏感芯片上制作保护支撑硅基片,在硅压力敏感芯片的焊盘上制作金凸点,调整倒装焊接的工艺顺序和工艺参数,实现了绝压型硅压力敏感芯片的无引线封装,为压力传感器小型化开辟了一条新路。试验结果表明该封装方式可靠性高,寿命长,具有耐恶劣环境的特点。     

倒装焊接技术

本文叙述了倒装焊接技术的基本要求，给出了倒装焊接中主要的加工工程序及其要求，包括了凸点化，芯片呈现等。     

金凸点的打球法制作与可靠性考核

本文采用打球法在芯片上制作金凸点，并将凸点倒装焊接在Ti/Ni/Au多层金属化的LTCC基板上。利用扫描电镜观察凸点形貌，X射线透射研究倒装互连状况，并通过接触电阻和剪切强度对凸点倒装焊的可靠性进行了考核。     

低阻抗封装走线规划

与传统的引线键合应用相比，晶片倒装焊接在需要高信号密度和优异电气性能领域的器件』二得到了广泛应用。由于不再采用有电感效应的键合线，这使得晶片倒装焊接成为理想的连接方式，但是，如果没有很好的规划芯片I／O基底，并针对具体应用进行优化，那么．其性能优势会大打折扣。     

MCM中的倒装芯片互连技术

本文介绍一种实用的倒装芯片的凸点形成技术，倒装焊接芯片与基板的对准方法及倒装焊的考核结果。     

RFID芯片超声倒装封装技术研究

超声倒装是近年来芯片封装领域中快速发展的一种倒装技术,具有连接强度高、接触电阻低、可靠性高、低温下短时完成和成本低的优势,特别适合较少凸点的RFID芯片封装。在镀Ni/Au铜基板上进行了RFID芯片超声倒装焊接实验,金凸点与镀Ni/Au铜基板之间实现了冶金结合,获得了良好的力学与电气性能,满足射频要求。     

Flip Chip Bonding of 68 $times$ 68 MWIR LED Arrays

The flip chip bonding process is optimized by varying the bonding pressure, temperature, and time. The 68times68 mid wave infrared (MWIR) LED array was hybridized onto Si-CMOS driver array with same number of pixels. Each pixel has two indium bumps, one for cathode and another for anode. Both LED array and CMOS drivers have 15-mum-square Indium bump contact pads. We used Karl Suss FC150 flip chip machine for bonding of CMOS driver array onto LED array. From the LED current-voltage characteristics, it is concluded that the optimized flip chip bonding process results in uniform contact and very low contact resistance. Both electrical and optical characteristics of LED array after flip chip bonding are presented.     

红外探测器倒装互连技术进展

随着红外焦平面技术的发展,红外探测器探测波段已由单波段变为双色及四色波段,半导体元件的封装数量由最初的数十个发展到数百万个,I/O输出密度不断增大,传统微互联技术如引线键合技术、载带自动焊技术等已根本无法满足器件要求。倒装焊技术以其封装尺寸小、互联密度高、生产成本低的特点越来越受到人们的亲睐。倒装互连工艺主要包括:UBM 制备、铟膜沉积、回流成球、倒压焊、填充背底胶。介绍了各工艺步骤的发展状况,并对铟膜沉积、铟柱增高工艺进行详细阐述。     

读出电路铟柱打底层对铟柱成球高度的影响

针对超大规模红外探测器读出电路铟柱成球后高度过低导致倒装互连难度增加这一问题,设计了试验,并分析讨论了读出电路铟柱打底层（UBM）形状对铟柱成球高度的影响。得出了铟球高度与铟柱尺寸和铟柱生长高度成正比,与读出电路铟柱打底层尺寸成反比,并提出了进一步增加铟球高度的思路。     

红外焦平面探测器互连中的In缩球工艺

铟缩球工艺对红外焦平面探测器的互连很有帮助.依据所做的实验叙述了铟缩球工艺的过程,论述了铟缩球工艺能提高铟柱高度,减小高度差,及减低焊接压力等优点.     

微电子封装中芯片焊接技术及其设备的发展

概述了微电子封装中引线键合、载带自动键合、倒装芯片焊料焊凸键合、倒装芯片微型焊凸键合等芯片焊接技术及其设备的发展 ,同时报告了世界著名封装设备制造公司芯片焊接设备的现状及发展趋势。     

与CMOS-SEED灵巧象素相关的倒装焊工艺

介绍了新型ＣＭＯＳ－ＳＥＥＤ灵巧象素结构原理及相关的倒装焊技术,采用厚光致抗蚀剂作掩模,通过磁控溅射和真空蒸发相结合,解决了与ＣＭＯＳ－ＳＥＥＤ有关的Ｉｎ凸点阵列成型等关键工艺,并用Ｍ８－Ａ型可视对准式倒装焊系统完成了ＣＭＯＳ电路芯片和ＳＥＥＤ阵列芯片的倒装焊。     

百万像素级红外焦平面器件倒装互连工艺研究

介绍了倒装互连技术的工艺原理,阐述了红外焦平面器件倒装互连的工艺特点。通过系列实验和分析,最终优化并确定了百万像素级红外焦平面器件倒装互连的工艺参数,获得了良好的互连效果。     

倒装焊器件封装结构设计

倒装焊是今后高集成度半导体的主要发展方向之一。倒装焊器件封装结构主要由外壳、芯片、引脚(焊球、焊柱、针)、盖板(气密性封装)或散热片(非气密性封装)等组成。文章分别介绍外壳材料、倒装焊区、频率、气密性、功率等方面对倒装焊封装结构的影响。低温共烧陶瓷(LTCC)适合于高频、大面积的倒装焊芯片。大功率倒装焊散热结构主要跟功率、导热界面材料、散热材料及气密性等有关系。倒装焊器件气密性封装主要有平行缝焊或低温合金熔封工艺。     

Development of gold to gold interconnection flip chip bonding for chip on suspension assemblies

Gold to gold interconnection (GGI) flip chip bonding technology has been developed to bond the drive IC chip on the integrated circuit suspension used in hard disk drives. GGI is a lead free process where the Au bumps and Au bond pads are joined together by heat and ultrasonic power under a pressure head. The use of GGI flip chip assembly process will help to eliminate equipment parts and processing steps of the traditional flip chip C4 process and hence shortens the overall cycle time. With the integrated circuit suspension design, it becomes possible to assemble the drive IC chip close next to the magneto-resistive head slider on the suspension.This paper describes a flip chip bonding method joining the drive IC chip on integrated circuit suspension with GGI bonding. The reliability evaluations are concentrated on thermo-mechanical analysis, robustness and functional performance of the final assembly. GGI bonding for chip on suspension application is still relatively new and has not been achieved for volume use. Work is still being done to establish and extend the limits of the technology with regard to long term reliability.     

焊料凸点倒装焊技术

介绍了倒芯片面阵式凸点制作、多层陶瓷基板焊盘制作及倒装焊各关键技术 ,并成功地获得了芯片与基板的互连。