发射极电流集边效应理论的SPICE模拟验证

发射极电流集边效应是由晶体管基极电阻的自偏压引起的,描述该效应的微分方程早已建立,这里设计了一种用SPICE验证精确解/近似解的新方法.结果表明:近似解是在V(x)(《)VT的前提条件下求得的,仅在弱注入区和中等注入区适用,不能给出在强注入区和极强注入区的归一化电位和电流密度的分布函数;相反,基于精确解的理论却能给出从弱注入区到极强注入区的归一化电位和电流密度的分布函数,且与用SPICE模拟得到的结果吻合.结论是:从整体来看,精确解的理论比近似解的理论描述该效应要稍好一些,因为前者的适用范围比后者宽.应当强调指出,该效应正是发生在强注入区和极强注入区.     

双极晶体管发射极电流集边效应理论及其在大生产中的应用研究

本文对双极晶体管发射极电流集边效应的理论研究作了回顾。文章指出：1971年,J.Olmstead等人在四个假设下,导出了一维的描述该效应的微分方程,并给出了它的近拟解。我们采用分离变量法,不作任何近似,导出了该微分方程的解析解,从而使描述该效应的理论得到了改进。该解析解理论应用于射频功率晶体管的版图设计中,取得明显效益。解析解不仅提高了描述该效应的精度,更重要的,是拓宽了理论适应的范围,从弱注入到极强注入的所有注入范围内,它都能适用,都能给出基区电位和发射极电流的分布函数。     

条形半导体激光器注入电流的横向分布

用双连通域内的保角变换方法解二维拉普拉斯方程，得到了条形半导体激光器注入电流密度的横向分布。研究了在电阻层的电阻率比较大的情况下，中央激活区不同宽度和不同电极宽度时注入电流密度的横向分布。如果中央激活区宽度小条形电极宽度，注入电流密度在中央激活区内近似为常数，而在中央激活区外很快地衰减。     

高斯分布扩散光波导模式的渐近展开分析

本文用适当的多项式函数近似扩散光波导的高斯折射率分布函数,推导了导模有效折射率的解析形式渐近解。给出了利用渐近解公式,由模有效折射率的测量值确定波导表面折射率和扩散深度的方法。实例说明,对模数较少的波导,这个方法比其它近似方法精确。     

光电双基区晶体管(PDUBAT)的器件模型

本文在考虑了晶体管的小注入效应和大注入效应以及基区宽变效应等因素后,首次用近似和简化的数学表示式和相应的等效电路,描述了光电双基区晶体管(PDUBAT)负阻形成的机理并使负阻区和谷值区的理论计算和实验结果一致性很好.     

二次多项折射率光波导的近似本征模场

对任意折射率分布的非对称平面光波导,用W、K、B、方法推导了近似本征模场表示式和模方程。对二次多项式折射率平面光波导导出了模式场和模方程的显式表示。此近似解较作者以前给出的用抛物柱形函数表示的精确解简单,便于计算.数值计算表     

可靠广播单组传输次数的期望

摘 要：在一对多传输模式中,广播/多播比单播能够提供更高的传输效率,单组数据重传次数的数学期望是可靠广播理论中的一个基本参数。迄今为止,相关文献基于离散概率分布函数给出了两类该参数的解：精确的级数解和用于分析复杂度的近似解。针对前者计算时间较多、后者精度较差的情况下,构造对数函数幂级数部分和的近似表达式,将离散概率分布函数进行连续化处理,得到了误差更低、物理意义更加明确的近似解。在此基础上,将级数解和概率连续近似解进行组合,导出高精度的近似解。数值模拟实验表明,其平均误差比已有近似解低2~3个量级。     

包含多子带结构的MOS器件开启电压量子力学效应修正模型

量子力学效应对于深亚微米MOSFET特性的影响随着衬底浓度的增加和栅氧层厚度的减小而日益显著.实验结果表明:量子力学效应能够导致开启电压明显的漂移.本文通过比较薛定谔方程在抛物线势垒下的数值解和三角势垒下的解析解验证了MOS结构弱反型区量子力学效应三角势垒近似的正确性.在计算弱反型区量化层内子带结构的基础上,提出量子化有效态密度和经典有效态密度的概念,分析了载流子在子带中的分布情况,讨论了量子力学效应影响开启电压的两个因素,并在此基础上给出了开启电压的量子力学修正模型.该模型准确地揭示了量子力学效应影响开启电压的物理实质     

双离子注入短沟道MOS FET的阈值电压解析模型

本文对短沟道MOSFET沟道区的硼、砷离子注入分布采用二次函数及指数函数的分段函数分布近似,并利用格林函数法求解二维泊松方程,从而导出非均匀分布短沟道MOS FET的表面势和阈值电压的解析模型.它计及注入能量、剂量、退火温度、退火时间等工艺参数的影响,也包含了漏极电压V_D和栅氧化层厚度等因素的影响.本解析模型的结果与用MINI-MOS数值模拟的结果符合得很好,具有简单、实用的特点.适用于改进有关电路分析程序例如SPICE中的模型.     

Nakagami-m分布m参数广义矩估计器的近似闭式解

Nakagami-m分布是描述无线多径小尺度衰落的有力工具,有很多文献研究其m参数的估计问题。本文研究一类称作为广义矩估计器的Nakagami-m参数估计器,在推导一类超越函数的近似表示式的基础上,给出广义矩估计器超越方程的近似闭式解。理论分析和数值仿真结果表明,近似闭式解应用于低阶矩估计器,不仅计算简单,其性能也基本没有变化。本文给出的一类超越函数的近似表示式具有十分广泛的用途。     

反空地导弹的光电对抗技术

为了有效地抗空地精确制导武器,在防空体系中大力发展光电对抗技术具有十分重要的意义。对抗空地导弹可采用光电主动侦察,光电被动告警（激光告警、红外告警、紫外告警与光电综合告警）,光电无源干扰（烟幕、伪装与光电假目标）,激光有源欺骗式干扰以及强激光致盲干扰 等。     

红外诱饵对红外制导导弹的干扰特性及仿真

人工红外诱饵弹是目前应用最广的对付红外制导导弹的有效干扰手段,所以,红外制导导弹必须具备抗红外诱饵干扰的能力。为了评估红外制导导弹的抗干扰能力,文中研究了红外诱饵干扰弹的基本特性,除了一般的红外光谱特性、起燃时间外,还研究了比辐射强度、高度效应和速度效应等特性,通过大量实验取得的有关参数是有实际使用价值的。文中还简要地论述了红外制导导弹进行抗诱饵干扰仿真试验的基本技术和仿真模型的要求,为研究红外制导导弹抗干扰性能评估和抗干扰实验提供了可行方法。     

基于PCI总线的MPEG-2解码插卡软件接口设计

介绍一种基于PCI局部总线的MPEG－2多节目传输流实时解码卡的硬件接口及上层软件设计，上层软件通过分析硬盘存储的多节目传输流给出节目信息，然后根据用户输入选择一路节目播放，发送模块将硬盘中的编码数据通过PCI总线发送到解码卡，在解码卡上通过专用解码芯片实时解码并显示，上层软件采用多线程方式实现内存与PCI总线，内存与硬盘之间的交替数据传输，文中给出了软件设计思想和结构。     

GaAs单片集成激光器驱动电路在片测量

用多触头微波探针 ,对 Ga As单片集成激光器驱动电路芯片进行了在片测试和筛选 ,测得芯片频率响应带宽为 3.8GHz.使用高速增益开关半导体激光器作为采样光脉冲源 ,采用了背面直接采样方式建立了电光采样测试仪 .检测了 Ga As单片集成激光器驱动电路芯片内部点的高速电信号波形 .     

小波分解在分布式光纤温度测量系统中的应用

针对单路反斯托克斯光温度测量系统测量周期过长的问题,在保证系统的时间分辨率和空间分辨率的前提下,提出了一种利用小波分解、多分辨分析、小波重构等缩短测量周期的信号处理方法。重点讨论了分布式温度测量信号的特点,根据这些特点选择合适的小波函数,并借用信息论中Shannon熵的概念,提出了根据信息熵的大小确定小波分解层数的方法。对比实验证明,此方法能有效缩短温度测量周期,提高了系统的实用性。     

引信作用方式自适应控制技术研究

介绍了为信作用方式自适应技术研制的系统的设计思想及工作原理，本系统的研制通过引信自适应一些不确定的作战条件，作战参数的变化，准确判别目标，在最佳时刻，最佳距离，选择最佳方式，最大限度地发挥战斗部对目标的毁伤能力，针对系统设计中的问题进行了说明，就三支路小视场探测方式，光信号基准时刻精度提取，抗海浪干扰，海情识别等关键技术进行了分析，同时分析了系统的原理框图及软件流程，系统的各项性能指标达到方案要求并经过了测试验证。     

一种采用定点DSP实现的1.8kbps MBE-LPC声码器

提出了一种结合 MBE(多带激励 )模型和 LPC(线性预测编码 )模型的 1 .8kbps声码器 .在这种声码器中 ,采用 LPC特征参数来代表语音帧的频谱 ,利用 LPC残差进行基音提取和多带清浊音判决 ,采用 MBE模型合成语音 ,并在高频浊音带的语音合成中混以清音 .在定点 Mo-torola DSP560 0 2 EVM上 ,可以在 1 .8kbps的码率下对语音进行实时的编解码处理 ,具有存储量和计算量较小的特点 .其合成语音质量超过了 LPC- 1 0 e.     

基于四叉树结构的图像分割技术

基于四叉树结构的图像分割方法是区域增长技术和人工智能技术的结合,它的分割速度比区域增长方法快得多,在分割结束时,算法同时得到图像目标大小、目标灰度、目标个数、目标边缘等结果。对多目标图像分割有更好的适应性。文章最后激光烧孔图像、细胞图像和海上舰船图像进行了实验,说明算法有很好的适应性。     

常数除法器的设计及其BIST实现

针对MPEG音频、AC-3宽带音频数据压缩标准的解码过程中的要求,扩展了已报道的常数除法算法[1],使之适于特定应用场合.设计实现了除数为一组常数的常数除法器.该常数除法器使用规整的单元阵列结构构成运算的主要部分,不仅相当节省硅片面积,适于VLSI实现需要,而且易于扩展.同时针对测试和实际应用的要求,设计了内建自测试电路,使之便于嵌入整个系统.     

双MOS门极控制的EST的开关特性和安全工作区

用二维 MEDICI商用器件模拟软件对双 MOS门极控制的发射极开关晶闸管 EST( Emitter Switched Thyristor)的正偏置安全工作区 FBSOA( Forward Biased Safe- Operation-Area)及其关断动态的电流分布进行了模拟研究 .证明该器件采用 P型转向器 ( diverter)与双MOS门极相结合的结构使得空穴电流分流从而显著地提高了 EST的开关能力 ,其 FBSOA也有明显展宽