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脉冲电镀镍及其性能的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
采用瓦特镀镍液,研究了脉冲占空比、平均电流密度、温度对电沉积速率,镀层光亮度和镀层在w=3.5%的NaCl溶液中耐蚀性的影响.用扫描电镜研究了直流和脉冲镍镀层的表面形貌.结果表明:电沉积速率随脉冲占空比、平均电流密度及温度的增大而加快;镀层耐蚀性,光亮度随脉冲占空比增大而变差,随温度、平均电流密度的增大先变好后变差.较佳脉冲电镀条件为:平均电流密度0.75 A/dm~2,脉冲占空比5%,温度45~50 ℃,pH 2.5~3.0.X射线衍射分析结果表明,与直流镀镍相比,脉冲镍镀层在(111)晶面存在择优取向,镀层更致密,性能更好. 相似文献
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《电镀与涂饰》2016,(1)
以航空零件常用材料300M钢为基材,采用柔性挤压电镀(也称摩擦辅助电镀)工艺制备无裂纹的硬铬镀层。镀液组成和工艺条件为:铬酸酐250 g/L,硫酸根离子2.5 g/L,镀液流速3.2 L/min,极间距45mm,占空比80%或85%,阴极转速300r/min或325 r/min,电流密度30~60 A/dm~2,频率5~20 kHz,温度35~55℃,时间3 h。研究了电流密度、温度及脉冲频率对电流效率的影响,并与传统电镀硬铬工艺进行对比。结果表明,柔性挤压电镀铬的电流效率随电流密度升高而升高,随温度升高而降低,随脉冲频率的变化不大。采用本工艺制备的铬镀层表面光亮度接近镜面,致密、均匀,无裂纹。但柔性挤压电镀铬工艺的电流效率略低于传统电镀铬工艺。 相似文献
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挠性印制线路板孔金属化研究 总被引:1,自引:0,他引:1
结合偏压磁控溅射铜(铜靶,本底真空度6.6 mPa,工作压力0.4 Pa,电流0.3 A,电压450 V,负偏压50 V,溅射时间10min)及脉冲焦磷酸盐电镀铜(60~70 g/L焦磷酸铜,280~320 g/L,焦磷酸钾,20~25 g/L柠檬酸铵,温度45~50℃,pH4.2~4.5)工艺对以聚酰亚胺薄膜为基材的挠性印制线路板微孔进行金属化处理,讨论了正向脉冲平均电流密度对镀层质量,以及正向脉冲占空比对镀层金相显微组织和电阻的影响.结果表明:金属化后孔壁镀层连续,平整光滑,结合力较好;随着正向脉冲电流密度的增大,镀层粗糙度减小;随着正向脉冲占空比的增大,镀层电阻急剧增大并最终达到稳定状态. 相似文献
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通过Ni,W、P与CeO2、SiO2纳米颗粒的脉冲共沉积,在普通碳钢表面制备了Ni-W-P-CeO2-SiO2纳米复合镀层.在一定的脉冲频率和平均电流密度下,研究了正向脉冲占空比对纳米复合镀层的化学组成、沉积速率、显微硬度和显微组织的影响.结果表明:增大正向脉冲占空比时,纳米复合镀层的晶粒尺寸增大,沉积速率和显微硬度降低.当正向脉冲占空比控制在10%时,沉积速率最快(为48.6 μm/h),显微硬度最高(为696 HV).纳米复合镀层中的P含量随着正向脉冲占空比的增大而增加,但CeO2、SiO2纳米颗粒及W的含量不断降低,正向脉冲占空比对W的沉积量影响最明显. 相似文献
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镀层与基体的润湿程度可用于检测镀锡层可焊性。通过正交实验,以镀锡层可焊性为评价指标,选择了紫铜毛细管表面脉冲电镀锡最佳工艺参数为:平均电流密度1.5 A/dm2,脉冲周期100 m s,占空比10%,搅拌速率20次/m in。研究了平均电流密度在1.0~2.5 A/dm2范围内,对镀锡层可焊性的影响。在相同的平均电流密度1.5 A/dm2下,比较了脉冲电镀与直流电镀2种方法所得镀层的可焊性,脉冲镀锡层的润湿程度明显优于直流镀层,这可能是由于脉冲电镀中阴极浓差极化降低,镀层中的杂质减少,因此镀层的可焊性得到了改善。 相似文献
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碘化物镀液脉冲电镀Ag-Ni合金工艺 总被引:7,自引:1,他引:6
研究在碘化物体系中,采用脉冲电镀Ag-Ni合金工艺,研究表明,随着[Ni^2 ]/[Ag^ ]浓度比增大,镀层中镍含量上升;镀液温度升高时,镀层中镍含量降低;增大平均电流密度会提高镀层中镍含量,但使镀层表面变差;占空比和频率的变化也对镀层成份有一定影响;正反向脉冲的个数对镀层成份影响不大,但增加反向脉冲的个数。会使镀层表面状况好转。经综合分析。确定了镍含量为20%-30%的Ag-Ni合金镀层的最佳镀液组成及工艺条件。XRD分析表明,镀层结构为简单机械混合物,SEM观测表明,随镀层中镍含量升高,结晶变得粗大。 相似文献
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通过Ni、W、P与CeO2、SiO2纳米颗粒的脉冲共沉积,在普通碳钢表面制备了Ni–W–P–CeO2–SiO2纳米复合镀层。在一定的脉冲频率和平均电流密度下,研究了正向脉冲占空比对纳米复合镀层的化学组成、沉积速率、显微硬度和显微组织的影响。结果表明:增大正向脉冲占空比时,纳米复合镀层的晶粒尺寸增大,沉积速率和显微硬度降低。当正向脉冲占空比控制在10%时,沉积速率最快(为48.6μm/h),显微硬度最高(为696HV)。纳米复合镀层中的P含量随着正向脉冲占空比的增大而增加,但CeO2、SiO2纳米颗粒及W的含量不断降低,正向脉冲占空比对W的沉积量影响最明显。 相似文献
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选用不同的电流密度、温度及整流器输出波形进行了薄膜电路镀镍实验,以此来研究电镀参数对薄膜电路镀镍速率、镀镍层表面形貌、粗糙度、微带线厚宽比等性能带来的影响。结果表明,随着电流密度的增大,薄膜电路的镀镍速率会逐渐增大;镀层表面缺陷会先减少后增多,镀层粗糙度也会先减小后增大,微带线厚宽比会先增大后减小;随着镀液温度的升高,薄膜电路的镀镍速率会逐渐增大,镀层表面缺陷会先减少后增多,镀层粗糙度会先减小后增大,微带线厚宽比会先增大后减小;选用不同的整流器输出波形镀镍时,在高低自由波及脉冲波形条件下,薄膜电路分别具有最高与最低的镀镍速率;高低自由波条件下制备得到的镀镍层缺陷较多,状态较差,单相全波整流波形与脉冲波形条件下镀层表面缺陷较少,形貌较好;高低自由波及单相全波整流波形分别具有最大及最小的镀层粗糙度;高低自由波及单相全波整流波形条件下,薄膜电路微带线分别具有最小及最大的厚宽比。 相似文献
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以紫铜片为基体,采用脉冲电沉积方法制备了钯-镍合金膜层。选取占空比和脉冲频率作为变量,分别研究了占空比和脉冲频率对钯-镍合金膜层的孔隙率和内应力的影响。结果表明:随着占空比的增大,孔隙率升高,内应力先减小后增大;随着脉冲频率的提高,孔隙率明显降低,内应力增大;当占空比为20%~30%、脉冲频率为1.0 kHz时,采用脉冲电沉积方法能制备出适用于微机电器件的钯-镍合金膜层。 相似文献