Ti—Al—N系功能梯度薄膜结合力的实验研究

用划痕法测试了不同成分的Ｔｉ－Ａｌ－Ｎ系功能梯度薄膜及其均质薄膜的膜基结合力。结果表明,Ｔｉ－Ａｌ－Ｎ系功能梯度薄膜的膜基结合力高于均质膜,且随着氮分压变化间隔的增加,结合力逐渐增大。基于膜基匹配及残余应力与结合力的关系,合理地解释了成分梯度对Ｔｉ－Ａｌ－Ｎ系功能梯度薄膜结合力的影响。     

Ti—Al—N系功能梯度薄膜的相结构

实验证明Ｔｉ－Ａｌ－Ｎ系功能梯度薄膜在厚度方向上有金属（Ａｌ９（Ｔｉ９Ａｌ）Ｎ和（Ｔｉ２Ａｌ）Ｎ（１１０）三种相结构，在（Ｔｉ０Ａｌ）Ｎ相中又有（１１１）和（２００）两种择优取向，随着氮分ＰＮ的不断增加，薄膜中金属相含量急剧下降，陶瓷相含量则急剧增加，当ＰＮ〉１．５Ｐａ后两种相含量的变化均趋势平缓。     

低掺铝TiN薄膜的XPS,XRD分析研究

本文用多弧离子镀方法制备了Ｔｉ１－ｘＡｌｘＮ（ｘ＜０．３）薄膜，并且运用俄歇电子能谱（ＡＥＳ），Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）等技术对Ｔｉ１－ｘＡｌｘＮ进行测试和分析。结果表明：膜层中除含Ａｌ、Ｔｉ、Ｎ元素外，还出现了一定量的氧；薄膜呈现了（１１１）、（２２２）等晶面的择优取向；薄膜与基底间的附着力较好。     

Ti－Al—N系功能梯度薄膜的相结构

实验证明Ｔｉ—Ａｌ－Ｎ系功能梯度薄膜在厚度方向上有金属Ａｌ，（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ和（Ｔｉ＿２Ａｌ）Ｎ（１１０）三种相结构，在（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ相中又有（１１１）和（２００）两种择优取向．随着氮分压ＰＮ的不断增加，薄膜中金属相含量急剧下降，陶瓷相含量则急剧增加，当ＰＮ＞１．５Ｐａ后两种相含量的变化均趋平缓．     

Ti6Al4V-TiN系梯度材料的设计

为了提高Ｔｉ６Ａｌ４Ｖ 钛合金基体和ＴｉＮ 薄膜之间的附着强度,采用有限元分析法对Ｔｉ６Ａｌ４Ｖ ＴｉＮ 系生物梯度材料进行了热应力缓和设计,分析了不同参数对热应力分布的影响。计算结果表明,Ｔｉ６Ａｌ４Ｖ ＴｉＮ系生物梯度材料的最优热应力缓和参数为：体积分布系数ｎ ＝ １ ．８ ;梯度层层数Ｎ＝ １０ ;梯度层厚度ｔ＝ １５μｍ 。     

Al含量对（Ti,Al）N薄膜微观结构与性能的影响

研究发Ａｌ含量对（Ｔｉ７Ａｌ）Ｎ薄膜微观结构与性能的影响，实验结果表明：同ＴｉＮ薄膜相同，在（Ｔｉ７ＡＤＮ系薄膜中存在着（１１１），（２００）和（２２０）三咱择优取向，随着Ａｌ含量的增加这三种取向的衍射强度呈不同的变化趋势，而这三种取向的面间距则都呈先降后升的趋势，利用上述微观结构的变化可合理地解释（Ｔ。ｌ，ＡＤＮ薄膜的硬度随Ａｌ含量的增加呈先升后降的现象。     

金刚石薄膜与基材之间过渡层技术的研究

通过ＴＥＭ观察发现在金刚石膜与单晶硅片，金刚石膜与ＡｌＮ陶瓷之间存在一层过渡层，过渡层的存在为金刚石的形核及生长提供了有利的条件，受此启发，为了改善金刚民基材的结合强度，采用磁控溅射，空心离子镀，真空蒸镀等方法在Ｍｏ片上沉积ＴｉＣ，ＴｉＣＮ（Ｃ／Ｎ＝１／２）ＴｉＣＮ（Ｃ／Ｎ＝１／１０）等薄膜，研究了它们对金刚石膜与基材的结合强度的影响。     

影响TiAl高温氧化的两个因素

用热重法研究了试样表面粗糙度及环境介质流动性对五种铸态ＴｉＡｌ基合金（Ｔｉ－５０Ａｌ,Ｔｉ－４８Ａｌ,Ｔｉ－５２Ａｌ,Ｔｉ－４８Ａｌ－１Ｃｒ、Ｔｉ－４８Ａｌ－４Ｃｒ）９００℃断续氧化行为的影响,结果表明,表面粗糙度增加（△７→△４）时ＴｉＡｌ氧化加重;与静止空气介质（ｖ＝０ｍｍ．ｓ－１）相比,空气流动（ｖ＝１ｍｍ．ｓ＾－１）也使ＴｉＡｌ抗氧化性下降。前者因不可避免的计算误差和氧化内应力引起,后者由     

激光化学气相反应生长Ti（C,N）薄膜的成分及微观结构

运用ＸＲＤ，ＥＰＭＡ，ＴＥＭ等手段分析在Ｔｉ－６Ａｌ－４Ｖ基材上用激光化学气相色反应生长的Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）薄膜的成分，结构，显微结构，可在基材表面的形成大面积均匀的Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）膜层，为无明显择优取向的等轴纳米晶，其中有少量的Ｔｉ２Ｎ相，且Ａｌ，Ｖ含量低于基材。     

一类Lazer—Mckenna吊桥型方程周期解的存在性

本文研究如下吊桥型方程的周期解问题ｕｔｔ＋ｕｘｘｘｘ＋εｕｉ＝ｆ（ｕ）＋ｈ（ｘ，ｌ）；ｕ（０，ｔ）＝ｕ（π，ｌ）＝ｕｘｘ（０，ｌ）＝ｕｘｘ（π，ｌ）＝０；ｕ（ｘ，ｌ＋２π）＝ｕ（ｘ，ｌ）。这个方程可以看成来自于Ａ．Ｃ．Ｌａｚｅｒ和Ｐ．Ｊ．Ｍｃｋｅｎｎａ在文［１］中提出的简单吊桥非线性振动模型ｕｔｔ＋ｕｘｘｘｘ＋δｕｉ＝－ｋｕ＾＋＋ｗ０＋εｈ（ｘ，ｌ）；ｕ（０，ｌ）＝ｕ（Ｌ，ｌ）＝ｕｘｘ（０，ｌ）＝     

Si3N4—TiC复合材料的微观结构和化学反应

在１８００℃温度和Ａｒ，Ｎ２气氛下热压试样中，研究了ＴｉＣ加入Ｓｉ３Ｎ４中对ＴｉＣ－Ｓｉ３Ｎ４体系的微观结构和中间相化学反应的影响。根据热力学方法，估算出ＴｉＣ１－ｘＮｘ固溶体的组成，并以氰化钛作为一种理想的固溶体。这个估算值（ｘ＝０．７）略高于通过测定晶格参数和根据Ｖｅｇａｒｄ定律而计算出的值（ｘ＝０．６７）。样品在Ｎ２气中热压后可观察到４个区别明显的相区，它们是β－Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＣ和氰化钛固     

薄膜结合强度的刮剥式测量方法

本文介绍了一种薄膜结合强度的新型测量方法～刮剥法的测量原理、特点以及应用范围。所谓薄膜结合强度的刮剥式测量方法（简称刮剥法），实际上是一个使用特制刮剥刀具、以类似于薄层金属刮削方式工作，并以从基底上剥离薄膜所需能量作为其结合强度量度的测量方法。刮剥法与现广泛使用的划痕式结合力测量法的区别主要表现为：（１）该法是一个能量测量方法，即以薄膜的剥离能量作为薄膜与基体的结合强度的描述；（２）测量时采用的是对膜／基界面的切向加载方式；（３）测量结果是对膜／基结合强度的直接描述，并对基底表面状态、材质等不敏感；（４）可以对其它方法无法进行测量的超硬材料薄膜，如金刚石和立方氮化硼等，进行结合强度测量。本文通过对刮剥过程中刮剥刀刃附近区域的受力分析，得出了成功实现沿界面剥离薄膜的必要条件以及刮剥法测试对试样的要求和应用范围。     

Li1+2x+yAlxNdyTi2-x-ySixP3-xO12系统的锂快离子导体研究

Ｌｉ１＋２ｘ＋ｙＡｌｘＮｄｙＴｉ２－ｘ－ｙＳｉｘＰ３－ｘＯ１２锂快离子导体可以用精选的天然高岭石Ａｌ４「Ｓｉ４Ｏ１０」（ＯＨ）８为起始原料，经与Ｌｉ２Ｃｏ３、ＴｉＯ２、ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４进行高温（８００－１０００℃固相反应约２０ｈ而制得，一个空间群属于Ｒ３Ｃ的固溶体导电相可在ｙ＝０．５，ｘ≤０．３和ｙ＝１．０，ｘ≤０．４的组成范围内发现，该盯具有较好的电导性较低的活化能，起始组成ｙ＝１．０，ｘ＝０．     

梯度过渡涂层的制备

本文采用多靶磁控溅射技术制备ＴｉＣ／Ａｌ界面梯度过渡层，过渡层由ＴｉＣ和Ａｌ的成分梯度变化组成，其成分由Ａｌ基体侧平缓过渡到ＴｉＣ涂层侧。梯度过渡层的成分变化经ＡＥＳ测定，并和光学金相显微镜观察了涂层形貌。实验结果表明，当梯度层厚主于某临界值后，由内应力所致的表层ＴｉＣ裂纹消除。     

Al＋Ti＋C复合系热爆反应合成过程及相组成研究

研究了Ａｌ含量和Ｃ／Ｔｉ对Ａｌ＋Ｔｉ＋Ｃ复合系热爆反应合成Ａｌ／ＴｉＣ的反应过程及生成相组成的影响。实验结果表明：随着Ａｌ含量的增加，反应温度降低，反应时间延长，但反应起始温度几乎没有变化；Ｃ／Ｔｉ对反应温度和反应时间有很大的影响，但对反应起始温度影响很小。在对生成相组成的研究中发现：当Ｃ／Ｔｉ＝１．２５、Ａｌ含量不大于６０ａｔ％和Ｃ／Ｔｉ＝１、Ａｌ含量不大于５０ａｔ％时，生成物只有ＴｉＣ；随着Ａｌ含量的增加，生成Ａｌ＿３Ｔｉ的量增加，并通过热力学理论对反应合成自由能进行了计算，计算结果与试验结果相吻合。另外，通过扫描电子显微镜（ＳＥＭ）对生成的ＴｉＣ的组织形貌进行了观察。结果表明：生成的ＴｉＣ尺寸均匀，约为０．３～０．８μｍ，大多数呈球状，部分为块状。     

Ti1—xAlxN薄膜的制备及性能研究

介绍了利用反应溅射法制备Ｔｉ１－ｘＡｌｘＮ薄膜的工艺过程，测量并分析了Ｔｉ１－ｘＡｌｘＮ薄膜的光学性能及电阻率与薄膜成分的关系。结果表明Ｔｉ１－ｘＡｌｎＸ薄膜的折射率和消光系数均随薄膜中Ａｌ含量ｘ的增加而减小，电阻率则随ｘ的增加而增大。并从薄膜的基本结构变化对实验结果作出解释。     

Al＋Ti＋C复合系热爆反应合成过程及相组成研究EI

研究了Ａｌ含量和Ｃ／Ｔｉ对Ａｌ＋Ｔｉ＋Ｃ复合系热爆反应合成Ａｌ／ＴｉＣ的反应过程及生成相组成的影响。实验结果表明：随着Ａｌ含量的增加，反应温度降低，反应时间延长，但反应起始温度几乎没有变化；Ｃ／Ｔｉ对反应温度和反应时间有很大的影响，但对反应起始温度影响很小。在对生成相组成的研究中发现：当Ｃ／Ｔｉ＝１．２５、Ａｌ含量不大于６０ａｔ％和Ｃ／Ｔｉ＝１、Ａｌ含量不大于５０ａｔ％时，生成物只有ＴｉＣ；随着Ａｌ含量的增加，生成Ａｌ＿３Ｔｉ的量增加，并通过热力学理论对反应合成自由能进行了计算，计算结果与试验结果相吻合。另外，通过扫描电子显微镜（ＳＥＭ）对生成的ＴｉＣ的组织形貌进行了观察。结果表明：生成的ＴｉＣ尺寸均匀，约为０．３～０．８μｍ，大多数呈球状，部分为块状。     

La1-xCaxMn1.03O3外延薄膜的巨磁电阻效应

研究了用溶胶－凝胶（ｓｏｌ－ｇｅｌ）方法在ＬａＡｌＯ３（１００）衬底上制备的Ｌａ－１ｘＣａｘＭｎ１．０３Ｏ３外延薄膜的磁电阻效应。ｘ在０．２～０．６２１范围内变化,外延薄膜的电阻率与温度的关系从类半导体行为向金属导电行为转变。在ｘ≥０．５的４个样品中没有发现电荷有序绝缘体（ＣＯＩ）和反铁磁绝缘体（ＡＦＩ）现象。ｘ＝０．２样品在１．５Ｔ磁场下磁电阻率ＭＲ的最大值为１０＾４％、磁转变温度为２３０Ｋ。     

薄膜技术

薄膜技术９９０８００１　提高金刚石膜与硬质合金结合强度的新方法——ＬｅｅＤ　Ｇ．Ｓｕｒｆａｃｅ＆ＣｏａｔｉｎｇｓＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ,１９９８,１００～１０１（１～３）∶１８７（英文）在硬质合金上沉积金刚石膜,由于二者热膨胀系数失配,使金刚石膜内应力较大,导致金刚石膜剥离或开裂。对基材进行改性,制备三维热力学上和成分上呈梯度变化的中间层,可提高金刚石膜与硬质合金的结合强度。在硬质合金上沉积ＷＣ,提高了硬质合金表面粗糙度,从而明显改善金刚石膜的结合强度。９９０８００２　ＣＶＤ沉积薄膜的前处理——Ａ…     

TiAl—Sb—Mo合金的高温氧化行为和机理

研究了Ｔｉ－３４Ａｌ，Ｔｉ－３４Ａｌ－０．５Ｓｂ－０．０３Ｍｏ，Ｔｉ－３４Ａｌ－１．０Ｓｂ－０．０７Ｍｏ合金在９００℃的氧化行为和机理，发现在ＴｉＡｌ基合金中复合添加Ｓｂ和Ｍｏ以后，氧化增重量增加，主要是由于Ｍｏ氧化生成易挥发的ＭｏＯ３引起的，三种合金的氧化过程都遵循氧化剥循环，残余氧化膜的平均度随合金元素添加而下降，在基体中不产生大的元素富集，添加合金元素可以促进氧化膜的种类由第一阶段向第二阶段