非线性系统的模糊输入多采样率数字控制

针对非线性系统的模糊多采样率数字控制问题,基于T-s模糊模型和离散模糊基函数值,建立了被控对象的输入多采样率数字控制系统模型.采用PDC控制原理,提出了一种新的模糊多采样率数字控制方法,给出了控制器设计算法,并通过求解带有线性矩阵不等式(LMI)约束的凸优化问题来获得控制器的参数.倒立摆控制器设计实例证明了设计方法是有效、可行的.     

一种HEVC帧内预测算法的动态自重构实现方法

高效视频编码HEVC中帧内预测算法在专用硬件上的实现无法满足在高清和移动视频等多种应用场景间灵活切换的需求,导致编码性能差,硬件资源利用率不高。针对这一问题,提出一种新的帧内预测算法在可重构阵列处理器上的实现方法。该方法基于状态监测机制监测处理单元的执行状态,监测到空闲状态的处理单元则下发新的执行任务,根据处理单元的执行状态实现不同映射方案间的灵活切换,达到算法执行过程的动态自重构。实验结果表明,与帧内预测算法在专用处理器上的实现相比,本文方法在提高灵活性的同时,硬件资源使用减少了33.6%,算法执行的时钟周期数减少了16.2%。不同测试序列经过整个I帧环路测试的结果,与HM16.7官方软件的测试结果相比,平均图像质量有所提高。     

时钟提取与抖动衰减数字锁相环设计研究

文章简要介绍了数字锁相环(DPLL)的工作原理,重点提出了用于V5接口芯片中的时钟提取锁相环和抖动衰减锁相环的设计,并对其进行了分析．     

一种结构简单的CMOS带隙基准电压源设计

本文提出了一种结构简单高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源,供电电源3.3V.采用CSMC 0.5um CMOS工艺.Spectre仿真结果表明,基准输出电压在温度为-40～+80℃时,温度系数为45.53×10-6/℃,输出电压在电源电压为2～5V范围内变化小.电源抑制比达到-73.3dB.     

适用图形硬件的分格化算法与设计实现

曲面离散就是把一个曲面进行分格化,以产生一系列简单凸多边形的技术.分格化是曲面离散中的一个重要步骤,也是Direct3D11标准中的一个重要组成部分.针对分格化功能的硬件实现,提出一种对四边形和三角形面片的分格化处理优化算法,分为面片的内部区域、边界区域处理以及参数坐标生成3个部分.面片的内部区域处理通过对粗略分块和精细划分的配置达到计算量的平衡;面片边界区域处理实现内部和外部边界节点编号的交替增长;参数坐标生成模块将面片节点编号转换为该点所在域的参数坐标.该算法采用了定点数的加法和比较操作来实现,仅在初始化时才需要少量的乘除法操作;并采用时间和空间并行的体系结构进行了硬件设计.最后,通过仿真验证了算法的正确性以及所提出设计的高效性.     

面向阵列处理器的分布式共享存储结构设计

为了缓解随处理器核数增多而被激化的“存储墙”问题,提出了局部高速交叉互连、全局片上网络互连的两级混合互连网络结构,设计了支持统一编址方式的数据传送机制.在现场可编程门阵列上实现了2种规模的存储结构,对面积、时序和功耗进行统计.基于SystemC开发了混合仿真平台,仿真结果表明,所提结构具有较高的存储访问带宽和较低的局部数据访问延迟.     

基于可视化网络的防误操作系统

1引言电力系统的电气操作是电能生产值班人员的一项主要的、经常性的任务。然而,错误的电气操作（以下简称误操作）,在大多数情况下,要危及电力系统的安全运作和操作人员的生命,因而,防止电气误操作（以下简称防误操作）问题,一直为电力生产部门以及从事电力系统的工程技术人员所重视。尽管在电力系统的发展过程中,人们根据实际经验的总结,采取了许多有效的措施（譬如,操作票制度、操作预演、机械程序闭锁、电气闭锁等）但误操作事故仍然时有发生。近十多年来,人们应用人工智能和微型计算机技术解决防误操作问题,取得了一定效果,但在防误     

发电机非线性励磁连续变结构控制器的研究

本文深入研究了一种连续变结构控制规律,进一步讨论了其稳定性和特点,它保留了传统变结构控制的优点,并较大地增强了鲁棒性且克服了颤振问题。将该方法引人到电力系统,设计了发电机励磁非线性连续变结构控制器。数字仿真结果显示了该控制规律可以显著地改善系统的动态特性,同时具有较强的鲁棒性,表明了所提控制规律的有效性。     

视频阵列处理器数据加载电路的设计与实现

随着多种视频编解码标准和视频算法的提出,视频处理器高效性和灵活性显得更为重要。针对视频阵列处理器中数据加载速率与阵列处理单元处理不匹配的问题,通过对视频编解码标准算法的分析,深度挖掘数据访存冗余和传输的特点,在可编程可重构体系结构下,设计了支持灌入和Cache两种工作模式的数据加载电路,并进行了功能仿真和FPGA验证。结果表明,该电路能够满足1080P视频处理对数据加载的要求,采用Desgin Compiler在SMIC 0.13μm CMOS工艺标准单元库下综合,频率可达197 MHz。