Al2O3高k栅介质的可靠性

利用反应溅射方法制备了等效氧化层厚度为3.45nm的Al2O3栅介质MOS电容,研究了Al2O3作为栅介质的瞬时击穿和恒压应力下的时变击穿等可靠性特征.击穿实验显示,样品的Al2O3栅介质的等效击穿场强大小为12.8MV/cm.在时变击穿的实验中,Al2O3栅介质表现出类似于SiO2的软击穿现象.不同栅压应力作用的测试结果表明,介质中注入电荷的积累效应是引起软击穿的主要因素,其对应的介质击穿电荷QBD约为30～60C/cm2.     

硅上后热氧化钛膜制备氧化钛及其电学特性

采用在硅上磁控溅射金属钛膜再热氧化的工艺制备了多晶氧化钛薄膜.测量了Ag/TiOx/Si/Ag电容器的I-V和C-V特性.结果表明,氧化钛薄膜的厚度为150～250nm,其介电常数是40～87.随着氧化时间的缩短,氧化钛薄膜中的固定电荷减少,漏电特性得到改善.     

沟道应力对纳米尺度MOSFET器件特性的影响

利用ISE DESSIS器件模拟工具，模拟了纳米尺度的MOSFETs器件沟道中存在应力时的器件特性，分析了应力大小和方向发生变化对MOSFET的阈值电压、亚阈特性等器件特性的影响.     

沟道应力对纳米尺度MOSFET器件特性的影响

利用ISE DESSIS器件模拟工具,模拟了纳米尺度的MOSFETs器件沟道中存在应力时的器件特性,分析了应力大小和方向发生变化对MOSFET的阈值电压、亚阈特性等器件特性的影响.     

恒电流应力引起HfO_2栅介质薄膜的击穿特性

利用磁控溅射的方法在p- Si上制备了高k(高介电常数)栅介质Hf O2薄膜的MOS电容,对薄栅氧化层电容的软击穿和硬击穿特性进行了实验研究.利用在栅极加恒电流应力的方法研究了不同面积Hf O2 薄栅介质的击穿特性以及击穿对栅介质的I- V特性和C- V特性的影响.实验结果表明薄栅介质的击穿过程中有很明显的软击穿现象发生,与栅氧化层面积有很大的关系,面积大的电容比较容易发生击穿.分析比较了软击穿和硬击穿的区别,并利用统计分析模型对薄栅介质的击穿机理进行了解释     

用于控制RFID－NVM中电荷泵电流冲击的电路结构

本文提出了一种新的电路结构用于控制RFID非挥发存储器中电荷泵启动阶段的电流冲击。通过引入一个由参考电流源和电流镜组成的电路模块,此结构可以把电荷泵的周期平均电流恒定控制在任何想要的值之下,例如2.5微安。因此它可以防止RFID标签芯片的整流输出电压在电荷泵的启动阶段不被破坏。此结构可以有效地把整流输出上多于50％的压降减小到几乎为0,然而却占用更少的芯片面积。另外,用于计算此结构中电荷泵启动时间的理论公式也一并被提出。     

超深亚微米集成电路中的互连问题--低k介质与Cu的互连集成技术

半导体集成电路技术的发展对互连技术提出了新的需求,互连集成技术在近期和远期发展中将面临一系列技术和物理限制的挑战,其中Cu互连技术的发明是半导体集成电路技术领域中具有革命性的技术进展之一,也是互连集成技术的解决方案之一.在对互连集成技术中面临的技术与物理挑战的特点和可能的解决途径概括性介绍的基础上,重点介绍和评述了低k介质和Cu的互连集成技术及其所面临关键的技术问题,同时还对三维集成互连技术、RF互连技术和光互连技术等Cu互连集成技术之后的可能的新一代互连集成技术和未来互连技术的发展趋势给予了评述和展望.     

高k栅介质MOSFET的栅电流模型

提出了包括有限势垒高度下反型层量子化效应以及多晶硅耗尽效应在内的直接隧穿电流模型.在该模型的基础上,研究了采用不同高介电常数栅介质材料时MOSFET的栅电流与介质材料的介电常数、禁带宽度及和Si导带不连续等参数之间的关系.所获得的结果能够为新型栅介质材料的选取提供依据.     

硅集成电路光刻技术的发展与挑战

从微电子集成电路技术发展的趋势,介绍了集成电路技术发展对光刻曝光技术的需求,综述了当前主流的DUV光学曝光技术和新一代曝光技术中的157nm光学曝光、13nm EUV曝光、电子束曝光、X射线曝光、离子束曝光和纳米印制光刻技术的发展状况及所面临的技术挑战.同时,对光学曝光技术中采用的各种分辨率增强技术如偏轴照明(OAI)、光学邻近效应校正(OPC)、移相掩膜(PSM)、硅片表面的平整化、光刻胶修剪(resist trimming)、抗反射功能和表面感光后的多层光刻胶等技术的原理进行了介绍,并对不同技术时代可能采用的曝光技术作了展望性的评述.