应用于60GHz的CMOS频率生成器

本文提出一种用于60GHz的频率生成器,其由电流模二分频器和倍频器组成. 得益于电流模结构和差分对的非线性,该频率生成器具有很宽的工作频率范围以补偿工艺,电压和温度的偏差。频率生成器用90nm 工艺投片验证。芯片的面积为0.64X0.65mm^2,。测试结果表明在输入0dBm功率的时候,该频率生成器可以工作在15GHz-25GHz。整个芯片工作电压是1.2V,消耗12.1mW功耗。     

辐照对SOI NMOS寄生双极晶体管的影响。

在埋氧化层厚度不同的SIMOX衬底上制备了H型栅结构器件。经过总剂量辐照后,器件的正栅亚阈值特性无明显变化,背栅亚阈值特性发生平移,但均未发生漏电,说明其抗辐照性能超过1E6rad(Si)。辐照后器件的寄生双极晶体管增益有所增大,并且与背栅阈值电压的变化趋势相似,可能是由于埋氧化层中的正电荷积累使体区电位升高,提高了发射极的发射效率。     

兼容标准CMOS工艺的高压器件设计与模拟

在Synopsys TCAD软件环境下,模拟实现了与0 .5 μm标准CMOS工艺兼容的高压CMOS器件,其中NMOS耐压达到10 8V,PMOS耐压达到- 6 9V.在标准CMOS工艺的基础上添加三块掩膜版和五次离子注入即可完成高压CMOS器件,从而实现高、低压CMOS器件的集成.此高压兼容工艺适用于制作带高压接口的复杂信号处理电路.     

SCDI结构快闪存储器件Ⅰ:模拟与分析

研制成一种台阶沟道直接注入(SCDI)器件,通过在沟道的中间制作一个浅的台阶来改变热载流子的注入方式,从而获得了高的编程速度和注入效率,降低了工作电压.并对SCDI器件结构和常规器件结构进行了模拟分析,提出了改进SCDI器件性能的优化方案     

SCDI结构快闪存储器件Ⅱ:实验与器件特性

采用1.2μm CMOS工艺技术制作出台阶沟道直接注入(SCDI)快闪存储器件,该种器件具有良好的器件特性.在Vg＝6V,Vd＝5V的编程条件下,SCDI器件的编程速度是42μs,在Vg＝8V,Vs＝8V的擦除条件下,SCDI器件的擦除速度是24ms.与相同器件尺寸的普通平面型的快闪存储器件相比,SCDI器件的特性得到了显著地提高.在制作SCDI器件的工艺中,关键技术是制作合适的深度和倾斜角度的浅的台阶,同时减少在制作Si3N4侧墙的刻蚀损伤.     

氮化H2-O2合成薄栅介质的击穿特性

研究了14～16nm的H2-O2合成薄栅介质击穿特性.实验发现,N2O气氛氮化H2-O2合成法制备的薄栅介质能够有效地提高栅介质的零时间击穿特性.H2-O2合成法制备的样品,其击穿场强分布特性随测试MOS电容面积的增加而变差,而氮化H2-O2合成薄栅介质的击穿特性随测试MOS电容面积的增加基本保持不变.对于时变击穿,氮化同样能够明显提高栅介质的击穿电荷及其分布.     

氮化H2-O2合成薄栅介质的击穿特性

研究了14～16nm的H2-O2合成薄栅介质击穿特性.实验发现,N2O气氛氮化H2-O2合成法制备的薄栅介质能够有效地提高栅介质的零时间击穿特性.H2-O2合成法制备的样品,其击穿场强分布特性随测试MOS电容面积的增加而变差,而氮化H2-O2合成薄栅介质的击穿特性随测试MOS电容面积的增加基本保持不变.对于时变击穿,氮化同样能够明显提高栅介质的击穿电荷及其分布.     

采用非对称结构和注Ge的部分耗尽SOI nMOSFET的浮体效应

研究了一种采用非对称结构和注Ge的部分耗尽0.8μm SOI nMOSFET的浮体效应,实验结果表明这种结构能够提高漏端击穿电压约1V,减轻反常亚阈值斜率和kink现象.浮体效应的减少是由于源区的浅结和注Ge 引入的晶体缺陷减少了寄生的横向npn晶体管的电流增益.     

High Performance 70nm CMOS Devices

首次在国内成功地制作了栅长为70nm的高性能CMOS器件．为了抑制70nm器件的短沟道效应同时提高它的驱动能力,采用了一些新的关键工艺技术,包括3nm的氮化栅氧化介质,多晶硅双栅电极,采用重离子注入的超陡倒掺杂沟道剖面,锗预无定形注入加低能注入形成的超浅源漏延伸区,以及锗预无定形注入加特殊清洗处理制备薄的、低阻自对准硅化物等．CMOS器件的最短的栅长(即多晶硅栅条宽度)只有70nm,其NMOS的阈值电压、跨导和关态电流分别为0.28V、490mS/m和0.08nA／μm;而PMOS阈值电压、跨导和关态电流分别为－0.3V、340mS／mm和0.2nA／μm．并研制成功了100nm栅长的CMOS57级环形振荡器,其在1.5V、2V和3V电源电压下的延迟分别为23.5ps/级、17.5ps/级和12.5ps/级．     

高性能70nm CMOS器件

首次在国内成功地制作了栅长为70nm的高性能CMOS器件。为了抑制70nm器件的短沟道效应同时提高它的驱动能力,采用了一些新的关键工艺技术,包括3nm的氮化栅氧化介质,多晶硅双栅电极,采用重离子注入的超阱倒掺杂沟道剖面,锗预无定形注入加低能注入形成的超浅源漏延伸区,以及锗预无定形注入加特殊清洗处理制备薄的、低阻自对准硅化物等。CMOS器件的最短的栅长（即多晶硅栅条宽度）只有70nm,其NMOS的阈值电压、跨导和关态电流分别为0.28V、490mS/m和0.08nA/um;而PMOS阈值电压、跨导和有关电流分别为-0.3V、340mS/mm和0.2nA/um。并研制成功了100nm栅长的CMOS57级环形振荡器,其在1.5V、2V和3V电源电压下的延迟分别为23.5ps/级、17.5ps/级和12.5ps/级。