隐身材料与衰减陶瓷

本文综述了隐身材料和衰减陶瓷国外最近的发展概况；分别叙述了隐身材料和衰减陶瓷的分类、品种、工作原理和应用前景等；     

ZrO2陶瓷—金属接合技术的研究

用ＴｉＨ２方法对ＺｒＯ２陶瓷和铜的接合技术进行了试验研究，试验结果获得了较好的粘接，对其接合机理也进行了较为系统的分析，初步确定，接合机理为Ｔｉ的化学反应和形成反应层所致。     

高导热AlN陶瓷材料制造及其应用研究

对AlN陶瓷材料制备过程中影响其性能尤其是导热性能的诸多因素进行实验 ,摸索出一套较合理的制备工艺 ,制造出性能较稳定、导热率高的AlN陶瓷材料。观察了AlN陶瓷的微结构并得出某些结论。已加工出AlN陶瓷夹持杆、收集极和输出窗 ,在微波管上试用 ,取得一些经验。     

陶瓷金属化厚度及其均匀性

本文叙述了金属化层厚度及其均匀性的重要性，不同的陶瓷和不同的金属化配方应具有不同的厚度。试验表明：丝网套印法比手工笔涂具有许多优点，应在生产技术中推广应用。     

高热导率陶瓷材料的进展

叙述了在电子器件上常用高热导率陶瓷材料的性能和应用，主要包括BeO，BN，AIN等三种陶瓷材料。特别介绍了AIN陶瓷的发展前景及其最新应用。     

21世纪陶瓷-金属封接技术展望(下)

4 毫米波微波管用陶瓷金属化组成探讨 4.1 背景 　　毫米波真空电子器件是军用微波器件中重要的一支,而且也是"十五"乃至2010年该领域的发展方向之一.由于波长与高频结构几何尺寸之间存在共度性,因而零件加工精度要求越来越精密,并且难以保证;互作用空间体积小,功率受到限制;阴极电流密度也不能胜任.此外,陶瓷金属化层所引起的介质损耗也大大增加,因此,其配方和工艺的选择也将受到严格限制.     

低价位生产特陶材料和经济金属化技术

叙述了低价生产特陶材料和经济金属化的重要性和生产技术，主要包括高压绝缘子瓷，低含量Al2O3瓷以及经济金属化技术等，文中对纳米金属化技术的前景也作了某些评价。