全文获取类型
收费全文 | 203篇 |
免费 | 39篇 |
国内免费 | 75篇 |
专业分类
电工技术 | 1篇 |
综合类 | 7篇 |
机械仪表 | 9篇 |
建筑科学 | 3篇 |
矿业工程 | 1篇 |
能源动力 | 2篇 |
武器工业 | 2篇 |
无线电 | 248篇 |
一般工业技术 | 19篇 |
原子能技术 | 12篇 |
自动化技术 | 13篇 |
出版年
2024年 | 3篇 |
2023年 | 9篇 |
2022年 | 12篇 |
2021年 | 11篇 |
2020年 | 9篇 |
2019年 | 11篇 |
2018年 | 11篇 |
2017年 | 8篇 |
2016年 | 11篇 |
2015年 | 11篇 |
2014年 | 17篇 |
2013年 | 7篇 |
2012年 | 15篇 |
2011年 | 13篇 |
2010年 | 8篇 |
2009年 | 17篇 |
2008年 | 17篇 |
2007年 | 28篇 |
2006年 | 17篇 |
2005年 | 18篇 |
2004年 | 13篇 |
2003年 | 6篇 |
2002年 | 5篇 |
2001年 | 6篇 |
2000年 | 4篇 |
1999年 | 4篇 |
1998年 | 2篇 |
1996年 | 2篇 |
1995年 | 3篇 |
1994年 | 4篇 |
1993年 | 3篇 |
1991年 | 5篇 |
1990年 | 4篇 |
1989年 | 2篇 |
1987年 | 1篇 |
排序方式: 共有317条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
接近室温的更高工作温度是第三代红外探测器发展的重要方向。本文论述了用MBE在InSb(100)衬底上外延生长制备P-i-N型三元In1-xAlxSb薄膜合金材料,并通过制备单元器件进行了验证。采用RHEED振荡和X射线双晶衍射对In1-xAlxSb薄膜的Al组分进行了调控和检测。5.3 μm厚薄膜的FWHM≈50 arcsec,Al组分约1.9%。10 μm×10 μm原子力表面粗糙度RMS≈0.6 nm。制备的单元器件获得了预期的理想效果,为下一步面阵焦平面的制备奠定了基础。 相似文献
2.
通过逆温结晶的方法制备了CH_3NH_3PbI_3单晶,用扫描电子显微镜观察晶体形貌、X射线粉末衍射仪测量晶体结构、拉曼光谱仪测量晶体光谱。此外,通过X射线单晶衍射仪确定了晶面方向,分别沿平行和垂直于晶体c轴方向对晶体进行切割,经打磨、抛光后在其对应的晶面上蒸镀电极进而制备出基于CH_3NH_3PbI_3单晶的光探测器。采用不同波长和偏振方向的激光照射光探测器的受光面后,测试了器件的光电特性。实验结果表明,当激光的电场分量E平行于晶体的晶轴时光探测器的光电流密度比电场分量E垂直于晶轴时(垂直样品)的光电流密度大两个数量级。通过计算得到,激光的电场分量E平行于晶体晶轴时,光探测器的光响应度(R)是垂直样品的58倍、光暗电流比(P)的10倍和外量子效率(EQE)的66倍。发现CH_3NH_3PbI_3单晶的晶轴对晶体的光电性能影响很大。 相似文献
3.
4.
5.
为了提高线性CCD测量系统的测量精度,从影响系统的几个主要方面进行了分析研究,并提出相关的改善措施。除了详细论述了线性CCD传感器、光源成像系统、A/D转换器等器件系统外,还分析研究了信息采集、驱动电路设计方法和图像处理的软件算法。对CCD图像的噪声组成进行了较完整的分析,给出了其噪声的详细分类;根据各噪声的特点,提出了相应的噪声处理技术。 相似文献
6.
采用ICPCVD-SiNx薄膜对GaN/A1GaN基紫外探测器进行钝化,从薄膜绝缘特性、钝化效果两方面,对ICPCVD-SiNx、磁控溅射-SiOx、PECVD-SiOx和PECVD-SiNx四种钝化膜进行对比.制作了钝化膜/GaN MIS器件,通过测试MIS器件漏电流密度和薄膜击穿电场的大小表征薄膜绝缘性能,结果表明ICPCVD-SiNx对应的MIS器件的漏电特性最好,外加偏压为100 V时,其漏电流密度保持在1×10-7 A/cm2以下,薄膜击穿电场大于3.3 MV/cm.采用不同钝化方法制作了p-i-n型AlGaN基紫外探测器,通过计算钝化前后器件暗电流的变化,表征不同钝化方法的钝化效果.结果表明ICPCVD-SiNx钝化的器件,其暗电流比其他钝化方法的器件小近两个数量级,在-5V偏压下暗电流密度为7.52 A/cm2. 相似文献
7.
8.
红外成像器对于各种应用都很重要。然而,为了能使这种器件在所要求的低温下工作,需要给它们配备制冷系统,因此它们的成本是一个主要限制因素。虽然工作于室温下的热成像器件是存在的,但是它们缺乏速度而且不能获取光谱信 相似文献
9.
高温气冷堆球流检测系统中CsI(Tl)探测器温度影响研究 总被引:1,自引:1,他引:0
为保证球床式高温气冷堆(PB-HTGR)球流检测系统投影数据获取过程中输出信号的稳定性,需对探测模块输出暗电流的稳定性进行分析。本文随机选取了2组CsI(Tl)探测器模块作为研究对象,并专门设计了温度及暗电流的控制和测量装置,分析了模块暗电流的输出特性及其控制要求。实验结果表明:各探测单元输出暗电流随温度的变化呈近似指数变化,且室温下温度波动±2 ℃时第32路单元的暗电流波动达8 pA。因此需对探测系统进行温度控制,同时分析实验数据并结合暗电流稳定性的控制要求,提出检测系统的最佳温控范围为(18~22) ℃,对应的温控精度为(±0.92~±0.21) ℃。 相似文献
10.
二维宽带隙半导体材料独特的纳米结构是高性能紫外光电探测器的潜在理想材料,但是在实际应用过程中,各种环境气氛可显著影响紫外光探测器件的性能。文中采用化学气相沉积方法制备超薄二维ZnO纳米片,并利用该纳米片制作了紫外光探测器件。将探测器件置于密闭系统中进行测试,排除了不同应用环境对测试结果的影响,同时重点研究了不同极性分子对二维超薄ZnO纳米片紫外探测器性能的影响。研究结果表明,在极性分子存在的条件下,ZnO纳米紫外光探测器的暗电流降低1.5~2倍,灵敏性和响应率提高了约1.5倍。 相似文献