背腐蚀在晶体硅太阳电池生产中的应用

背腐蚀可以用来代替生产中通常使用的等离子刻蚀将扩散后正面和背面的p-n结分开。本文中背腐蚀使用了HF-HNO3体系,没有表面保护。用扫描电镜(SEM)观察了背腐蚀和等离子刻蚀后的表面形貌以及硅/铝界面情况,分析了背反射和内量子效应IQE。用背腐蚀代替等离子刻蚀后晶体硅太阳电池的ISC、VOC和电池效率都得到了提高。     

一种喷涂SnO_2减反射薄膜的新工艺及材料研究

采用超声雾化喷涂法沉积得到 Sn O2 薄膜和掺氟离子 Sn O2 薄膜。通过改变掺杂量和选择合适的工艺条件可控制掺氟 Sn O2 薄膜的方块电阻 ,其最小方块电阻值达 10 Ω/□。用 5 5 0 nm单色光测得其透过率为 85 %— 90 %。用 X射线衍射仪及扫描电子显微镜分析 Sn O2 薄膜的微结构和成份 ,薄膜为择优取向晶化。薄膜具有很好的抗腐蚀性能。在已完成 pn结及电极制作工序的单晶硅太阳电池上沉积一层厚 70 nm的未掺杂 Sn O2 薄膜 ,构成光学减反射层 ,其电池的短路电流 Isc提高约 5 %— 10 %。     

高性能簿膜热电堆红外探测器的研制及应用

高性能簿膜热电堆红外探测器的研制及应用孙铁囤，薛三旺，马睿（国营第七九五厂西安７１２０９９）本文采用热电堆的集中参数模型，推出直流响应率Ｒ和时间常数τ这两个参数的相互制约关系，开发了新的设计方法，在直径１ｍｍ的圆面积上集成了１５对热结，器件响应率达到...     

基于等效介质理论的光伏电池亚波长光栅减反结构设计

根据等效介质理论(EMT),利用薄膜特性矩阵方法提出了等效介质膜模型,用以研究亚波长光栅减反特性。运用遗传算法分析入射光偏振态和光栅结构参数对亚波长光栅反射率的影响,获得了特定波段下复周期亚波长光栅较低的平均反射率。此外,以TCO/a-Si:H(n)/a-Si:H(i)/c-Si:H(p)/Ag光伏电池为例,将其表面透明导电层(TCO)设计为复周期亚波长光栅结构,利用AFORS_HET软件模拟分析光伏电池的光谱响应,结果表明,复周期亚波长光栅的减反特性可以显著提高光伏电池的量子效率。     

射频溅射法制备的纳米硅薄膜的能带结构和I-V特性(英文)

用高频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在95％左右,工作气体选用H2＋Ar,氢气的分压控制在31％到70％,同时改变薄膜的沉积时间。Tauc曲线显示出用射频溅射法制备的薄膜是一种宽带隙材料。结合实验数据,在HQD理论基础上,给出了这种薄膜的能带结构图,并在理论和实验上分别对薄膜的I-V特性进行了研究。     

硅片在HF/HNO3/H2O体系中的腐蚀速度

研究了硅片在富硝酸的HF/HNCO3/H2O体系中的腐蚀规律.随着腐蚀反应的进行,反应分5个阶段,在开始的5min内硅片腐蚀量较大,然后反应速度经历了下降、上升、下降再迅速下降的过程,最终达到稳定阶段.另外,随着反应时间的延长,反应温度先上升到达最大值,然后逐渐下降,溶液中氟离子浓度不断减小,反应速度随时间的变化规律是腐蚀生成热、体系与外界热交换以及溶液中氟离子浓度共同作用的结果.     

太阳电池绒面测量与分析

通过对ＭＯＳ结构电容的测量分析,计算出太阳电池表面积的变化,实现对电池绒面制作 工艺的控制与分析。实验数据与理论计算结果一致,通过ＭＯＳ系统的Ｃ－Ｖ特性测量可进一步对太阳的表面和界面特性作更加系统和深入的分析。     

基于全生命周期管理的微电网设备管理系统

为了解决微电网设备管理混乱的问题,将全生命周期管理的概念应用到微电网设备的管理中,开展了微电网设备管理方法的研究。把设备管理分为前期管理、中期管理、后期管理整个生命过程,实现了对设备的科学管理。同时通过建立设备管理数据库,记录微电网设备的初始设备信息,并监测微电网设备在各个阶段的实时状态数据,通过监测数据与数据库已有设备数据进行联合分析,构建微电网关键设备的故障预警模型,判定设备是否正常,及时处理需要维修或维护的设备。另一方面通过监测数据分析微电网的发电效率,实现对微电网设备实时监控和有效管理。研究结果表明:该微电网设备的管理系统提高了微电网运行的可靠性。     

超声雾化喷涂工艺及优质二氧化锡透明导电薄膜的研究

报道了采用超声雾化喷涂工艺沉积优质掺杂二氧化锡透明导电半导体薄膜的实验成果 ,选用氟作为掺杂元素 ,通过改变掺杂量和工艺参数 ,可控制薄膜的方块电阻在 1 0 Ω/□以上的范围内变化 (40 0 nm膜厚 ) ,掺氟离子二氧化锡为 n型导电半导体 ,高浓度掺杂的二氧化锡薄膜光学透过率为 87%～ 90 % (采用 550 nm单色光源测透过率 )。用 X射线衍射及扫描电子显微镜分析 ,可获得该薄膜材料的微结构、表面形貌以及薄膜组成、掺杂百分含量。该成果为大规模生产优质二氧化锡透明导电薄膜 ,提供了有效、简单的方法和装置。     

射频溅射法制备的纳米硅薄膜的能带结构和Ⅰ-Ⅴ特性

用高频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在95℃左右,工作气体选用H2+Ar,氢气的分压控制在31%到70%,同时改变薄膜的沉积时间.Tauc曲线显示出用射频溅射法制备的薄膜是一种宽带隙材料.结合实验数据,在HQD理论基础上,给出了这种薄膜的能带结构图,并在理论和实验上分别对薄膜的Ⅰ-Ⅴ特性进行了研究.