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本文着重对微波等离子体化学气相沉积法高速沉积的 a-Si∶H 膜的物理性能进行评价研究.测量了沉积膜的光电性能、暗电导激活能、光禁带宽度、光吸收特性、沉积膜中悬键态密度以及氢含量等,并讨论沉积条件对膜性能的影响.结果表明,在沉积速率高达30~90(?)/s 情况下,膜的光电导(光照强度10~5Lux)与暗电导比值可达10~3~10~5,暗电导率从10~(-3)到10~(-11)((?)cm)~(-1),其激活能在0.23~0.88eV 之间(0~200℃温度范围内),光禁带宽度为1.40~2.20eV,氢含量约为2~20%. 相似文献
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以金属钯和镍的乙酰丙酮螯合物为混合源,采用金属有机化合物化学气相淀积法在多孔氧化铝陶瓷衬底上生长Pd-Ni合金膜.X射线光电子能谱测定表明膜的组成十分接近混合源内的Pd,Ni物质的量比.应用扫描电镜和原子力显微镜观察膜层形貌,发现多孔衬底对膜层形貌影响极大,从而影响对氢气的敏感性能.在大孔α-Al2O3(孔径为0.2μm)衬底上生长的Pd-Ni淀积膜呈现多孔不连续形貌,由此制作的氢敏感元件具有很高的氢灵敏性,显著高于电子束蒸发制备的Pa膜的氢灵敏度.相反,在微孔γ-Al2O3衬底(孔径为4 nm )上生长的Pd-Ni薄膜表面均匀,具有金属… 相似文献
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