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1.
对含0.18%C、1.21%Mn和1.06%Cr(质量分数)的16MnCr5钢滚珠丝杠轴分别于930℃进行了以氮-甲醇作介质的气体渗碳和以乙炔作介质的真空渗碳。渗碳后分别油淬和气淬,并180℃回火。检测了渗碳层和基体的微观组织、硬度以及至表面以下550 HV1处的深度。结果表明:采用两种方法渗碳随后淬火和低温回火的滚珠丝杠轴渗层组织均为细小的高碳马氏体和少量残留奥氏体,表面硬度高于700 HV1;气体渗碳层有12~20μm深的内氧化层,真空渗碳层基本没有内氧化;与经气体渗碳的滚珠丝杠轴相比,真空渗碳的丝杠轴基体含有少量铁素体,导致其硬度较低,外圆面、滚道和凸缘等部位的硬化层更均匀。 相似文献
2.
设计开发一种具有高通量、低流阻特征的空心锥喷嘴,并通过理论与实验方法研究空心锥喷嘴的喷淋性能,基于准自由涡理论建立空心锥喷嘴内部流体流动的数学模型,阐明流量系数、喷淋锥角、喷嘴流量与喷嘴结构参数之间的定量关系,并利用多效蒸馏海水淡化喷淋实验台对理论计算结果进行实验测试和验证。研究结果表明:正常工作状态下喷嘴流量系数、喷淋锥角、喷淋流量等参数理论值与测量值之间的误差小于5%,验证了设计模型的准确性。同时根据实验测试数据,拟合得到该类型空心锥喷嘴喷淋锥角与雷诺数之间的经验公式,可为蒸馏海水淡化用大流量空心锥喷嘴的结构设计、工艺选型提供理论指导和数据支持。 相似文献
3.
4.
介绍了一种用于铜膜化学机械抛光的多元胺醇型非离子表面活性剂。研究了该表面活性剂对抛光液表面张力、黏度、粒径、抛光速率和抛光后铜的表面状态的影响。抛光液的基本组成和工艺条件为:SiO2 0.5%,H2O2 0.5%,FA/OII型螯合剂5%(以上均为体积分数),工作压力2 psi,抛头转速60 r/min,抛盘转速65 r/min,抛光液流量150 mL/min,抛光时间3 min,抛光温度21°C。结果表明,微量表面活性剂的加入能显著降低抛光液的表面张力并大幅提高抛光液的稳定性,但对静置24 h后抛光液黏度的影响不大。表面活性剂含量为0%~2%时,随其含量增大,化学机械抛光速率减小,抛光面的粗糙度降低。 相似文献
5.
外围石灰改良包边,中芯膨胀土填筑形成的包边方案可解决平顶山地区道路建设过程中的膨胀土难题。为了检验材料强度与寻找合适的石灰掺量,对素土开展击实试验,发现在最佳含水率12%附近得到最大干密度与无侧限抗压强度。按照0、2%、4%、6%的石灰掺量制作试件,进行干法不浸水CBR实验,发现4%掺量下材料CBR数值最大为44%,素土CBR数值最小为31%,对0和4%掺量试件进行常规浸水CBR实验,数值分别为2.6%、3.7%;研究表明四周4%石灰掺量改良包边,中芯直接填筑素土,满足当地高等级道路下路堤填筑时的CBR要求,为实际工程提供参考。 相似文献
7.
8.
大分子螯合剂在低压力低磨料条件下铜膜的化学机械抛光中的应用 总被引:4,自引:4,他引:0
The mechanism of the FA/O chelating agent in the process of chemical mechanical polishing (CMP) is introduced. CMP is carried on a φ300 mm copper film. The higher polishing rate and lower surface roughness are acquired due to the action of an FA/O chelating agent with an extremely strong chelating ability under the condition of low pressure and low abrasive concentration during the CMP process. According to the results of several kinds of additive interaction curves when the pressure is 13.78 kPa, flow rate is 150 mL/min, and the rotating speed is 55/60 rpm, it can be demonstrated that the FA/O chelating agent plays important role during the CMP process. 相似文献
9.
通过低磨料浓度下催化反应对铜膜抛光速率的影响,证实了纳米SiO2胶体作为催化反应物可以极大地提高铜膜表面的化学反应速率。通过浸泡在不同磨料浓度抛光液中的铜电极表面腐蚀电位和腐蚀电流数值,进一步证实了催化反应能够加速凹处钝化膜的生成,并确定了在静态腐蚀条件下催化反应速率转换临界点所对应的纳米SiO2溶胶浓度为0.1vol%和1vol%。根据催化反应对铜晶圆各平坦化参数的影响,确定了低磨料CMP的最佳纳米SiO2溶胶浓度为0.3vol%,此时铜晶圆的抛光速率、台阶消除量、平坦化效率、碟形坑高度和腐蚀坑高度分别为535nm/min、299nm、56%、103nm和19nm。 相似文献
10.