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应用场助热电子发射(thermionic field emission)模型合理地分析了多晶硅薄膜晶体管中显著漏电流与器件参数及电极电压等因素间的内在关系,讨论了源漏轻掺杂结构在抑制漏电流方面的物理机制,并给出轻掺杂结构参数(如轻掺杂浓度、轻掺杂区域长度等)的优化设计,为多晶硅薄膜晶体管的器件设计提供了可靠的理论依据. 相似文献
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驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作 总被引:2,自引:1,他引:1
a-Si:H/SiNx:H TFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87~1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试。制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si:H TFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8pF。运用7PEP生产工艺,制作了13cm(5.2in)的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10μA,开关比为10^6;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341cd/m^2。 相似文献
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液晶显示器产品与市场的现状和展望 总被引:1,自引:0,他引:1
信息技术(IT)与信息产业的迅速兴起,为信息显示技术提供了广阔的市场和良好的机遇。各种平板显示技术如等离子体显示(**P),发光二:极管(1。*D),电致发光〔*L)、尤其是有机电致发光(OEL),场发射(FED)和液晶显示(LCD)等已成为人们竞相研究开发的热点。其中,液晶显示器脱颖而出,以其低功耗、易集成和轻巧便携的特点率先进入市场并不断拓宽其应用领域。薄膜晶体管寻址的液晶显示器(TFTAMLCD)又以其大容量、高清晰度和全彩色的视频显示成为液晶乃至整个平板显示技术领域的主导技术,相关的高新… 相似文献
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