世亚行贷款公路工程项目投标文件的翻译要点

针对近年来世行、亚行贷款公路项目的增加，山西省各路桥公司亦不断参与的现状，从专业术语、选词、选语态、句子处理等方面阐述了工程项目投标文件的翻译要点，归纳总结了标书翻译的语言特点及汉译英翻译技巧。     

GaN功率MMIC背面通孔工艺优化及可靠性分析

介绍了改进GaN功率MMIC背面通孔工艺的相关方法,并对通孔进行了可靠性方面的测试与分析。通过优化机械研磨的方法,减薄圆片至75μm左右,保持片内不均匀性在4%以内;利用ICP对基于SiC衬底的GaN功率MMIC进行了背面通孔工艺的优化,减少了孔底的柱状生成物。随后的可靠性测试测得圆片通孔的平均电阻值为6.3 mΩ,平均电感值为17.2 nH;对通孔样品在0.4 A工作电流175°C节温下进行了工作寿命试验,200 h后通孔特性无明显退化。     

SiN钝化前的NF3等离子体处理对AlGaN/GaN HEMT性能的影响

研究了SiN钝化前利用感应耦合等离子体(ICP)对AlGaN/GaN HEMT表面进行NF3等离子体处理对器件性能的影响.结果表明,运用低能量的NF3等离子体处理钝化前的AlGaN/GaN HEMT表面能有效抑制器件电流崩塌,而器件直流及微波小信号特性则未受影响.微波功率测试表明,经过6min NF3等离子体处理的AIGaN/GaN HEMT在2GHz,30V工作电压下达到6.15W/mm的输出功率密度,而未经过处理的器件只达到1.82W/mm的输出功率密度.     

非掺杂AlGaN/GaN微波功率HEMT

Ga N有较 Ga As更宽的禁带、更高的击穿场强、更高的电子饱和速度和更高的热导率 ,Al Ga N/Ga N异质结构不仅具有较 Ga As PHEMT中Al Ga As/In Ga As异质结构更大的导带偏移 ,而且在异质界面附近有很强的自发极化和压电极化 ,极化电场在电子势阱中形成高密度的二维电子气 ,这种二维电子气可以由不掺杂势垒层中的电子转移来产生。理论上 Al Ga N/Ga N HEMT单位毫米栅宽输出功率可达到几十瓦 ,而且其宽禁带特点决定它可以承受更高的工作结温 ,作为新一代的微波功率器件 ,Al Ga N/Ga N HEMT将成为微波大功率器件发展的方向。采…     

长钢4号、5号高炉1号热风炉改造实践

长钢4号、5号高炉1号内燃拷贝式热风炉,通过更换五孔格子砖为优质耐火球,有效提高了热风炉的蓄热面积,提高了送风温度,取得了良好的经济效益,该技术在长钢的成功应用,为内燃拷贝式热风炉改造创造了新的道路.     

长钢8号高炉开炉实践

长钢8高炉(1080m3)采用陶瓷杯炉缸,3座改进霍戈文内燃式热风炉,串罐无料钟炉顶、矩形出铁厂,炉前液压矮炮、液压开口机、轮法炉渣粒化处理等一系列新设备、新工艺。通过科学精心的开炉准备和制定合理的全焦开炉方案,在7d内,高炉利用系数达到2.0t/(m3·d),开炉取得了很好的效果。     

长钢高炉提高煤比的措施

对长钢高炉提高煤比的措施进行了总结分析。长钢炼铁厂自2002年10月开始喷吹煤粉的研究和试验，在一年的时间内，顺利实现了无烟煤到烟煤的转换。2003年，通过采取精料、广喷均喷、不断优化高炉操作等提高煤比的措施，高炉煤比提高到130kg／t，焦比大幅度降低，产量增加，生铁成本大幅度降低。     

磁控溅射AIN介质MIS栅结构的AlGaN/GaN HEMT

报道了一种X波段输出功率密度达10.4 W/mm的SiC衬底AIGaN/GaN MIS-HEMT,器件研制中采用了MIS结构、凹槽栅以及场板,其中MIS结构中采用了磁控溅射的A1N介质作为绝缘层.采用MIS结构后,器件击穿电压由80 V提高到了180 V以上,保证了器件能够实现更高的工作电压.在8 GHz、55 V的工作电压下,研制的1 mm栅宽AlGaN/GaN MIS-HEMT输出功率达到了10.4 W,此时器件的功率增益和功率附加效率分别达到了6.56 dB和39.2%.     

磁控溅射AIN介质的14W／mm AlGaN／GaN MIS-HEMT

介绍了一种采用磁控溅射AlN介质作为绝缘层的的SiC衬底AlGaN／GaN MIS-HEMT。器件研制中采用了凹槽栅和场板结构。采用MIS结构后,器件击穿电压由80V提高到了180V以上,保证了器件能够实现更高的工作电压。在2GHz、75V工作电压下,研制的200μm栅宽AlGaN／GaNMIS-HEMT输出功率密度达到了14．4W／mm,器件功率增益和功率附加效率分别为20．51dB和54．2％。     

长钢8号高炉全干法除尘技术应用实践

长钢8号高炉采用全干法布袋除尘工艺，通过合理地控制布袋过滤负荷、煤气入口温度及水分、箱体压差等，布袋除尘系统运行稳定，取得了较好的除尘效果，煤气含尘量控制在5mg/m^3以下。