太阳电池片的检测方法及其短路电流不确定度评定

在光伏产业中,对太阳电池片的标定是非常重要的环节,为了满足光伏产业不断提高的测量准确度需求,搭建了一套太阳电池片测量系统。该系统包括整体性能达到超3A级的双光源稳态太阳模拟器(辐照面积200 mm×200 mm)、标准太阳电池、温控真空吸附平台,以及配套的探针排。文章以常用的晶硅电池为例,对太阳电池片的基本检测方法进行了阐述,并对关键参数短路电流进行了不确定度评定。根据分析,短路电流不确定度为U_(rel)=1. 6%(k=2),能够为光伏企业提供太阳电池片的测量校准服务。     

变截面涡旋盘高速铣削仿真加工与实验研究

为减小变截面涡旋盘涡旋齿的变形,提高加工精度,需确定合理的铣削参数。开展了变截面涡旋盘高速铣削仿真与实验研究以确定铣削参数的合理取值范围;选用HT250变截面涡旋盘为研究对象,研究了更接近实际的材料本构模型、刀-屑摩擦模型和热传导控制方程等关键技术;建立了变截面涡旋盘几何模型和简化后的二维铣削模型,利用ABAQUS软件仿真切屑成形过程及不同的铣削参数对铣削力、铣削热影响的变化曲线;通过多因素正交实验加工变截面涡旋盘。结果表明:当主轴转速为3500 r/min、每齿进给量为0.1 mm以及切削深度为2.5 mm时进行铣削更加合理。铣削变截面涡旋盘的研究为加工参数的选择提供了依据和参考;依据实验后所得的铣削参数进行铣削可减小铣削力、铣削温度及齿变形,提高了变截面涡旋盘的加工效率和质量。     

100 MeV质子回旋加速器二期辐照效应管道设计

针对中国原子能科学研究院100 MeV质子回旋加速器上的单粒子效应辐照装置进行了二期管道设计，采用八极磁铁校正法对束流进行了扩束及均匀化，最终在靶上得到了一个30 cm×30 cm、均匀性好于92%的均匀分布的束斑，满足了单粒子效应实验的需求。为降低靶站处的束流能散及中子本底，采用两级降能的方案，在偏转磁铁前放置1个降能片，将能量分为100 MeV和40 MeV两档，并分别针对这两个能量点进行方案设计，束流利用率均在42%以上。公差分析结果表明，四极磁铁对靶上束斑均匀性的影响大于八极磁铁，安装过程中应优先保证四极磁铁的安装公差。     

宁东某小区建筑物开裂原因分析及加固措施

通过对宁东某小区两栋宿舍楼墙体和楼面的裂缝情况进行现场调查及地质钻探资料分析研究,认为造成建筑物开裂变形的主要原因是3∶7灰土垫层施工质量较差,未板结硬化形成良好的加固防渗体,以至于地基下部未处理黄土状粉土受采暖期管道爆裂跑水、建筑物周边绿化水无法及时外排等入渗影响造成其湿陷变形产生的不均匀沉降所致,并针对建筑物病害提出加固措施,旨在为类似工程提供参考。     

把握行业发展方向 加强全过程工程造价咨询

正2017年2月,国务院办公厅发布《关于促进建筑业持续健康发展的意见》,首次明确提出"培育全过程工程咨询"。随后,住建部印发关于开展全过程工程咨询试点工作的通知,决定在全国8省(市)及40家企业开展全过程工程咨询试点。一时间,全过程工程咨询成为行业热点,其他非试点省份也积极探索推进。不可否认,发展全过程工程咨询是政策倡导之举、是行业发展趋势,勘察设计企业应明确发展意义及目标,了解政策动向,积极应对,争取获得先发优势。     

300MW直接空冷机组空冷系统增容改造分析

为了提高机组真空度,改善机组运行经济性,某火电厂300 MW直接空冷机组进行了空冷系统增设空冷散热器的增容改造.改造后,夏季平均工况下汽轮机排汽压力为17.8 kPa,比改造前设计排汽压力(24.9 kPa)降低了7.1 kPa.对比分析了改造效果,认为增容改造有利于降低汽轮机运行背压,提高了机组运行经济性.     

加速器单粒子效应样品温度测控系统研制及实验应用

为满足国内半导体器件单粒子效应(SEE)截面与温度的关系研究需求,本文基于北京HI-13串列加速器SEE辐照实验终端研制了样品温度测控系统,实现了90~450K范围内实验样品温度的测量和控制,系统控制精度好于±1K。为验证系统可靠性,使用该系统研究了SRAM单粒子翻转(SEU)截面随温度的变化关系,在215~353 K范围内测量了SRAM翻转截面随温度的变化曲线。结果表明,SRAM SEU截面随温度的升高而增加,与理论预期结果一致。     

降低钒钛磁铁精矿烧结固体燃耗的实践

针对钒钛磁铁精矿烧结固体燃耗高的问题,进行了理论分析,通过改进燃料粒度、合理控制w(FeO)、推行厚料层烧结、调整燃料二次分加比例等及优化工艺参数,固体燃耗由46.98kg/t降低到39.97kg/t,节能率达到8.93%。     

65 nm双阱CMOS静态随机存储器多位翻转微束及宽束实验研究

利用微束和宽束辐照装置分别对两款65 nm双阱CMOS静态随机存储器(SRAM)进行重离子垂直辐照实验，将多位翻转（multiple-cell upset, MCU）类型、位置、事件数与器件结构布局相结合对单粒子翻转（single-event upset, SEU）的截面、MCU机理进行深入分析。结果表明，微束束斑小且均匀性好，不存在离子入射外围电路的情况；NMOS晶体管引发的MCU与总SEU事件比值高达32%，NMOS晶体管间的电荷共享不可忽略；实验未测得PMOS晶体管引发的MCU，高密度阱接触能有效抑制PMOS晶体管间的电荷共享；减小晶体管漏极与N阱/P阱界面的间距能降低SRAM器件SEU发生概率；减小存储单元内同类晶体管漏极间距、增大存储单元间同类晶体管漏极间距，可减弱电荷共享，从而减小SRAM器件MCU发生概率。