GaAs∶Cs-O NEA光电阴极电子表面逸出几率的计算

介绍了计算CaAs∶Cs-O NEA光电阴极电子表面逸出几率的方法,选用双偶极层表面模型,计算了两个偶极层形成的界面势垒各自对电子表面逸出几率的影响,提出了增大电子表面逸出几率的条件,并粗略推测了第一偶极层的厚度.     

非均匀高掺杂对透射式光电阴极光电发射性能影响研究

研究分析了高掺杂浓度下幂函数掺杂阴极发射层内部形成恒定电场情况,探讨了光电阴极发射层材料内部形成恒定电场对提高透射式光电阴极量子效率中有效电子输运长度、表面电子逸出几率等参量的影响。结合掺杂浓度不同带来的光电子散射问题,对比讨论了传统的均匀掺杂、指数掺杂、幂函数掺杂情况下发射层材料量子效率情况。     

锑、钠、钾、铯型多碱锑化物的光电发射(五)

通过对光阴极膜层光学性能的测定和光电发射能力的测量,就能计算出它的光电子逸出深度和逸出几率。这两个参量代表着光电子在膜层中的传输和穿透膜层表面的发射特性。折射率n、衰减率k和膜层厚度d可以利用透过率T和反射率R_T、R_R(R_T、R_R分别为基质和真空界面的反射率)来求得。由透射光和反射光测得光电发射量子效率     

均匀掺杂GaAs光阴极表面势垒特性研究

根据激活过程中光电流变化规律及原位光谱响应测试,模拟了GaAs光阴极表面势垒的形成过程,在光阴极表面双偶极子模型的基础上作了修正,建立了三偶极子模型。新模型认为,光阴极表面势垒由三个偶极层套构而成,第一偶极层由GaAs（Zn）-Cs+偶极子组成,第二偶极层由Cs2O偶极子组成,第三偶极层由GaAs-O-Cs偶极子组成,第二、三偶极层嵌入第一偶极层中。根据隧道效应与量子效率测试结果,确立了势垒中分段均匀的电势分布,计算得出势垒宽度为1.65 nm,有效电子亲和势为-0.44 eV。新模型的建立对理解光电阴极表面发射机理具有重要意义。     

国外GaAs光电阴极光谱响应特性比较与分析

对国外标准三代、高性能三代、超三代和四代GaAs光电阴极进行了光谱响应曲线比较。结果显示，GaAs光电阴极的积分灵敏度、响应的截止波长、峰值响应和峰值位置存在明显差异。曲线拟合结果表明国外GaAs光电阴极的后界面复合速率较低，表面逸出几率和电子扩散长度从标准三代到四代不断提高，这些性能的改善导致了GaAs光电阴极灵敏度的提高。     

环形固体背散射探测器的最佳检测距离

当入射电子与物质相互作用后又能返回表面逸出，则这部份原入射电子称为背散射电子。通常以能量小于50eV的电子称为二次电子，大于50eV而小于E0的电子称为背散射电子，用背散射电子来扫描成像所获得的图像称为背散射电子像。     

有机半导体电致发光器件中的焦耳热效应和有机物热分解

采用显微观察的方法证明有机半导体电致发光器件处于工作状态时产生的焦耳热 ,不仅使有机物发生结晶现象 ,还使器件产生气体并向外逸出 ,气体集聚在金属电极 /有机层界面 ,从而形成表面气泡 .质谱、色谱分析表明 ,逸出气体的成分除了大量的水汽之外 ,还存在有机杂质气体和有机物分解气体 .在以 8-羟基喹啉铝 (Alq3)为发光层的器件中 ,当受热温度达到 15 0℃时 ,有机分子会发生分解 ,逸出 8-羟基喹啉气体 .紫外光电子能谱分析进一步证实 ,Alq3薄膜的受热温度达到 15 0℃时 ,其电子结构发生明显变化 ,由此可严重影响器件性能     

NEAGaN光电阴极第一性原理研究

采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似投影缀加平面波方法,在六方结构GaN结构优化的基础上,计算了GaN(0001)A面吸附Cs后功函数变化,指出吸附系统表面形成了一个有效的GaN－Cs电偶极子层,降低了原本的GaN表面势垒,形成更加有利于电子逸出的外光电发射效应特性。接着图示吸附Cs、O后的电子结构,指出吸附原子和衬底之间的键合。六方结构GaN材料的光学性质通过Kramers-Kronig 关系得出。根据GaN的介电函数谱,得出了254nm光波长下以GaN为激活层材料的反射式光电阴极在不同少子扩散长度下的内量子效率。计算结果表明六方结构GaN(0001)A面是可见光盲光电阴极的优良发射表面,且254 nm处的量子效率可达到60%,远大于碱金属卤化物紫外光电阴极。     

Hg_(1-x)Cd_xTe探测器表面积累层的磁输运特性

利用WKB近似对Hg1-xCdTe探测器表面积累层二维电子气的色散关系进行了计算，获得了不同表面电子浓度下，各子带的电子浓度、能级位置和有效质量．考虑了能带的非抛物性，由SdH振荡获得的结果与理论符合的很好．     

转移电子光阴极调制传递函数的理论计算

本文利用蒙特卡罗模拟的方法计算了Ａｇ／ｐ－ＩｎＰ／ｐ－ＩｎＡｇＡｓＰ／ＩｎＰ转移电子光阴极的调制传递函数，计算结果表明转移电子光阴极具有较高的空间分辨率，并与阴极材料的吸收系数，有源层厚度有场助偏压有关，为获得较高的调制传递函数，应当昼降低吸收系数和缩短有源层厚度，提高场助电压。     

电子束背散射在胶层中的能量沉积

模拟了散射电子在PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯）电子束胶层中的能量沉积分布。在处理电子穿越衬底的边界时，采用了几率确定法，用以判断电子是否在界面处发生一次弹性散射。并完成了散射电子束胶层中的前散射和背散射的能量的沉积分布图。     

钝化与场板结构对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌的影响

由于AlGaN/GaN HEMT的几何结构以及很强的极化效应,柵漏区域的电场很大,以至于电子可以从柵隧穿到AlGaN表面.隧穿的电子在表面累积,导致柵下耗尽区的电子向漏端延伸,从而引起漏极电流的下降.文中采用应力测试方法,研究了未钝化、钝化以及场板三种结构的AlGaN/GaN HEMT 的电流崩塌程度.实验结果表明,钝化隔断了电子从柵隧穿到AlGaN表面的通道,场板结构能够有效降低柵边缘电场,均减少了电子从柵隧穿到表面陷阱的几率,从而使虚柵的作用减弱,有效地抑制了电流崩塌效应.     

钝化与场板结构对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌的影响

由于AlGaN／GaNHEMT的几何结构以及很强的极化效应,栅漏区域的电场很大,以至于电子可以从栅隧穿到AlGaN表面．隧穿的电子在表面累积,导致栅下耗尽区的电子向漏端延伸,从而引起漏极电流的下降．文中采用应力测试方法,研究了未钝化、钝化以及场板三种结构的AlGaN／GaNHEMT的电流崩塌程度．实验结果表明,钝化隔断了电子从栅隧穿到AlGaN表面的通道,场板结构能够有效降低栅边缘电场,均减少了电子从栅隧穿到表面陷阱的几率,从而使虚栅的作用减弱,有效地抑制了电流崩塌效应．     

高温激活的变掺杂GaAs光电阴极研究

为了获得高量子效率的GaAs光电阴极,要求GaAs材料的电子扩散长度足够长,且电子表面逸出几率大,而这两个参数都要受到P型掺杂浓度的限制。经过对由体内到表面掺杂浓度由高到低的变掺杂GaAs光电阴极进行比较深入的激活实验和光谱响应理论研究,实验结果显示,适当的表面掺杂浓度GaAs光电阴极材料,在高温激活结束后获得了较高的灵敏度和较好的稳定性。根据实验结果和反射式变掺杂GaAs光电阴极量子效率理论预测曲线,对变掺杂GaAs光电阴极材料掺杂结构提出了进一步优化的思路。研究表明,变掺杂GaAs光电阴极将成为发展我国高性能GaAs光电阴极的一项重要途径。     

多孔硅中的电子激发态及其光谱研究

本文用硅-氧化硅复合纳米材料的能带混合模型研究了多孔硅中的高能激发态．理论计算表明，随着电子能量的升高△波和Г波之间产生了极强的相互耦合，形成一对强△态和强Г态．这两种状态分别被限制在中心硅丝和表面氧化硅层中，从而产生实验中观察到的量子限制态和非量子限制态．在有效质量理论框架下计算了不同能级间的光跃迁矩阵元，得出了跃迁选择定则．强△态与Г态间的跃迁几率很小，在俘获电子以后可以构成一种元激发陷阶,运用所计算的结果较好地解释了实验中观察到的PL和CL光谱中的量子限制态、非量子限制态、元激发陷阱以及各种不同的谱峰．     

薄膜电子隧穿几率的数值计算方法

文章对电子透射几率问题进行了数值求解，这种方法能够处理形状复杂的一维势垒。首先利用龙格一库塔法和Numerov方法，联立求解薛定谔方程，然后利用得到的结果计算电子的透射几率，并考虑了计算误差的影响和减小方法。将该方法得到的数值解与精确值进行了比较，并用此方法考虑了不同双势垒结构中的共振隧穿问题。     

有机半导体电致发光器件中的焦耳热效应和有机物热分解

采用显微观察的方法证明有机半导体电致发光器件处于工作状态时产生的焦耳热,不仅使有机物发生结晶现象,还使器件产生气体并向外逸出,气体集聚在金属电极/有机层界面,从而形成表面气泡．质谱、色谱分析表明,逸出气体的成分除了大量的水汽之外,还存在有机杂质气体和有机物分解气体．在以8-羟基喹啉铝(Alq3)为发光层的器件中,当受热温度达到150℃时,有机分子会发生分解,逸出8-羟基喹啉气体．紫外光电子能谱分析进一步证实,Alq3薄膜的受热温度达到150℃时,其电子结构发生明显变化,由此可严重影响器件性能．     

NEA GaN光电阴极材料光学特性研究

针对NEA GaN光电阴极结构设计和制备工艺需进一步优化的问题,结合阴极量子效率表达式和影响量子效率的因素,采用理论和实验相结合的方法,分别研究了GaN光电阴极材料的表面反射率、光学折射率、光谱吸收系数以及透射光谱等光学参数。结果表明在250 nm到365 nm的波长范围内,表面反射率相对平稳,是影响量子效率的直接因素,而光学折射率则通过电子表面逸出几率间接影响着量子效率。给出了均匀掺杂GaN光电阴极的光谱吸收系数的特点,根据变掺杂NEA GaN光电阴极的结构特点,给出了光谱平均吸收系数的概念和等价计算公式,并对均匀掺杂与变掺杂NEA GaN光电阴极光谱吸收系数进行了对比。     

国外资料索引

一、红外技术材料 446 半导体引言 Introduction to semiconductors.T.Lim peris,Fundamentals of Infrared Tech.,20 PP.July 1973. 光子撞击金属被完全吸收, 将一部分能量传送给金属中的自由电子,电子动能的增加等于光子能量,电子从表面逸出前,以两种方式给出其动能。在表面下一定深度的电子吸收光子后不和金属中的原子撞击就不能逸出,因此会损失某些动能。由于各电子損失的能量各不相同,其速度也不相同,证明电磁辐射能量存在于局部区域內,而不是均勻分布。电磁辐射是一股电子流,它和固体在微观上相互作用。     

（Ge）n／（Si）n应变层超晶格的电子结构

本文用ＬＣＡＯ－Ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法研究了应变层超晶格（ＳＬＳ）（Ｇｅ）ｎ／（Ｓｉ）ｎ（ｎ＝１，２）的电子结构。计算了超晶格体内和表面Ｇｅ、Ｓｉ的局域和分波态密度及其原子价。讨论了不同的ｎ对（Ｇｅ）ｎ／（Ｓｉ）ｎＳＬＳ电子结构的影响。我们发现超晶格表面存在表面态，表面退杂化。电子在超晶格界面处发生转移，并随ｎ的不同，转移量不同。