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利用汽压控制直拉法,成功地生长了InP和GaAs单晶,其位错密度十分低,比液封直拉法生长的单晶要小一个数量级。VPEGaAs衬底的乘余应力是LEC衬底的1/4。当分子束外延生长时,产生的滑移位错在VCZ衬底上得到明显改善。在S掺杂的VPRInP晶体上没有滑移位错。在这种衬底上生长的VPEInGaAs外延层显示出几乎没有传播位错,而且漏电流极小。 相似文献
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(001)GaAs衬底上异质外延的立方GaN薄膜与界面 总被引:7,自引:3,他引:4
用电子回旋共振微波等离子体辅助金属有机化学气相沉积(ECR-PAMOCVD)法,在低温条件下,在(001)GaAs衬底上异质外延,生长了立方晶GaN薄膜.高分辩电镜(HREM)观测与X射线衍射(XRD)测量结果表明:GaN薄膜具有典型的闪锌矿结构;三种方法测得其晶格常数为0.451~0.457nm;在GaN/GaAs界面处的生长模式为异质外延;GaN薄膜中的位错主要为堆垛层错与刃形位错;随着远离界面,GaN中位错密度与镶嵌组织迅速减少. 相似文献
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研究了影响LEC生长GaAs单晶锭长的因素。发现,LEC系统中热场分布,热对流,坩埚直径和坩埚初始位置及装料量的多少等对LEC法生长的GaAs单晶锭子长度都有影响。 相似文献
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采用化学束外延(CBE)技术,以三乙基镓(TEG)和砷烷(AsH3)为源,在Si(001)衬底上生长GaAs薄膜.利用Hall效应、卢瑟福背散射(RBS)和高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)检测了外延层的质量.结果表明,GaAs薄膜具有n型导电性,载流子浓度为1.3×1015cm-3,其杂质估计是Si,它来自衬底的自扩散.外延层的质量随着膜厚的增加而得到明显的改善.在GaAs/Si界面及其附近,存在高密度的结构缺陷,包括失配位错、堆垛层错和孪晶.这些缺陷完全缓解了GaAs外延层和Si衬底之间因晶格失配引 相似文献
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本文报道在650℃的衬底温度下实现了MOCVD在(100)面和(111)面上生长GaAs与Al0.4Ga0.6As的不同选择性。这一衬底温度比国际上以前报道的要低,对制作适于光电器件的GaAs/AlGaAs量子阱层比较有利。用此技术,在GaAs非平面衬底上生长了GaAs/Al0.4Ga0.6As量子阱,并用扫描电镜、低温光致发光谱及偏振激发的光反射率谱技术进行了研究。结果不仅证明了MCCVD外延生 相似文献
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本文报道在650℃的衬底温度下实现了MOCVD在(100)面和(111)面上生长GaAs与Al0.4Ga0.6As的不同的选择性.这一衬底温度比国际上以前报道的要低,对制作适于光电器件的GaAs/AlGaAs量子阱层比较有利.用此技术,在GaAs非平面衬底上生长了GaAs/Al0.4Ga0.6As量子阱,并用扫描电镜、低温光致发光谱以及偏振激发的光反射率谱技术进行了研究.结果不仅证明了MOCVD外延生长GaAs和Al0.4Ga0.6As的独特选择性,也证明了在V字形沟槽底形成了量子线. 相似文献
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CdTe/GaAs是HgCdTe分子束外延的重要替代衬底材料。用X双晶衍射和光致发光测试研究了分子束外延生长的CdTe(211)B/GaAs(211)B的晶体结构质量,表明外延膜晶体结构完整,具有很高的质量。用高分辨率的透射电镜研究其界面特性,观察到CdTe(211)B相对于GaAs(211)B向着[111]方向倾斜一个小角度(约3°),界面的四面体键网发生扭曲,由于晶格失配,在界面存在很高的失配位错密度。用二次离子质谱分析仪分析了GaAs衬底中的Ga和As向CdTe外扩散的情况。结果表明:如果要在GaAs衬底上生长HgCdTe外延膜,必须先生长一层具有一定厚度的CdTe来阻止Ga和As向HgCdTe的外扩散和失配位错的延伸。 相似文献
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通过温度压力改变,使整个LEC-GaAs单晶生长过程As损失最小。获得了化学配比较好的SI-GaAs单晶。单昌表面离和,特别是单晶尾部结构缺陷也少。分析了LE-CSI-GaAs单晶生长过程As的挥发和生长环境压力对生长的单昌位错密度的影响。 相似文献
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对在GaAs、Al2O3和Si等衬底上MOCVD技术生长的GaN薄膜进行了背散射几何配置下的喇曼散射测试分析和比较,观察到α相GaNl模,Al模El模和E2模,结合射线衍射谱,分析了因不同生长工艺导致GaN/GaAs样品的不同结构相的喇曼谱的差异,发现GaN喇曼谱与GaN外延层的结构相,完整性及工艺条件有关,可利用其作为检测GaN外延层结构特性的一种有用手段。 相似文献
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用透射电镜对Hg1-xCdTe/CdTe和CdTe/GaAs两种异质结的横截面进行了观测分析,对异质结附近的某些结构缺陷,如微孪晶的尺寸,几何形态、层错、界面失配位错的组态特征进行了研究,并对多层膜之间的取向差进行了分析,说明在GaAs衬底上用分子束外延法制备的Hg1-xCdxTe/CdTe/GaAs多层膜,就大量结构缺陷而言,CdTe缓冲层对Hg1-xCdxTe外延层起到了屏障作用,在Hg1-x 相似文献
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本文介绍了InP、InGaAs、InGaP、InGaAsP等的光压港(PVS)。并把InGaAsP(在特定组份下)的PVS与FFT—PL谱进行了比较;分析和讨论了PVS测试的局限性和复杂性;指出了对多层异质结构材料,只有把器件结构、外延工艺、ECV测试等结合起来,才可能正确地理解PVS给出的测试结果。 相似文献
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利用低压金属有机化合物汽相淀积方法,以液态CCl4为掺杂源生长了高质量的碳掺杂GaAs/AlGaAs外延材料,研究了CCl4流量、生长温度和Ⅴ/Ⅲ比等因素对外延材料中的碳掺杂水平的影响.采用电化学CV方法、范德堡霍耳方法、低温光致发光谱和X射线双晶衍射回摆曲线测量等方法对碳掺杂外延材料的电学、光学特性进行了研究.实验制备了空穴浓度高达1.9×1020cm-3的碳掺杂GaAs外延材料和低温光致发光谱半宽小于5nm的高质量碳掺杂Al0.3Ga0.7As外延层.在材料研究的基础上,我们以碳为P型掺杂剂生长了Ga 相似文献