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用扫描电镜电子束感生电流法研究了GaInAsP/InP双异质结液相外延片的p-n结偏位问题。认为Zn沾污是偏位的主要原因之一。用控制Zn的掺入量或用Mg作p型掺杂剂均可制得正常的p-n结。用电化学c-v法测试了部分样品,并与制管后发射光谱进行比较,结果相同。 相似文献
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文摘某些分子束外延生长的(Al,Ga)As双异质结激光器,在室温左右观察到激射阈值电流对温度(即使是负温发)的依赖性减少。这种现象可以通过P-n结与有源层异质结的隔离、而不能用分流或材料的非均匀性引起的增益变化来解释。也不能用通常解释引起非平面和多量子阱激光器阈值电流变化的态密度变化或电流拥塞来解释。为了实现激射,远结(离有源联相对较远的P-n结—译者注)需要进入有源层的少数载流子扩散,同时允许多数载流子流出有源层。多数载流子形成的电流无助于激射,反而增加了获得 相似文献
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研究了应用双边C-V法测量超浅结(如p+-n结)的掺杂分布。推导了在已知p+-n结的电容-电压(C-VR)关系、n区掺杂、以及热平衡下n区耗尽层宽度(xn0)的情况下计算p区掺杂浓度分布的公式。xn0是计算p区掺杂分布所需的一个关键参数,通过将n区掺杂设计成阶梯状,可实现对xn0的精确提取。用Medici对具有相同的阶梯状掺杂n区的p+-n和n-肖特基结进行器件仿真可得其C-VR关系。运用常规C-V法,由肖特基结的C-VR关系可提取出n区掺杂浓度。实现了对xn0的精确提取,其精度达1.8nm。基于精确的xn0,运用双边C-V法提取的p+区的掺杂浓度分布与Medici仿真结果非常吻合。 相似文献
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氧化锌宽禁带半导体薄膜的发光及其p-n结特性 总被引:3,自引:0,他引:3
报道了用直流反应溅射法制备的氧化锌薄膜的近紫外发射以及热处理条件对受激发射谱的影响。同时用化学反应辅助掺杂方法生长了 p型和 n型 Zn O薄膜 ,研究了 Zn O/ Si异质结和氧化锌同质 p-n结的电压 -电流特性 (I-V特性 ) 相似文献
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本文报导在(100)晶向InP衬底上,液相外延生长(λ=1.0~1.31μm)GaInAsP/InP双异质结的研究结果。测定了600—670℃温度范围内InP在In中的饱和溶解度,研究了Te、Sn和Zn、Mg等掺杂剂的行为。用X光双晶衍射法研究了GaInAsP/InP异质结的晶格失配,用扫描电镜电子束感生电流法和电化学C-V法研究了外延片中p-n结偏位现象。用光吸收法测试外延片吸收边,估算了外延片中四元层的禁带宽度,并与制管后的发光波长作了比较。外延片可制得发光波长1.0~1.3μm、功率达1mw(100mA工作电流)的光通讯用小面积发光二极管。 相似文献
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采用电化学电容-电压(ECV)法对等离子体掺杂制备的Si超浅p n结进行了电学表征.通过对超浅p n结样品ECV测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用ECV测试获得的p 层杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,但ECV测试下层轻掺杂n型衬底杂质浓度受上层高浓度掺杂影响很大.ECV测试具有良好的可控性与重复性.对不同退火方法等离子体掺杂形成的超浅结样品的ECV系列测试结果表明,ECV能可靠地表征结深达10nm,杂质浓度达1021cm-3量级的Si超浅结样品,其深度分辨率可达纳米量级,它有望在亚65nm节点CMOS器件的超浅结表征中获得应用. 相似文献