新型砷化镓Z元件

本文报导了砷化镓材料制作的Ｚ元件,观察到Ｓ型负阻及相应的振荡波形,重点解决了Ｓ型负阻产生的原因及振荡机理,理论分析与实验相符。     

大功率金属陶瓷四极管的负阻振荡

文章对四极管的二次电子放射进行了阐释,分析了产生负阻振荡的机理,并结合DF-100A PSM短波广播发射机发生的负阻振荡故障实例,阐述了负阻振荡的危害及防止负阻振荡的方法。     

新型无LC元件脉冲振荡电路的设计

只用两个同极性的晶体管,设计成一个两端负阻电路,无须外加任何储能用的电感、电容等元件,其自身就能产生三角形脉冲波形,并能稳定地产生周期性的持续脉冲振荡.     

基于MEMS技术新型硅磁敏三极管负阻-振荡特性

介绍了-种新型硅磁电负阻-振荡器件--S型负阻-振荡硅磁敏三极管.该器件是基于MEMS技术在p型高阻单晶硅片上制作的具有立体结构的新型磁电转换器件,采用KOH各向异性腐蚀技术实现发射区及引线的制作.实验结果表明,集电极电流随外加磁场的变化而变化;在基极注入电流一定时,出现集电极电流受外加偏压VCE调制的负阻-振荡特性,且集电极电流振荡随外加磁场而变化.对该器件负阻-振荡特性的形成机理进行了讨论,结果表明,在集电区n+π结和基区与π区形成的p+π结均处于反偏条件下,当π区满足雪崩倍增效应产生的条件时,该磁敏三极管伏-安特性曲线中的Vp+x偏压相对应的基极注入条件下的集电极电流出现S型负阻-振荡特性.在发射极和基极间的n+π结和p+π结附近存在的大量深能级杂质将对负阻-振荡特性进行调制.     

基于MEMS技术新型硅磁敏三极管负阻-振荡特性

介绍了一种新型硅磁电负阻振荡器件——S型负阻-振荡硅磁敏三极管．该器件是基于MEMS技术在p型高阻单晶硅片上制作的具有立体结构的新型磁电转换器件，采用KOH各向异性腐蚀技术实现发射区及引线的制作．实验结果表明，集电极电流随外加磁场的变化而变化；在基极注入电流一定时，出现集电极电流受外加偏压VCE调制的负阻-振荡特性，且集电极电流振荡随外加磁场而变化．对该器件负阻振荡特性的形成机理进行了讨论，结果表明，在集电区n+π结和基区与π区形成的p+π结均处于反偏条件下，当π区满足雪崩倍增效应产生的条件时，该磁敏三极管伏-安特性曲线中的Vp+π偏压相对应的基极注入条件下的集电极电流出现S型负阻-振荡特性．在发射极和基极间的n+π结和p+π结附近存在的大量深能级杂质将对负阻-振荡特性进行调制．     

负阻提升的微波混沌振荡器的设计

将负阻提升技术引入到混沌振荡器的设计中,通过理论推导、数值计算和测试验证来优化电路结构,提供参数选取规则,从理论和实验两方面验证,在双电感的比值达到最优值时振荡器负阻能够得到大幅提升。并基于负阻提升技术提出了双电感结构的微波Colpitts 混沌振荡器。新结构电路的最高混沌振荡基频为1.78 GHz,较经典电路提升了39%;带宽达到4.60GHz(0.80～5.40 GHz),较经典电路提升了119%。测试结果表明,优化的双电感结构能有效提升混沌振荡基频和带宽。     

光电双向负阻晶体管的数值模拟与实验研究

光电双向负阻晶体管(PBNRT)是一种新型S型光电负阻器件.本文对它的光电负阻特性进行了数值模拟和实验研究,给出了器件等效电路.PBNRT在光电混合工作模式下具有光控电流开关效应,可通过光照和控制电压两种控制方式改变器件的S型负阻特性.模拟和实验结果均表明:光照强度增大,维持电压基本保持不变,转折电压减小,负阻电压摆幅减小;而增大控制电压,维持电压和转折电压均增大,输出负阻特性曲线右移.上述特点使得PBNRT可望在光电开关、光控振荡和光电探测等方面有很好的应用前景.     

Cascode混沌电路负阻模型与电路设计

针对Cascode结构振荡器进行研究,通过理论推导和分析,给出两级负阻提升的通用模型,该模型可以被广泛应用于混沌电路设计中,实际电路设计时可以用合适的负阻电路单元替代两级结构中的下级部分,实现电路负阻的提升。仿真设计结果表明,基于该模型设计的混沌电路的混沌振荡基频f0为4.2 GHz,f0/fT值达到0.46,较经典单级电路有较大提升。     

运算放大器负阻变换性能的仿真分析

以Electronics Workbench软件为平台，对运放负阻变换器的性能进行了仿真分析，得到了一些实用的结论。     

光电双基区晶体管光控脉冲振荡器的实验研究

光电双基区晶体管（ＰＤＵＢＡＴ）是一种能产生“Ｎ”型光电负阻特性的新型光电负阻器件。通过对试制出的样管进行测试,发现ＰＤＵＢＡＴ在无外接电感的情况下即可发生脉冲振荡。脉冲振荡的频率和振幅均受到入射光强度的调制,即随光强的增大,振荡频率增加,振由减小。最后,对该器件的应用及发展前景进行了讨论。     

通用阻抗变换器在有源滤波器中的应用

利用通用阻抗变换器(GIC)可以将原有滤波电路中的电容或电感用模拟电容或电感来替代,因此,文中提出了用频变负阻(FDNR)或D元件来直接从归一化LC低通滤波器原型得到有源滤波器的实现方法.     

RC相移式振荡器的负阻法分析

利用负阻法推出了RC相移式振荡器的振荡条件和振荡频率公式，其结果与传统法推出的完全一致，且其物理概念更为清晰。     

隧道二极管串联谐振放大器

隧道二极管是一种新型的半导体负阻元件,与一般晶体管相比,它具有许多优点,如:频率高、噪声低、特性随温度变化小、对核辐射不敏感、耗能少及制造工艺简单等,近年来已广泛地应用于放大、振荡、变频及脉冲开关等电路.隧道二极管放大器是利用它的负阻特性,因此是一种负阻放大器.该类放大器的优点是噪声低、灵敏度高、耗能少等,能作为高灵敏度接收     

浮地频变负阻新电路与无源LC梯形滤波器的FDNR直接模拟

本文提出的浮地频变负阻新电路具有有源和无源元件少、灵敏度低、稳定性好、无需调整和易于实现等优点。它的提出,不仅解决了一般浮地频变负阻(FDNR)元件的实现问题,而且解决了直接模拟LC梯形滤波器的低灵敏度FDNR滤波器实现问题。     

三阶非自治电路中的混沌振荡

本文研究在正弦电源激励下的三阶电路中的非线性动力性质。在该电路中，唯一的非线性元件是分段线性的负电阻元件。计算机模拟和电路实验表明，该电路在电源电压的有效值改变时，振荡制式会有如下之演变：周期—拟周期—混沌—亚超混沌—混沌—周期。此处所谓的亚超混沌振荡，是指相空间轨线的吸引子具有( ，0，0，-)类型的李雅普诺夫指数谱的振荡制式而言的。这种亚超混沌振荡制式在现有的非线性电路与系统的文献中尚不曾有过报道。本文的计算机模拟结果与电路实验结果之间有较好的吻合。     

频率负阻效应与复合振荡器

本文利用转动变换推导出五种典型放大电路的负阻条件;利用负阻效应特有的复合振荡现象取得了扩展振荡频带、增强振幅的效果;从而表明,在反馈振荡器与负阻振荡器之间存在可供实用的第三种振荡形式。     

新型恒压控制型负阻HBT的研制进展

研究了HBT产生负阻的可能机制,通过对材料结构和器件结构的特殊设计,采用常规台面HBT工艺,先后研制出3类高电流峰谷比的恒压控制型负阻HBT.超薄基区HBT的负阻特性是由超薄基区串联电阻压降调制效应造成的,在GaAs基InGaP/GaAs和AlGaAs/GaAs体系DHBT中均得到了验证.双基区和电阻栅型负阻HBT均为复合型负阻器件.双基区负阻HBT通过刻断基区,电阻栅负阻HBT通过在集电区制作基极金属形成集电区反型层,构成纵向npn与横向pnp的复合结构,由反馈结构(pnp)的集电极电流来控制主结构(npn)的基极电流从而产生负阻特性.3类负阻HBT与常规HBT在结构和工艺上兼容,兼具HBT的高速高频特性和负阻器件的双稳、自锁、节省器件的优点.     

DPLBT型高频硅光电负阻器件的研制

研制出特征频率fT≥220MHz,且具有较高光电灵敏度和最大峰值电流的光电负阻器件--达林顿光电λ型双极晶体管(DPLBT),并首先用发光二极管(LED)和光电负阻器件(DPLBT)封装成一种和常规光电耦合器不同的具有光电流开关、光控电流双稳态和光控正弦波振荡多种功能的新型光电耦合器(PCDPLBT).     

SPNRD的光电负阻特性与光学双稳态特性间的对应关系

文章对电阻为负载时,硅光电负阻器件（ＳＰＮＲＤ）的光电负阻特性和光学双稳态特性间的对应关系进行了系统的分析。定义了描述静态光学双稳态特性的７个基本参数,并分析了负载电阻（ＲＬ）和电源电压（Ｖ０）对这些参数的影响,理论分析结果与实测结果相一致,所得出的结论适用于由负阻特性产生双稳态特性的所有情况１。     

三端电压控制型负阻器件（6）

三端电压控制型负阻器件（６）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）第六章新型“∧”负阻晶体管［２１］新型“∧”负阻晶体管（ＮｅｗＬａｍｂｄａＮｅｇａｔｉｖｅ－ＲｅｓｉｓｔａｎｃｅＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ），简称ＮＬＮＲＴ，是近几年来新提出的一种三端负阻...